晶體管

RN4984FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: ES6

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RN4984,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz, 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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RN4984(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz, 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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RN4985FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN4985,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz, 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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RN4986FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz, 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: ES6

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RN4986(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz, 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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RN4987FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz, 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: ES6

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RN4987,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 250MHz, 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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RN4988FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

NPN + PNP BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN4988(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz, 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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RN4989FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

NPN + PNP BRT Q1BSR47KOHM Q1BER2

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN4989(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz, 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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RN4990FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz, 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
• 供應商設備包裝: ES6

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RN4990(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz, 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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RN4991FE,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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RN4991(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz, 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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RN49A1(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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RN49A2,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA (ICBO)
• 頻率-過渡: 250MHz, 200MHz
• 功率-最大: 200mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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SMUN5112DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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SMUN5113DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 187mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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SMUN5114DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 187mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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SMUN5115DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 187mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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SMUN5116DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 187mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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SMUN5131DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 50V SC88

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 2.2kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 2.2kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 8 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 250mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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SMUN5211DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 10kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 35 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 187mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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SMUN5213DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 187mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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SMUN5214DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 187mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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SMUN5216DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 160 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 187mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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SMUN5230DW1T1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-陣列，預偏置

TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 1kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 1kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 3 @ 5mA, 10V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 187mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: SC-88/SC70-6/SOT-363

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