晶體管

型號	描述	庫存
RN2963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存7,812
RN2964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存3,690
RN2964(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存6,444
RN2965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存6,300
RN2965(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存7,542
RN2966FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存5,868
RN2967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存8,478
RN2967(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: US6	庫存27,612
RN2968FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存8,442
RN2969FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存5,256
RN2969(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: US6	庫存23,262
RN2970FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存4,572
RN2971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存5,814
RN2971(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存23,550
RN4601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74, SOT-457 供應商設備包裝: SM6	庫存5,328
RN4602TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74, SOT-457 供應商設備包裝: SM6	庫存3,598
RN4603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz, 250MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74, SOT-457 供應商設備包裝: SM6	庫存8,658
RN4604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74, SOT-457 供應商設備包裝: SM6	庫存2,898
RN4605(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74, SOT-457 供應商設備包裝: SM6	庫存6,462
RN4606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz, 250MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74, SOT-457 供應商設備包裝: SM6	庫存4,860
RN4607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74, SOT-457 供應商設備包裝: SM6	庫存27,060
RN4608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74, SOT-457 供應商設備包裝: SM6	庫存7,902
RN4609(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74, SOT-457 供應商設備包裝: SM6	庫存8,208
RN4610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74, SOT-457 供應商設備包裝: SM6	庫存24,666
RN4611(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 200MHz 功率-最大: 300mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74, SOT-457 供應商設備包裝: SM6	庫存26,688
RN4901FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存7,200
RN4901,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz, 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存7,146
RN4901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz, 200MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存2,376
RN4901(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 200MHz, 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存3,762
RN4902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz, 200MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存29,352

RN2963(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存7,812

RN2964FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存3,690

RN2964(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存6,444

RN2965FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存6,300

RN2965(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存7,542

RN2966FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存5,868

RN2967FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存8,478

RN2967(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: US6

庫存27,612

RN2968FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存8,442

RN2969FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存5,256

RN2969(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: US6

庫存23,262

RN2970FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存4,572

RN2971FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存5,814

RN2971(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存23,550

RN4601(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74, SOT-457
供應商設備包裝: SM6

庫存5,328

RN4602TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74, SOT-457
供應商設備包裝: SM6

庫存3,598

RN4603(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz, 250MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74, SOT-457
供應商設備包裝: SM6

庫存8,658

RN4604(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74, SOT-457
供應商設備包裝: SM6

庫存2,898

RN4605(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74, SOT-457
供應商設備包裝: SM6

庫存6,462

RN4606(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz, 250MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74, SOT-457
供應商設備包裝: SM6

庫存4,860

RN4607(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74, SOT-457
供應商設備包裝: SM6

庫存27,060

RN4608(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74, SOT-457
供應商設備包裝: SM6

庫存7,902

RN4609(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74, SOT-457
供應商設備包裝: SM6

庫存8,208

RN4610(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74, SOT-457
供應商設備包裝: SM6

庫存24,666

RN4611(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 200MHz
功率-最大: 300mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74, SOT-457
供應商設備包裝: SM6

庫存26,688

RN4901FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存7,200

RN4901,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz, 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存7,146

RN4901,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz, 200MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存2,376

RN4901(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 200MHz, 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存3,762

RN4902FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz, 200MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存29,352

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