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晶體管

記錄 64,903
頁面 66/2164
圖片
型號
描述
庫存
數量
IMD8AT108
IMD8AT108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-74, SOT-457
  • 供應商設備包裝: SMT6
庫存7,398
IMD9AT108
IMD9AT108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-74, SOT-457
  • 供應商設備包裝: SMT6
庫存6,786
IMH10AT110
IMH10AT110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 10mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-74, SOT-457
  • 供應商設備包裝: SMT6
庫存8,244
IMH11AT110
IMH11AT110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-74, SOT-457
  • 供應商設備包裝: SMT6
庫存23,856
IMH14AT108
IMH14AT108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-74, SOT-457
  • 供應商設備包裝: SMT6
庫存6,858
IMH15AT110
IMH15AT110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-74, SOT-457
  • 供應商設備包裝: SMT6
庫存6,750
IMH1AT110
IMH1AT110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-74, SOT-457
  • 供應商設備包裝: SMT6
庫存22,074
IMH20TR1
IMH20TR1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SC74R

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 15V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 供應商設備包裝: SC-74R
庫存4,860
IMH20TR1G
IMH20TR1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SC74R

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 15V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 80mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • 供應商設備包裝: SC-74R
庫存5,400
IMH21T110
IMH21T110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 20V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 820 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 150MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-74, SOT-457
  • 供應商設備包裝: SMT6
庫存3,456
IMH23T110
IMH23T110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 20V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 820 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 150MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-74, SOT-457
  • 供應商設備包裝: SMT6
庫存6,894
IMH24T110
IMH24T110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS 2NPN 20V SC74

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 600mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 20V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 820 @ 50mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 150mV @ 50mA, 2.5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 150MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-74, SOT-457
  • 供應商設備包裝: SMT6
庫存6,858
IMH2AT110
IMH2AT110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-74, SOT-457
  • 供應商設備包裝: SMT6
庫存7,812
IMH3AT110
IMH3AT110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-74, SOT-457
  • 供應商設備包裝: SMT6
庫存4,428
IMH4AT110
IMH4AT110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA (ICBO)
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-74, SOT-457
  • 供應商設備包裝: SMT6
庫存3,024
IMH5AT108
IMH5AT108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 56 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-74, SOT-457
  • 供應商設備包裝: SMT6
庫存7,542
IMH6AT108
IMH6AT108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-74, SOT-457
  • 供應商設備包裝: SMT6
庫存3,780
IMH8AT108
IMH8AT108

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-74, SOT-457
  • 供應商設備包裝: SMT6
庫存23,820
IMH9AT110
IMH9AT110

Rohm Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

  • 制造商: Rohm Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 68 @ 5mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz
  • 功率-最大: 300mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-74, SOT-457
  • 供應商設備包裝: SMT6
庫存25,518
MIMD10A-7-F
MIMD10A-7-F

Diodes Incorporated

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA, 500mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 100Ohms, 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 100 @ 1mA, 5V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 250MHz, 200MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: SOT-363
庫存6,408
MUN5111DW1T1G
MUN5111DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363
庫存86,454
MUN5112DW1T1G
MUN5112DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363
庫存8,118
MUN5113DW1T1G
MUN5113DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363
庫存7,434
MUN5114DW1T1
MUN5114DW1T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363
庫存3,798
MUN5114DW1T1G
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ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363
庫存25,566
MUN5115DW1T1G
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ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363
庫存45,726
MUN5116DW1T1
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ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363
庫存5,490
MUN5116DW1T1G
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ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363
庫存90,978
MUN5130DW1T1G
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ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 1kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 3 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363
庫存3,564
MUN5131DW1T1G
MUN5131DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 2.2kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 8 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 250mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363
庫存7,956