晶體管

JANTXV2N2920L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/355
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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JANTXV2N2920U

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 60V 0.03A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/355
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-SMD, No Lead
• 供應商設備包裝: 6-SMD

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JANTXV2N3810

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/336
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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JANTXV2N3810L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 60V 0.05A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/336
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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JANTXV2N3810U

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 60V 0.05A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/336
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 150 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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JANTXV2N3811

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 60V 0.05A TO78

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/336
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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JANTXV2N3811L

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 60V 0.05A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/336
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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JANTXV2N3811U

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 60V 0.05A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/336
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 350mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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JANTXV2N5794

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 40V 0.6A TO-78

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/495
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 900mV @ 30mA, 300mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 600mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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JANTXV2N6987

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/558
• 晶體管類型: 4 PNP (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: -

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JANTXV2N6988

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4PNP 60V 0.6A

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/558
• 晶體管類型: 4 PNP (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 14-Flatpack
• 供應商設備包裝: 14-Flatpack

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JANTXV2N6989

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/559
• 晶體管類型: 4 NPN (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 1.5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: TO-116

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JANTXV2N6990

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN 50V 0.8A 14PIN

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: Military, MIL-PRF-19500/559
• 晶體管類型: 4 NPN (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 14-Flatpack
• 供應商設備包裝: 14-Flatpack

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L603C

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 8NPN DARL 90V 0.4A 18DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 8 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 90V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 500µA, 300mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 1.8W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -25°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: 18-DIP

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L604C

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 8NPN DARL 90V 0.4A 18DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 8 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 400mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 90V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 500µA, 300mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 1.8W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -25°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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L6221AD

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 1.8A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• 供應商設備包裝: 20-SO

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L6221AD013TR

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 20SOIC

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 1.8A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• 供應商設備包裝: 20-SO

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L6221AS

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 50V 1.8A 16DIP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 1.8A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: 16-PowerDIP

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L6221CD

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 60V 1.2A 20SOIC

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• 供應商設備包裝: 20-SO

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L6221CD013TR

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 60V 1.2A 20SOIC

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1.2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• 供應商設備包裝: 20-SO

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LBN150B01-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT26

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 360mV @ 20mA, 200mA / 500mV @ 20mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 100mA, 1V / 32 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 300mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6
• 供應商設備包裝: SOT-26

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LBN150B02-7

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-陣列

MOSFET ARRAY SMD

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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LM394CH/NOPB

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 20V 0.02A TO99-6

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -25°C ~ 85°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-99-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-99-6

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MAT01AH

Analog Devices

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6

• 制造商: Analog Devices Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual) Matched Pair
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 800mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 300nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 450MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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MAT01AHZ

Analog Devices

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6

• 制造商: Analog Devices Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual) Matched Pair
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 800mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 300nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 450MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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MAT01GH

Analog Devices

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6

• 制造商: Analog Devices Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual) Matched Pair
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 800mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 400nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 450MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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MAT01GHZ

Analog Devices

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 45V 0.025A TO78-6

• 制造商: Analog Devices Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual) Matched Pair
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 800mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 400nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 450MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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MAT03EH

Analog Devices

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6

• 制造商: Analog Devices Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 36V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 190MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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MAT03EHZ

Analog Devices

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6

• 制造商: Analog Devices Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 36V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 190MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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MAT03FH

Analog Devices

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6

• 制造商: Analog Devices Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 36V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 190MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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