晶體管

型號	描述	庫存
MUN5236DW1T1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存3,942
MUN5236DW1T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存8,316
MUN5237DW1T1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存4,482
MUN5311DW1T1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存3,474
MUN5311DW1T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存641,718
MUN5311DW1T2G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存102,354
MUN5312DW1T1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存5,364
MUN5312DW1T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存324,684
MUN5312DW1T2G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 385mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存7,848
MUN5313DW1T1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存4,032
MUN5313DW1T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存99,756
MUN5314DW1T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存1,818,090
MUN5315DW1T1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存7,920
MUN5315DW1T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存47,754
MUN5316DW1T1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存2,610
MUN5316DW1T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存43,422
MUN5330DW1T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 1kOhms 電阻-發射極基（R2）: 1kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 3 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存23,394
MUN5331DW1T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 2.2kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 8 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存2,610
MUN5332DW1T1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存7,020
MUN5332DW1T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存3,492
MUN5333DW1T1 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存2,286
MUN5333DW1T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存121,818
MUN5334DW1T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存2,100
MUN5335DW1T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存1,521,402
MUN5335DW1T2G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存48,912
MUN5336DW1T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PMP BRT SC70-6 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363	庫存149,844
NP043A200A Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz 功率-最大: 125mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-963 供應商設備包裝: SSSMini6-F1	庫存96,042
NP043A300A Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 150MHz, 80MHz 功率-最大: 125mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-963 供應商設備包裝: SSSMini6-F1	庫存2,124
NP061A300A Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS DUAL PNP SSSMINI6 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 80MHz 功率-最大: 125mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-963 供應商設備包裝: SSSMini6-F1	庫存3,024
NP061A500A Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS PREBIAS DUAL PNP SSSMINI6 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 80MHz 功率-最大: 125mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-963 供應商設備包裝: SSSMini6-F1	庫存3,870

MUN5236DW1T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存3,942

MUN5236DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存8,316

MUN5237DW1T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存4,482

MUN5311DW1T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存3,474

MUN5311DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存641,718

MUN5311DW1T2G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存102,354

MUN5312DW1T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存5,364

MUN5312DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存324,684

MUN5312DW1T2G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 385mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存7,848

MUN5313DW1T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存4,032

MUN5313DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存99,756

MUN5314DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存1,818,090

MUN5315DW1T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存7,920

MUN5315DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存47,754

MUN5316DW1T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存2,610

MUN5316DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存43,422

MUN5330DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 1kOhms
電阻-發射極基（R2）: 1kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 3 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存23,394

MUN5331DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 2.2kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 8 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存2,610

MUN5332DW1T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存7,020

MUN5332DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存3,492

MUN5333DW1T1

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存2,286

MUN5333DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存121,818

MUN5334DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存2,100

MUN5335DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存1,521,402

MUN5335DW1T2G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存48,912

MUN5336DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PMP BRT SC70-6

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

庫存149,844

NP043A200A

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
功率-最大: 125mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-963
供應商設備包裝: SSSMini6-F1

庫存96,042

NP043A300A

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS NPN/PNP SSSMINI6

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 150MHz, 80MHz
功率-最大: 125mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-963
供應商設備包裝: SSSMini6-F1

庫存2,124

NP061A300A

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP SSSMINI6

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 80MHz
功率-最大: 125mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-963
供應商設備包裝: SSSMini6-F1

庫存3,024

NP061A500A

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP SSSMINI6

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 80MHz
功率-最大: 125mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-963
供應商設備包裝: SSSMini6-F1

庫存3,870

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