晶體管

型號	描述	庫存
CSD19533Q5AT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 100A VSONP 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2670pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存21,300
CSD19534KCS Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 100A TO220 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.2nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1670pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 118W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存18,840
CSD19534Q5A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 50 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 63W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存82,956
CSD19534Q5AT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 50 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 63W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存97,080
CSD19535KCS Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V TO-220 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 101nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7930pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存49,992
CSD19535KTT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7930pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3 包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	庫存16,488
CSD19535KTTT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7930pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 300W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3 包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	庫存30,600
CSD19536KCS Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V TO-220 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 供應商設備包裝: TO-220-3 包裝/箱: TO-220-3	庫存7,459
CSD19536KTT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3 包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	庫存1,764
CSD19536KTTT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 200A TO263 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 375W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3 包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	庫存19,686
CSD19537Q3 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存2,724
CSD19537Q3T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存36,498
CSD19538Q2 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 100V 14.4A SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 454pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-WSON (2x2) 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad	庫存110,568
CSD19538Q2T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.6nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 454pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-WSON (2x2) 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad	庫存23,892
CSD19538Q3A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 15A VSONP 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 454pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 23W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (3x3.15) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存26,784
CSD19538Q3AT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET N-CH 100V 15A VSONP 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: N-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 10V Vgs（最大）: ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 454pF @ 50V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 23W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSONP (3x3.15) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存270,756
CSD22202W15 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.2mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1390pF @ 4V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 9-DSBGA 包裝/箱: 9-UFBGA, DSBGA	庫存237,774
CSD22204W Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 8V 5A 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.9mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1130pF @ 4V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.7W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 9-DSBGA 包裝/箱: 9-UFBGA, DSBGA	庫存73,625
CSD22204WT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 8V 9DSBGA 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.9mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1130pF @ 4V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.7W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 9-DSBGA 包裝/箱: 9-UFBGA, DSBGA	庫存53,886
CSD22205L Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.05V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1390pF @ 4V FET功能: - 功耗（最大值）: 600mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-PICOSTAR 包裝/箱: 4-XFLGA	庫存249,858
CSD22205LT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.05V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1390pF @ 4V FET功能: - 功耗（最大值）: 600mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-PICOSTAR 包裝/箱: 4-XFLGA	庫存14,580
CSD22206W Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 8V P-CHANNEL FEMTOFET 制造商: 系列: - FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.05V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2275pF @ 4V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.7W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 9-DSBGA (1.5x1.5) 包裝/箱: 9-UFBGA, DSBGA	庫存7,632
CSD22206WT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CHANNEL 8V 5A 9-DSBGA 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.05V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2275pF @ 4V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.7W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 9-DSBGA (1.5x1.5) 包裝/箱: 9-UFBGA, DSBGA	庫存47,196
CSD23201W10 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 82mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-DSBGA (1x1) 包裝/箱: 4-UFBGA, DSBGA	庫存2,394
CSD23202W10 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 512pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-DSBGA (1x1) 包裝/箱: 4-UFBGA, DSBGA	庫存1,367,952
CSD23202W10T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.8nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 512pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-DSBGA (1x1) 包裝/箱: 4-UFBGA, DSBGA	庫存173,814
CSD23203W Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.3nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 914pF @ 4V FET功能: - 功耗（最大值）: 750mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-DSBGA 包裝/箱: 6-UFBGA, DSBGA	庫存2,502
CSD23203WT Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 8V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.3nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 914pF @ 4V FET功能: - 功耗（最大值）: 750mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-DSBGA 包裝/箱: 6-UFBGA, DSBGA	庫存23,658
CSD23280F3 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 0.95V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.23nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 234pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存640,758
CSD23280F3T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 0.95V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.23nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 234pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存212,808

CSD19533Q5AT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A VSONP

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.4mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2670pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存21,300

CSD19534KCS

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 100A TO220

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 16.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1670pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 118W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存18,840

CSD19534Q5A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 50 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 63W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存82,956

CSD19534Q5AT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 50 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15.1mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 3.2W (Ta), 63W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (5x6)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存97,080

CSD19535KCS

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V TO-220

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 101nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7930pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存49,992

CSD19535KTT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 200A TO263

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7930pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3
包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

庫存16,488

CSD19535KTTT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 200A TO263

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 98nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7930pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 300W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3
包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

庫存30,600

CSD19536KCS

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V TO-220

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 150A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
供應商設備包裝: TO-220-3
包裝/箱: TO-220-3

庫存7,459

CSD19536KTT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 200A TO263

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3
包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

庫存1,764

CSD19536KTTT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 200A TO263

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 200A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 153nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12000pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 375W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: DDPAK/TO-263-3
包裝/箱: TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

庫存19,686

CSD19537Q3

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存2,724

CSD19537Q3T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 50A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.6V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1680pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存36,498

CSD19538Q2

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 100V 14.4A SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 454pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-WSON (2x2)
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

庫存110,568

CSD19538Q2T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET NCH 100V 13.1A 6WSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 13.1A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.6nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 454pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-WSON (2x2)
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

庫存23,892

CSD19538Q3A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 15A VSONP

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 454pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 23W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (3x3.15)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存26,784

CSD19538Q3AT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 15A VSONP

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: N-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.8V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 10V
Vgs（最大）: ±20V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 454pF @ 50V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 23W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSONP (3x3.15)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存270,756

CSD22202W15

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12.2mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1390pF @ 4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 9-DSBGA
包裝/箱: 9-UFBGA, DSBGA

庫存237,774

CSD22204W

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 8V 5A

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.9mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1130pF @ 4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.7W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 9-DSBGA
包裝/箱: 9-UFBGA, DSBGA

庫存73,625

CSD22204WT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 8V 9DSBGA

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.9mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1130pF @ 4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.7W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 9-DSBGA
包裝/箱: 9-UFBGA, DSBGA

庫存53,886

CSD22205L

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.05V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1390pF @ 4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 600mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-PICOSTAR
包裝/箱: 4-XFLGA

庫存249,858

CSD22205LT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 8V 7.4A 4-PICOSTAR

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.9mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.05V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1390pF @ 4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 600mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-PICOSTAR
包裝/箱: 4-XFLGA

庫存14,580

CSD22206W

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

8V P-CHANNEL FEMTOFET

制造商:
系列: -
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.05V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2275pF @ 4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.7W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 9-DSBGA (1.5x1.5)
包裝/箱: 9-UFBGA, DSBGA

庫存7,632

CSD22206WT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CHANNEL 8V 5A 9-DSBGA

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.7mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.05V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2275pF @ 4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.7W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 9-DSBGA (1.5x1.5)
包裝/箱: 9-UFBGA, DSBGA

庫存47,196

CSD23201W10

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 82mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-DSBGA (1x1)
包裝/箱: 4-UFBGA, DSBGA

庫存2,394

CSD23202W10

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 512pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-DSBGA (1x1)
包裝/箱: 4-UFBGA, DSBGA

庫存1,367,952

CSD23202W10T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 53mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 512pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-DSBGA (1x1)
包裝/箱: 4-UFBGA, DSBGA

庫存173,814

CSD23203W

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.3nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 914pF @ 4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 750mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-DSBGA
包裝/箱: 6-UFBGA, DSBGA

庫存2,502

CSD23203WT

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 8V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.3nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 914pF @ 4V
FET功能: -
功耗（最大值）: 750mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-DSBGA
包裝/箱: 6-UFBGA, DSBGA

庫存23,658

CSD23280F3

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 0.95V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.23nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 234pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存640,758

CSD23280F3T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 116mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 0.95V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.23nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 234pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存212,808

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