晶體管

型號	描述	庫存
RN2904FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存6,894
RN2904,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存2,826
RN2904,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存6,876
RN2904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存6,768
RN2905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存5,292
RN2905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存5,976
RN2906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,470
RN2906FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存6,318
RN2906,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存24,924
RN2906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存6,516
RN2907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存29,130
RN2907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,538
RN2907(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存8,586
RN2908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存29,316
RN2908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,860
RN2908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存8,226
RN2909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存33,522
RN2909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,374
RN2909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存7,524
RN2910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存31,836
RN2910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF. 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,356
RN2910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存6,102
RN2911FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存8,604
RN2911,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存23,004
RN2911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存7,362
RN2961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存5,886
RN2961(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存5,112
RN2962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 1kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存4,644
RN2962(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 1kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存2,664
RN2963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存5,994

RN2904FE(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存6,894

RN2904,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存2,826

RN2904,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存6,876

RN2904(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存6,768

RN2905FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存5,292

RN2905,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存5,976

RN2906FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,470

RN2906FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存6,318

RN2906,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存24,924

RN2906(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存6,516

RN2907FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存29,130

RN2907,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,538

RN2907(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存8,586

RN2908FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存29,316

RN2908,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,860

RN2908(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存8,226

RN2909FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存33,522

RN2909,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,374

RN2909(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存7,524

RN2910FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存31,836

RN2910,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,356

RN2910(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存6,102

RN2911FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存8,604

RN2911,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存23,004

RN2911(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存7,362

RN2961FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存5,886

RN2961(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存5,112

RN2962FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 1kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存4,644

RN2962(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 1kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存2,664

RN2963FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存5,994

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