晶體管

型號	描述	庫存
SMMUN2114LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存45,750
SMMUN2116LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存4,230
SMMUN2116LT3G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存3,762
SMMUN2134LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存128,790
SMMUN2211LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存1,049,670
SMMUN2211LT3G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存94,392
SMMUN2213LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存143,766
SMMUN2213LT3G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存3,490
SMMUN2214LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23	庫存153,102
SMMUN2215LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存4,806
SMMUN2216LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存57,342
SMMUN2216LT3G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236, SC-59, SOT-23-3 variant, 3-SMD 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存5,346
SMMUN2233LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存261,744
SMMUN2234LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存2,610
SMMUN2238LT1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 246mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存4,176
SMUN2111T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59	庫存23,304
SMUN2111T3G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59	庫存4,536
SMUN2113T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59	庫存28,488
SMUN2114T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59	庫存92,304
SMUN2211T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59	庫存8,820
SMUN2211T3G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59	庫存8,478
SMUN2212T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59	庫存7,722
SMUN2213T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59	庫存46,230
SMUN2214T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59	庫存25,746
SMUN2214T3G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59	庫存2,646
SMUN2216T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59	庫存44,646
SMUN2230T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 1 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 3 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59	庫存2,412
SMUN2232T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59	庫存112,266
SMUN2240T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 230mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59	庫存4,122
SMUN5111T1G ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: - 功率-最大: 202mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)	庫存641,466

SMMUN2114LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存45,750

SMMUN2116LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存4,230

SMMUN2116LT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存3,762

SMMUN2134LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存128,790

SMMUN2211LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存1,049,670

SMMUN2211LT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存94,392

SMMUN2213LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存143,766

SMMUN2213LT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存3,490

SMMUN2214LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23

庫存153,102

SMMUN2215LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存4,806

SMMUN2216LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存57,342

SMMUN2216LT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236, SC-59, SOT-23-3 variant, 3-SMD
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存5,346

SMMUN2233LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存261,744

SMMUN2234LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存2,610

SMMUN2238LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 246mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存4,176

SMUN2111T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59

庫存23,304

SMUN2111T3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59

庫存4,536

SMUN2113T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59

庫存28,488

SMUN2114T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59

庫存92,304

SMUN2211T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59

庫存8,820

SMUN2211T3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59

庫存8,478

SMUN2212T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59

庫存7,722

SMUN2213T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59

庫存46,230

SMUN2214T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59

庫存25,746

SMUN2214T3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59

庫存2,646

SMUN2216T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59

庫存44,646

SMUN2230T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 1 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 3 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59

庫存2,412

SMUN2232T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59

庫存112,266

SMUN2240T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 230mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59

庫存4,122

SMUN5111T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: -
功率-最大: 202mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70-3 (SOT323)

庫存641,466

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