晶體管

SMBT3906SH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 330mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: PG-SOT363-6

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SMBT3906UE6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 40V 0.2A SC74-6

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 50nA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 330mW
• 頻率-過渡: 250MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: PG-SC74-6

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SMBT3946DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SC88

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 150mW
• 頻率-過渡: 300MHz, 250MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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SMBTA06UPNE6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 80V 0.5A SC-74

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN, PNP
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 80V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 100mA, 1V
• 功率-最大: 330mW
• 頻率-過渡: 100MHz
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: PG-SC74-6

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SMUN5111DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 50V 0.1A SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300nA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
• 功率-最大: 385mW
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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SN75468D

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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SN75468DE4

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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SN75468DR

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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SN75468N

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A DIP

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-PDIP

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SN75468NG4

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A DIP

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-PDIP

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SN75468NSR

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SO

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SN75468NSRG4

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SO

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SN75469D

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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SN75469DR

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SOIC

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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SN75469N

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A DIP

• 制造商:
• 系列: -
• 晶體管類型: 7 NPN Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-PDIP

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SNST3904DXV6T5G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 1V
• 功率-最大: 500mW
• 頻率-過渡: 300MHz
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: SOT-563

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SSM2212CPZ-R7

Analog Devices

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 40V 0.02A 16WLCSP

• 制造商: Analog Devices Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 1mA, 15V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-WFQFN Exposed Pad, CSP
• 供應商設備包裝: 16-LFCSP-WQ (3x3)

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SSM2212CPZ-RL

Analog Devices

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 40V 0.02A 16WLCSP

• 制造商: Analog Devices Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 1mA, 15V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-WFQFN Exposed Pad, CSP
• 供應商設備包裝: 16-LFCSP-WQ (3x3)

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SSM2212RZ

Analog Devices

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC

• 制造商: Analog Devices Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual) Matched Pair
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500pA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOIC

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SSM2212RZ-R7

Analog Devices

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC

• 制造商: Analog Devices Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual) Matched Pair
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500pA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOIC

加入購物車更新到購物車

SSM2212RZ-RL

Analog Devices

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2NPN 40V 0.02A 8SOIC

• 制造商: Analog Devices Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual) Matched Pair
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 40V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 200mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500pA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: 200MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOIC

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SSM2220PZ

Analog Devices

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 36V 0.02A 8DIP

• 制造商: Analog Devices Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual) Matched Pair
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 36V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: 190MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 8-PDIP

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SSM2220S

Analog Devices

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 36V 0.02A 8SOIC

• 制造商: Analog Devices Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual) Matched Pair
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 36V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: 190MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOIC

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SSM2220SZ

Analog Devices

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 36V 0.02A 8SOIC

• 制造商: Analog Devices Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual) Matched Pair
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 36V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 1mA, 36V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOIC

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SSM2220SZ-REEL

Analog Devices

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 2PNP 36V 0.02A 8SOIC

• 制造商: Analog Devices Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual) Matched Pair
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 36V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 1mA, 36V
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOIC

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SSM6G18NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH + SBD V

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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SSVBC846BPDW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS NPN/PNP 65V SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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STA301A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 3NPN DARL 60V 4A 8-SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 3 NPN Darlington (Emitter Coupled)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 10mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 3W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 8-SIP
• 供應商設備包裝: 8-SIP

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STA302A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 3PNP DARL 50V 4A 8SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 3 PNP Darlington (Emitter Coupled)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 10mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 3A, 4V
• 功率-最大: 3W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 8-SIP
• 供應商設備包裝: 8-SIP

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STA303A

Sanken

晶體管-雙極（BJT）-陣列

TRANS 3NPN DARL 100V 4A 8-SIP

• 制造商: Sanken
• 系列: -
• 晶體管類型: 3 NPN Darlington (Emitter Coupled)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 100V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 10mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 1000 @ 2A, 4V
• 功率-最大: 3W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 8-SIP
• 供應商設備包裝: 8-SIP

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