晶體管

SBC847BDW1T3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 380mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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SBC847BPDW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT-363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 380mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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SBC847BPDW1T3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT-363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 380mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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SBC847BPDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT-363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 357mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SOT-563

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SBC847CDW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT-363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 380mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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SBC847CDXV6T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT-563

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SOT-563

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SBC856BDW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 220 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 380mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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SBC856BDW1T3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT-363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 220 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 380mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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SBC857BDW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT-363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 220 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 380mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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SBC857CDW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT-363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 45V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 15nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 420 @ 2mA, 5V
• 功率-最大: 380mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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SCH2202-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 15V 0.6A 6SCH

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 10mA, 200mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 10mA, 2V
• 功率-最大: 400mW
• 頻率-過渡: 330MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
• 供應商設備包裝: 6-SCH

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SG2003J

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-CDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-CDIP

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SG2003J-883B

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-CDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-CDIP

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SG2003J-JAN

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-CDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-CDIP

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SG2013J-883B

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 600mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.9V @ 600µA, 500mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 900 @ 500mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: 16-CDIP

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SG2023J-883B

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 95V 0.5A 16JDIP

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 95V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: 16-CDIP

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SG2023J-DESC

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 95V 0.5A 16DIP

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 95V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-CDIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-CDIP

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SG2803J-883B

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: 8 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: 18-CDIP

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SG2803J-DESC

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: 8 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 125°C (TA)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: 18-CDIP

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SG2823J

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: 8 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 95V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: 18-CDIP

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SG2823J-883B

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: 8 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 95V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: 18-CDIP

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SG2823J-DESC

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 8NPN DARL 95V 0.5A 18DIP

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: 8 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 95V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 350mA, 2V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: 18-CDIP

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SHN1B01FDW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 2µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 2mA, 6V
• 功率-最大: 380mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SC-74

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SLA4030

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 100V 4A 12SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 10mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 2A, 4V
• 功率-最大: 5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 12-SIP
• 供應商設備包裝: 12-SIP w/fin

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SLA4031

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 120V 4A 12SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 2mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 2A, 2V
• 功率-最大: 5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 12-SIP
• 供應商設備包裝: 12-SIP w/fin

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SLA4036

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 120V 2A 12SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads
• 供應商設備包裝: 15-ZIP

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SLA4041

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 200V 3A 12SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 200V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 3mA, 1.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 1.5A, 4V
• 功率-最大: 5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 12-SIP
• 供應商設備包裝: 12-SIP w/fin

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SLA4051

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 9NPN DARL 120V 2A 21SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 9 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 2A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 21-SSIP
• 供應商設備包裝: 21-SIP w/fin

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SLA4052

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 9NPN DARL 120V 3A 21SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 9 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 21-SSIP
• 供應商設備包裝: 21-SIP w/fin

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SLA4060

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 4NPN DARL 120V 5A 12SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 4 NPN Darlington (Quad)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 120V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 10µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 2000 @ 3A, 2V
• 功率-最大: 5W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 12-SIP
• 供應商設備包裝: 12-SIP w/fin

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