晶體管

型號	描述	庫存
RN2113,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 PNP BRT Q1BSR47KOHM Q1BERINFINIT 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,534
RN2114MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VESM	庫存4,788
RN2114(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SSM	庫存26,196
RN2115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SSM	庫存8,712
RN2115MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VESM	庫存2,628
RN2116,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SSM	庫存3,186
RN2117MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VESM	庫存6,804
RN2117(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SSM	庫存8,856
RN2118MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VESM	庫存3,096
RN2118(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SSM	庫存6,624
RN2119MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VESM	庫存8,262
RN2130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 100 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: VESM	庫存6,264
RN2301,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存7,452
RN2302,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存5,562
RN2303,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANSISTOR PNP BRT Q1BSR22KOHM Q 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,496
RN2303(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存25,176
RN2304(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存7,182
RN2305(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存7,020
RN2306,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存3,150
RN2307(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存7,236
RN2308(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存6,516
RN2309(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存5,310
RN2310,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存2,196
RN2310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存2,736
RN2311(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存8,442
RN2312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存27,600
RN2313(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存6,084
RN2314(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存2,286
RN2315TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.1W SC-70 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存29,658
RN2316(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: USM	庫存8,010

RN2113,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP BRT Q1BSR47KOHM Q1BERINFINIT

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,534

RN2114MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VESM

庫存4,788

RN2114(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SSM

庫存26,196

RN2115,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SSM

庫存8,712

RN2115MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VESM

庫存2,628

RN2116,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SSM

庫存3,186

RN2117MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VESM

庫存6,804

RN2117(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SSM

庫存8,856

RN2118MFV(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VESM

庫存3,096

RN2118(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SSM

庫存6,624

RN2119MFV(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VESM

庫存8,262

RN2130MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 100 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 100 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: VESM

庫存6,264

RN2301,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存7,452

RN2302,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存5,562

RN2303,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANSISTOR PNP BRT Q1BSR22KOHM Q

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,496

RN2303(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存25,176

RN2304(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存7,182

RN2305(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存7,020

RN2306,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存3,150

RN2307(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存7,236

RN2308(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存6,516

RN2309(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存5,310

RN2310,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存2,196

RN2310(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存2,736

RN2311(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存8,442

RN2312(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存27,600

RN2313(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存6,084

RN2314(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存2,286

RN2315TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W SC-70

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存29,658

RN2316(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: USM

庫存8,010

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