晶體管

型號	描述	庫存
J202_D74Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 900µA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,618
J203-18 Central Semiconductor Corp	晶體管-JFET JFET N-CH TO-92 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: * FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,246
J270 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,520
J270_D26Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,812
J270_D27Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,034
J271 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 6mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.5V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,304
J2A012YXS/T1AY403, NXP	晶體管-JFET TRANSISTOR JFET 8PLLCC 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,068
J2A020YXS/T0BY425, NXP	晶體管-JFET TRANSISTOR JFET 8PLLCC 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,478
J2A040YXS/T0BY424, NXP	晶體管-JFET TRANSISTOR JFET 8PLLCC 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,268
J2A080GX0/T0BG295, NXP	晶體管-JFET TRANSISTOR JFET 8PLLCC 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,100
J3A012YXS/T0BY4551 NXP	晶體管-JFET TRANSISTOR JFET 8PLLCC 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,906
J3A040YXS/T0BY4571 NXP	晶體管-JFET TRANSISTOR JFET 8PLLCC 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,030
J3A080YXS/T0BY4AG0 NXP	晶體管-JFET TRANSISTOR JFET 8PLLCC 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,326
JANTX2N4091 Microsemi	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 360MW TO-18 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 30 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存7,812
JANTX2N4092 Microsemi	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 360MW TO-18 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 50 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存143
JANTX2N4092UB Microsemi	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.36W SMD 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 50 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-SMD, No Lead 供應商設備包裝: 4-SMD	庫存6,756
JANTX2N4093UB Microsemi	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.36W SMD 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 80 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UB	庫存218
JANTX2N4416AUB Microsemi	晶體管-JFET JFET N-CH 35V 0.3W 4SMD 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 35V 漏極至源極電壓（Vdss）: 35V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 6V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-SMD, No Lead 供應商設備包裝: 4-SMD	庫存4,554
JANTX2N4857 Microsemi	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 360MW TO-18 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 6V @ 500pA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 40 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存5,562
JANTX2N4859 Microsemi	晶體管-JFET JFET N-CH 30V 360MW TO-18 制造商: Microsemi Corporation 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 175mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 10V @ 500pA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 25 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存15,714
JFTJ105 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 1W SOT223 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 500mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4.5V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: 3 Ohms 功率-最大: 1W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝: SOT-223-4	庫存6,282
KSK30OBU ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 50V 0.1W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 600µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 400mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.2pF @ 0V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,662
KSK30RBU ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 50V 0.1W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 300µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 400mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.2pF @ 0V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,708
KSK30YBU ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 50V 0.1W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.2mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 400mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.2pF @ 0V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,304
KSK30YTA ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 50V 0.1W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.2mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 400mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.2pF @ 0V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,182
KSK595HMTF ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 100MW SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 150µA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存2,178
KSK596ABU ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100µA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存2,844
KSK596BBU ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100µA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存3,418
KSK596BU ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100µA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存4,986
KSK596CBU ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100µA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存6,516

J202_D74Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 900µA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,618

J203-18

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

JFET N-CH TO-92

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: *
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,246

J270

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,520

J270_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,812

J270_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,034

J271

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 6mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.5V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,304

J2A012YXS/T1AY403,

NXP

晶體管-JFET

TRANSISTOR JFET 8PLLCC

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,068

J2A020YXS/T0BY425,

NXP

晶體管-JFET

TRANSISTOR JFET 8PLLCC

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,478

J2A040YXS/T0BY424,

NXP

晶體管-JFET

TRANSISTOR JFET 8PLLCC

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,268

J2A080GX0/T0BG295,

NXP

晶體管-JFET

TRANSISTOR JFET 8PLLCC

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,100

J3A012YXS/T0BY4551

NXP

晶體管-JFET

TRANSISTOR JFET 8PLLCC

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,906

J3A040YXS/T0BY4571

NXP

晶體管-JFET

TRANSISTOR JFET 8PLLCC

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,030

J3A080YXS/T0BY4AG0

NXP

晶體管-JFET

TRANSISTOR JFET 8PLLCC

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,326

JANTX2N4091

Microsemi

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 360MW TO-18

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 30 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存7,812

JANTX2N4092

Microsemi

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 360MW TO-18

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 50 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存143

JANTX2N4092UB

Microsemi

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.36W SMD

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 50 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-SMD, No Lead
供應商設備包裝: 4-SMD

庫存6,756

JANTX2N4093UB

Microsemi

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.36W SMD

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 80 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UB

庫存218

JANTX2N4416AUB

Microsemi

晶體管-JFET

JFET N-CH 35V 0.3W 4SMD

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 35V
漏極至源極電壓（Vdss）: 35V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 6V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-SMD, No Lead
供應商設備包裝: 4-SMD

庫存4,554

JANTX2N4857

Microsemi

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 360MW TO-18

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 6V @ 500pA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 40 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存5,562

JANTX2N4859

Microsemi

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V 360MW TO-18

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 175mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 10V @ 500pA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 25 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存15,714

JFTJ105

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 1W SOT223

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 500mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4.5V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: 3 Ohms
功率-最大: 1W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝: SOT-223-4

庫存6,282

KSK30OBU

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 50V 0.1W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 600µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 400mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.2pF @ 0V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,662

KSK30RBU

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 50V 0.1W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 300µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 400mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.2pF @ 0V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,708

KSK30YBU

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 50V 0.1W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.2mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 400mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.2pF @ 0V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,304

KSK30YTA

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 50V 0.1W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.2mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 400mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.2pF @ 0V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,182

KSK595HMTF

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 150µA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存2,178

KSK596ABU

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100µA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存2,844

KSK596BBU

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100µA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存3,418

KSK596BU

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100µA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存4,986

KSK596CBU

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 20V 0.1W TO-92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 20V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100µA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3.5pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存6,516

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message