晶體管

型號	描述	庫存
RN1906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存3,438
RN1907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存8,460
RN1907,LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存5,472
RN1907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 500nA 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存4,356
RN1908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存2,088
RN1908,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,622
RN1908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存7,092
RN1909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存6,822
RN1909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,804
RN1909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存4,176
RN1910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存27,624
RN1910FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存5,058
RN1910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存6,930
RN1911FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存28,188
RN1911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: * 晶體管類型: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: - 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: - 當前-集電極截止（最大值）: - 頻率-過渡: - 功率-最大: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,580
RN1911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存2,430
RN1961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存8,496
RN1961(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存26,082
RN1962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存2,376
RN1962TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 500mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存5,958
RN1963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存4,698
RN1963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存23,508
RN1964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存2,034
RN1964TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 47kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存7,956
RN1965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存2,772
RN1965(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存3,672
RN1966FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存28,206
RN1967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 10kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存6,012
RN1968FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 100mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: ES6	庫存5,346
RN1968(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: 250MHz 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: US6	庫存23,310

RN1906(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存3,438

RN1907FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存8,460

RN1907,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存5,472

RN1907,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 500nA
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存4,356

RN1908FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存2,088

RN1908,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,622

RN1908(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存7,092

RN1909FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存6,822

RN1909,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,804

RN1909(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存4,176

RN1910FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存27,624

RN1910FE(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存5,058

RN1910,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存6,930

RN1911FETE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存28,188

RN1911,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: *
晶體管類型: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: -
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
當前-集電極截止（最大值）: -
頻率-過渡: -
功率-最大: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,580

RN1911(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存2,430

RN1961FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存8,496

RN1961(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存26,082

RN1962FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存2,376

RN1962TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 500mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存5,958

RN1963FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存4,698

RN1963(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存23,508

RN1964FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存2,034

RN1964TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 47kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存7,956

RN1965FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存2,772

RN1965(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存3,672

RN1966FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存28,206

RN1967FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 10kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存6,012

RN1968FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 100mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: ES6

庫存5,346

RN1968(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: 250MHz
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: US6

庫存23,310

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