晶體管

型號	描述	庫存
2SK932-23-TB-E ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 15V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 50mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 100µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 200mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-CP	庫存12,396
2SK932-24-TB-E ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 15V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 14.5mA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 50mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 100µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 200mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-CP	庫存14,155
5185_2N4391 ON Semiconductor	晶體管-JFET MOSFET N-CH JFET 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,470
5185-2N4392 ON Semiconductor	晶體管-JFET BIPOLAR TRANSISTORS 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 60 Ohms 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: -	庫存6,768
5285-MMBFJ201 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存7,812
8885_2N5115 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,808
BF246A Central Semiconductor Corp	晶體管-JFET SCR 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: * FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,730
BF246A ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存1,703
BF246A_J35Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,668
BF246B Central Semiconductor Corp	晶體管-JFET SCR 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: * FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,988
BF246B ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 60mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,866
BF246B_J35Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 60mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,958
BF246C Central Semiconductor Corp	晶體管-JFET SCR 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: * FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存5,040
BF247A ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,506
BF247A_J35Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,862
BFR30,215 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 10mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存155
BFR30,235 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 10mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存4,410
BFR30LT1 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 225MW SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 225mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存8,928
BFR30LT1G ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 225MW SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 225mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存6,300
BFR31,215 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 10mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2.5V @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存2
BFR31,235 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 10mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2.5V @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存5,220
BFR31LT1 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 225MW SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2.5V @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 225mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存5,526
BFR31LT1G ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 225MW SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2.5V @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 225mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存3,888
BFT46,215 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 10mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.2V @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存1
BSR56 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 50mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 25 Ohms 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存19,535
BSR56,215 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.25W SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 50mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: 20mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 25 Ohms 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存3,618
BSR57 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 40 Ohms 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存29,393
BSR57,215 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 40 Ohms 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存8,946
BSR58 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 60 Ohms 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存28,727
BSR58,215 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 60 Ohms 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存6,768

2SK932-23-TB-E

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 50MA 200MW CP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 15V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 50mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 100µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 200mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-CP

庫存12,396

2SK932-24-TB-E

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 50MA 200MW CP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 15V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 14.5mA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 50mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 100µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 200mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-CP

庫存14,155

5185_2N4391

ON Semiconductor

晶體管-JFET

MOSFET N-CH JFET

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,470

5185-2N4392

ON Semiconductor

晶體管-JFET

BIPOLAR TRANSISTORS

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 60 Ohms
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: -

庫存6,768

5285-MMBFJ201

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存7,812

8885_2N5115

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,808

BF246A

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

SCR

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: *
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,730

BF246A

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存1,703

BF246A_J35Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,668

BF246B

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

SCR

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: *
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,988

BF246B

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 60mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,866

BF246B_J35Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 60mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,958

BF246C

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

SCR

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: *
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存5,040

BF247A

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,506

BF247A_J35Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,862

BFR30,215

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 10MA 250MW SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 10mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存155

BFR30,235

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 10MA 250MW SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 10mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存4,410

BFR30LT1

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 225MW SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 225mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存8,928

BFR30LT1G

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 225MW SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 225mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存6,300

BFR31,215

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 10MA 250MW SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 10mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2.5V @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存2

BFR31,235

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 10MA 250MW SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 10mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2.5V @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存5,220

BFR31LT1

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 225MW SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2.5V @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 225mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存5,526

BFR31LT1G

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 225MW SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2.5V @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 225mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存3,888

BFT46,215

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 10MA 250MW SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 10mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.2V @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存1

BSR56

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 250MW SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 50mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 25 Ohms
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存19,535

BSR56,215

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.25W SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 50mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: 20mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 25 Ohms
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存3,618

BSR57

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 40 Ohms
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存29,393

BSR57,215

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 250MW SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 40 Ohms
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存8,946

BSR58

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 60 Ohms
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存28,727

BSR58,215

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 250MW SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 60 Ohms
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存6,768

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message