晶體管

型號	描述	庫存
CSD23285F5 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 628pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存194,802
CSD23285F5T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 628pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存133,794
CSD23381F4 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.14nC @ 4.5V Vgs（最大）: -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 236pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存1,770,792
CSD23381F4T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.14nC @ 6V Vgs（最大）: -8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 236pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存257,622
CSD23382F4 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.35nC @ 6V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 235pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存559,392
CSD23382F4T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.35nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 235pF @ 6V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存56,250
CSD25201W15 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.6nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 9-DSBGA 包裝/箱: 9-UFBGA, DSBGA	庫存4,662
CSD25202W15 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.05V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1010pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 9-DSBGA 包裝/箱: 9-UFBGA, DSBGA	庫存1,184
CSD25202W15T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.05V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1010pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 9-DSBGA 包裝/箱: 9-UFBGA, DSBGA	庫存3,436
CSD25211W1015 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-DSBGA (1x1.5) 包裝/箱: 6-UFBGA, DSBGA	庫存3,186
CSD25213W10 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 4.5V Vgs（最大）: -6V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 478pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 4-DSBGA (1x1) 包裝/箱: 4-UFBGA, DSBGA	庫存15,077
CSD25301W1015 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-DSBGA (1x1.5) 包裝/箱: 6-UFBGA, DSBGA	庫存7,002
CSD25302Q2 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 5A 6SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 49mOhm @ 3A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.4W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-SON 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads	庫存6,228
CSD25303W1015 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 58mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 1.5W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-DSBGA (1x1.5) 包裝/箱: 6-UFBGA, DSBGA	庫存8,442
CSD25304W1015 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.15V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 595pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 750mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-DSBGA 包裝/箱: 6-UFBGA, DSBGA	庫存3,150
CSD25304W1015T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.15V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.4nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 595pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 750mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-DSBGA 包裝/箱: 6-UFBGA, DSBGA	庫存23,094
CSD25310Q2 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 48A 6SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23.9mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 655pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.9W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-WSON (2x2) 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad	庫存583,746
CSD25310Q2T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 20-V P-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23.9mOhm @ 5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 655pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.9W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 6-WSON (2x2) 包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad	庫存5,616
CSD25401Q3 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 60A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.3nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerTDFN	庫存4,014
CSD25402Q3A Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 76A 8SON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 76A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.15V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.7nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1790pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 69W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存2,323,998
CSD25404Q3 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 104A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.15V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2120pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存121,308
CSD25404Q3T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 104A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.15V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.1nC @ 4.5V Vgs（最大）: ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2120pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 96W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3) 包裝/箱: 8-PowerVDFN	庫存241,572
CSD25480F3 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1.7A PICOSTAR 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.91nC @ 4.5V Vgs（最大）: -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 155pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存145,458
CSD25480F3T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 1.7A PICOSTAR 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.91nC @ 10V Vgs（最大）: -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 155pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存227,922
CSD25481F4 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.913nC @ 4.5V Vgs（最大）: -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 189pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存398,736
CSD25481F4T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.91nC @ 4.5V Vgs（最大）: -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 189pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存313,836
CSD25483F4 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V LGA 制造商: 系列: NexFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.959nC @ 4.5V Vgs（最大）: -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 198pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存15,337
CSD25483F4T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V LGA 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.96nC @ 4.5V Vgs（最大）: -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 198pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存55,734
CSD25484F4 Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-PICOSTAR 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.42nC @ 4.5V Vgs（最大）: -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 230pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存361,212
CSD25484F4T Texas Instruments	晶體管-FET，MOSFET-單 MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR 制造商: 系列: FemtoFET™ FET類型: P-Channel 技術: MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V Rds On（Max）@ Id，Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.42nC @ 4.5V Vgs（最大）: -12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 230pF @ 10V FET功能: - 功耗（最大值）: 500mW (Ta) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 供應商設備包裝: 3-PICOSTAR 包裝/箱: 3-XFDFN	庫存830,982

CSD23285F5

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 628pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存194,802

CSD23285F5T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 35mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 628pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存133,794

CSD23381F4

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.14nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 236pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存1,770,792

CSD23381F4T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.14nC @ 6V
Vgs（最大）: -8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 236pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存257,622

CSD23382F4

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.35nC @ 6V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 235pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存559,392

CSD23382F4T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 76mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.35nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 235pF @ 6V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存56,250

CSD25201W15

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 9-DSBGA
包裝/箱: 9-UFBGA, DSBGA

庫存4,662

CSD25202W15

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.05V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1010pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 9-DSBGA
包裝/箱: 9-UFBGA, DSBGA

庫存1,184

CSD25202W15T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.05V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1010pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 9-DSBGA
包裝/箱: 9-UFBGA, DSBGA

庫存3,436

CSD25211W1015

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 33mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 570pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-DSBGA (1x1.5)
包裝/箱: 6-UFBGA, DSBGA

庫存3,186

CSD25213W10

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 47mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.9nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -6V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 478pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 4-DSBGA (1x1)
包裝/箱: 4-UFBGA, DSBGA

庫存15,077

CSD25301W1015

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 270pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-DSBGA (1x1.5)
包裝/箱: 6-UFBGA, DSBGA

庫存7,002

CSD25302Q2

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 5A 6SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 49mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.4W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-SON
包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads

庫存6,228

CSD25303W1015

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 58mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.3nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 1.5W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-DSBGA (1x1.5)
包裝/箱: 6-UFBGA, DSBGA

庫存8,442

CSD25304W1015

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.15V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 595pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 750mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-DSBGA
包裝/箱: 6-UFBGA, DSBGA

庫存3,150

CSD25304W1015T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.15V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.4nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 595pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 750mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-DSBGA
包裝/箱: 6-UFBGA, DSBGA

庫存23,094

CSD25310Q2

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 48A 6SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23.9mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 655pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.9W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-WSON (2x2)
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

庫存583,746

CSD25310Q2T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

20-V P-CHANNEL NEXFET POWER MOSF

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 23.9mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±8V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 655pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.9W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 6-WSON (2x2)
包裝/箱: 6-WDFN Exposed Pad

庫存5,616

CSD25401Q3

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.7mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.3nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerTDFN

庫存4,014

CSD25402Q3A

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 76A 8SON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 76A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.15V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.7nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1790pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 69W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存2,323,998

CSD25404Q3

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 104A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.15V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2120pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存121,308

CSD25404Q3T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 104A (Tc)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.5mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.15V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14.1nC @ 4.5V
Vgs（最大）: ±12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2120pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 2.8W (Ta), 96W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 8-VSON (3.3x3.3)
包裝/箱: 8-PowerVDFN

庫存241,572

CSD25480F3

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.7A PICOSTAR

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.91nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 155pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存145,458

CSD25480F3T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.7A PICOSTAR

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 132mOhm @ 400mA, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.91nC @ 10V
Vgs（最大）: -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 155pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存227,922

CSD25481F4

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.913nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 189pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存398,736

CSD25481F4T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 88mOhm @ 500mA, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.91nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 189pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存313,836

CSD25483F4

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V LGA

制造商:
系列: NexFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.959nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 198pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存15,337

CSD25483F4T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V LGA

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.6A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 205mOhm @ 500mA, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.96nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 198pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存55,734

CSD25484F4

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-PICOSTAR

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.42nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 230pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存361,212

CSD25484F4T

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR

制造商:
系列: FemtoFET™
FET類型: P-Channel
技術: MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 8V
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 94mOhm @ 500mA, 8V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.42nC @ 4.5V
Vgs（最大）: -12V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 230pF @ 10V
FET功能: -
功耗（最大值）: 500mW (Ta)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
供應商設備包裝: 3-PICOSTAR
包裝/箱: 3-XFDFN

庫存830,982

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