晶體管

RN2317(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: USM

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RN2318(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-70, SOT-323
• 供應商設備包裝: USM

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RN2401,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

X34 PB-F S-MINI PLN (LF) TRANSIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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RN2402,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

X34 PB-F S-MINI PLN (LF) TRANSIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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RN2402S,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.2W S-MINI

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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RN2402S,LF(D

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.2W S-MINI

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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RN2403,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

X34 PB-F S-MINI PLN (LF) TRANSIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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RN2404,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 50V TO236-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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RN2404TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.2W S-MINI

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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RN2405,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

X34 PB-F S-MINI PLN (LF) TRANSIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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RN2406,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANSISTOR PNP BRT Q1BSR4.7KOHM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN2409,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W SMINI

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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RN2411,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINFINIT

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN2412TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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RN2413TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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RN2416,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER10KOHM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN2418,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP BRT Q1BSR47KOHM Q1BER10KOHM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN2421(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 50V TO236-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 1 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 100mA, 1V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 2mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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RN2422TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 2.2 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 65 @ 100mA, 1V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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RN2425(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANSISTOR PNP BRT Q1BSR0.47KOHM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN2426(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANSISTOR PNP BRT Q1BSR1KOHM Q1

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN2427TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 800mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 100mA, 1V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: S-Mini

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SDTA114YET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.2W SC75-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416

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SDTC114EET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416

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SDTC114YET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75-3

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416

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SDTC124EET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416

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SDTC144EET1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SC-75, SOT-416

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SMMUN2111LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 246mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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SMMUN2111LT3G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT-23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 246mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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SMMUN2113LT1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 246mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

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