晶體管

RN2704,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN2705JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-553
• 供應商設備包裝: ESV

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RN2705,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PNPX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN2706JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-553
• 供應商設備包裝: ESV

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RN2706,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN2707JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-553
• 供應商設備包裝: ESV

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RN2707,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN2708JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-553
• 供應商設備包裝: ESV

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RN2708,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN2709JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-553
• 供應商設備包裝: ESV

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RN2709,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN2710JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-553
• 供應商設備包裝: ESV

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RN2710,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN2711JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-553
• 供應商設備包裝: ESV

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RN2711(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 400 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
• 供應商設備包裝: USV

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RN2712JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-553
• 供應商設備包裝: ESV

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RN2713JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-553
• 供應商設備包裝: ESV

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RN2714,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PNPX2 BRT Q1BSR1KOHM Q1BER10KOHM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN2901FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: ES6

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RN2901,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN2901(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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RN2902FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: ES6

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RN2902FE(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: ES6

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RN2902,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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RN2902,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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RN2902(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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RN2903FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: ES6

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RN2903,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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RN2903,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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RN2904FE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: ES6

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