晶體管

MAT03FHZ

Analog Devices

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 36V 0.02A TO78-6

• 制造商: Analog Devices Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 36V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 190MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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MAT12AHZ

Analog Devices

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 40V 0.02A TO78-6

• 制造商: Analog Devices Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual) Matched Pair
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500pA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-78-6 Metal Can
• 供應商設備包裝: TO-78-6

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MAT14ARZ

Analog Devices

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN 40V 0.03A 14SO

• 制造商: Analog Devices Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN (Quad) Matched Pairs
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 60mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 3nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 14-SO

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MAT14ARZ-R7

Analog Devices

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN 40V 0.03A 14SO

• 制造商: Analog Devices Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN (Quad) Matched Pairs
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 60mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 3nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 14-SO

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MAT14ARZ-RL

Analog Devices

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN 40V 0.03A 14SO

• 制造商: Analog Devices Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN (Quad) Matched Pairs
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 60mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 3nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 14-SO

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MBT2222ADW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 10nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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MBT3904DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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MBT3904DW1T1H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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MBT3904DW1T3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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MBT3904DW2T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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MBT3904DW2T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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MBT3906DW1T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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MBT3906DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 40V 0.2A SC88

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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MBT3906DW1T2G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 40V 0.2A SC88

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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MBT3946DW1T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 300MHz, 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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MBT3946DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 300MHz, 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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MBT3946DW1T2G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 300MHz, 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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MBT6429DW1T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 45V 0.2A SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 100µA, 5V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 700MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

加入購物車更新到購物車

MBT6429DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 45V 0.2A SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 100µA, 5V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 700MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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MC1413BD

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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MC1413BDG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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MC1413BDR2

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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MC1413BDR2G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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MC1413BPG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-PDIP

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MC1413DG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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MC1413DR2

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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MC1413DR2G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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MC1413PG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-PDIP

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MCH5541-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 30V 0.7A 6MCPH

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP (Emitter Coupled)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 700mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 190mV @ 10mA, 200mA / 220mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 50mA, 2V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 540MHZ, 520MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
• 供應商設備包裝: 5-MCPH

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MCH6001-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 8V 0.15A 6MCPH

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 8V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 1µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 50mA, 5V
• 功率-最大: 600mW
• 頻率-過渡: 16GHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
• 供應商設備包裝: 6-MCPH

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