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晶體管

記錄 64,903
頁面 706/2164
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型號
描述
庫存
數量
SMUN5112T1G
SMUN5112T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存52,254
SMUN5113T1G
SMUN5113T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存153,126
SMUN5114T1G
SMUN5114T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存48,162
SMUN5114T3G
SMUN5114T3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存3,168
SMUN5115T1G
SMUN5115T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS DUAL PNP SC70

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存2,142
SMUN5133T1G
SMUN5133T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存26,250
SMUN5211T1G
SMUN5211T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存657,858
SMUN5211T3G
SMUN5211T3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存6,930
SMUN5212T1G
SMUN5212T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存75,972
SMUN5213T1G
SMUN5213T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存84,648
SMUN5214T1G
SMUN5214T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存2,538
SMUN5215T1G
SMUN5215T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存3,096
SMUN5232T1G
SMUN5232T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 4.7 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 15 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 230mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存7,308
SMUN5233T1G
SMUN5233T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.202W SOT-323

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存70,482
SMUN5235T1G
SMUN5235T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3

  • 制造商: ON Semiconductor
  • 系列: -
  • 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 2.2 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: 202mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
  • 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)
庫存53,550
TDTA114Y,LM
TDTA114Y,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

X34 PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 電阻-基本(R1): -
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存50,238
TDTC114E,LM
TDTC114E,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

X34 PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN

  • 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 系列: *
  • 晶體管類型: -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 電阻-基本(R1): -
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: -
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 頻率-過渡: -
  • 功率-最大: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存25,866
UNR211000L
UNR211000L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 80MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: Mini3-G1
庫存22,602
UNR211100L
UNR211100L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 35 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 80MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: Mini3-G1
庫存2,322
UNR211200L
UNR211200L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 80MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: Mini3-G1
庫存7,254
UNR211300L
UNR211300L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 80MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: Mini3-G1
庫存54,486
UNR211400L
UNR211400L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 47 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 150MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: Mini3-G1
庫存6,012
UNR211500L
UNR211500L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 10 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 80MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: Mini3-G1
庫存2,844
UNR211600L
UNR211600L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 80MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: Mini3-G1
庫存3,636
UNR211700L
UNR211700L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 22 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): -
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 80MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: Mini3-G1
庫存6,606
UNR211800L
UNR211800L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 510 Ohms
  • 電阻-發射極基(R2): 5.1 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 20 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 80MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: Mini3-G1
庫存7,020
UNR211900L
UNR211900L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 1 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 150MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: Mini3-G1
庫存5,562
UNR211D00L
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Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 80MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: Mini3-G1
庫存3,456
UNR211E00L
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Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 47 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 22 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 150MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: Mini3-G1
庫存115,386
UNR211F00L
UNR211F00L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100mA
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 50V
  • 電阻-基本(R1): 4.7 kOhms
  • 電阻-發射極基(R2): 10 kOhms
  • 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce: 30 @ 5mA, 10V
  • Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • 當前-集電極截止(最大值): 500nA
  • 頻率-過渡: 150MHz
  • 功率-最大: 200mW
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供應商設備包裝: Mini3-G1
庫存7,092