晶體管

FMC6AT148

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74A

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 100kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 250µA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMT5

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FMG11AT148

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMT5

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FMG1AT148

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMT5

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FMG2AT148

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMT5

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FMG3AT148

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMT5

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FMG4AT148

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMT5

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FMG5AT148

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMT5

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FMG6AT148

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMT5

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FMG8AT148

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMT5

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FMG9AT148

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMT5

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FMG9AT248

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74A, SOT-753
• 供應商設備包裝: SMT5

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HD1A3M(0)-T1-AZ

Renesas Electronics America

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANSISTOR NPN SC62-3

• 制造商: Renesas Electronics America
• 系列: HD1
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 60V
• 電阻-基本（R1）: 1kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 1kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1A, 2V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 2W
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-243AA
• 供應商設備包裝: SC-62

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IMB10AT110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMB11AT110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMB1AT110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMB2AT110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMB3AT110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMB4AT110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMB5AT108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMB7AT108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-457
• 供應商設備包裝: SOT-457

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IMB9AT110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 68 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMD10AMT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 13kOhms, 130Ohms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 285mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• 供應商設備包裝: SC-74R

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IMD10AT108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms, 100Ohms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz, 200MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMD14T108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 220Ohms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 82 @ 100mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMD16AT108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 100kOhms, 2.2kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V / 82 @ 50mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100µA, 1mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMD1AT108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMD23T108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA, 500mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1kOhms, 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms, 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 50mA, 5V, 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 50mA, 2.5mA, 300mV @ 10mA, 500µA
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: 200MHz, 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMD2AT108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 56 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMD3AT108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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IMD6AT108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

• 制造商: Rohm Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 300mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-74, SOT-457
• 供應商設備包裝: SMT6

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