晶體管

型號	描述	庫存
CSD18540Q5B Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4230pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 195W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存535,422
CSD18540Q5BT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4230pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 195W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存115,392
CSD18541F5 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 777pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存312,594
CSD18541F5T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 777pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存13,986
CSD18542KCS Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5070pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 200W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存8,964
CSD18542KTT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5070pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3 包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	庫存97,782
CSD18542KTTT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta), 170A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5070pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3 包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	庫存12,996
CSD18543Q3A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 60V N CH MOSFET 制造商: 系列: * FET類型: - 技術: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - FET功能: - 功耗（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存7,848
CSD18543Q3AT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.6mOhm @ 12A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1150pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 66W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存297,648
CSD18563Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 100A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 116W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存55,170
CSD18563Q5AT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 60V 100A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 30V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 116W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存112,854
CSD19501KCS Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 100A TO220 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3980pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 217W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存12,738
CSD19502Q5B Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 100A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.1mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4870pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 195W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存81,570
CSD19502Q5BT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.1mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4870pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 195W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存22,842
CSD19503KCS Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 94A TO220-3 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.2mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2730pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 188W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存21,444
CSD19505KCS Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 150A TO-220 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 6V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 76nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7820pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存1,897
CSD19505KTT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 76nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7920pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3 包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	庫存6,534
CSD19505KTTT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 76nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7920pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3 包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	庫存2,358
CSD19506KCS Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V TO-220-3 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 156nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12200pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存11,487
CSD19506KTT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 156nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12200pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3 包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	庫存7,380
CSD19506KTTT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 IC MOSFET N-CH 80V TO-220 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 156nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12200pF @ 40V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3 包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	庫存6,192
CSD19531KCS Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.7mOhm @ 60A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3870pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 214W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存16,656
CSD19531Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 100A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3870pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存30,148
CSD19531Q5AT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 100A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3870pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存256,044
CSD19532KTT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5060pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3 包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	庫存8,532
CSD19532KTTT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V TO-263-3 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5060pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 250W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3 包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	庫存14,580
CSD19532Q5B Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 100A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4810pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 195W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存19,922
CSD19532Q5BT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 100A VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4810pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 195W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存13,008
CSD19533KCS Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 86A TO220-3 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2670pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 188W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存61,962
CSD19533Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 100A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2670pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存91,338

CSD18540Q5B

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4230pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 195W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存535,422

CSD18540Q5BT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4230pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 195W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存115,392

CSD18541F5

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 777pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存312,594

CSD18541F5T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 2.2A PICOSTAR

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 65mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 777pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存13,986

CSD18542KCS

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 44mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5070pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 200W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存8,964

CSD18542KTT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5070pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3
包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

庫存97,782

CSD18542KTTT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 200A D2PAK

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta), 170A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5070pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3
包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

庫存12,996

CSD18543Q3A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

60V N CH MOSFET

制造商:
系列: *
FET類型: -
技術: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
FET功能: -
功耗（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存7,848

CSD18543Q3AT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

60V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.6mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.5nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1150pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 66W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存297,648

CSD18563Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 100A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 116W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存55,170

CSD18563Q5AT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 100A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.8mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 30V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 116W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存112,854

CSD19501KCS

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 100A TO220

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.6mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3980pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 217W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存12,738

CSD19502Q5B

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 100A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.1mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4870pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 195W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存81,570

CSD19502Q5BT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.1mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4870pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 195W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存22,842

CSD19503KCS

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 94A TO220-3

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.2mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2730pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 188W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存21,444

CSD19505KCS

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 150A TO-220

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 100A, 6V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 76nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7820pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存1,897

CSD19505KTT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 76nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7920pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3
包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

庫存6,534

CSD19505KTTT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 76nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7920pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3
包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

庫存2,358

CSD19506KCS

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V TO-220-3

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 156nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12200pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存11,487

CSD19506KTT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 156nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12200pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3
包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

庫存7,380

CSD19506KTTT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

IC MOSFET N-CH 80V TO-220

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 156nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12200pF @ 40V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3
包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

庫存6,192

CSD19531KCS

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.7mOhm @ 60A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3870pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 214W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存16,656

CSD19531Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3870pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存30,148

CSD19531Q5AT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3870pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.3W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存256,044

CSD19532KTT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5060pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3
包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

庫存8,532

CSD19532KTTT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V TO-263-3

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.6mOhm @ 90A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5060pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 250W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3
包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

庫存14,580

CSD19532Q5B

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4810pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 195W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存19,922

CSD19532Q5BT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.9mOhm @ 17A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4810pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.1W (Ta), 195W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存13,008

CSD19533KCS

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 86A TO220-3

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 10.5mOhm @ 55A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2670pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 188W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存61,962

CSD19533Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2670pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存91,338

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