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晶體管

記錄 64,903
頁面 1053/2164
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型號
描述
庫存
數量
BSH103,235
BSH103,235

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 850mA (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 400mV @ 1mA (Min)
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 83pF @ 24V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 540mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存97,050
BSH105,215
BSH105,215

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.05A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 200mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 570mV @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 152pF @ 16V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 417mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存160,830
BSH105,235
BSH105,235

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.05A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 200mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 570mV @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 152pF @ 16V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 417mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存74,532
BSH108,215
BSH108,215

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: TrenchMOS™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.9A (Tc)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 10nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 190pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 830mW (Tc)
  • 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存69,222
BSH111,215
BSH111,215

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: TrenchMOS™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 55V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 335mA (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4Ohm @ 500mA, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.3V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 1nC @ 8V
  • Vgs(最大): ±10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 40pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 830mW (Tc)
  • 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存8,514
BSH111,235
BSH111,235

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: TrenchMOS™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 55V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 335mA (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4Ohm @ 500mA, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.3V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 1nC @ 8V
  • Vgs(最大): ±10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 40pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 830mW (Tc)
  • 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存7,668
BSH111BKR
BSH111BKR

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 55V SOT-23

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 55V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 210mA (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.3V @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±10V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 30pF @ 30V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 302mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存852,588
BSH112,235

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: TrenchMOS™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 300mA (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: -
  • Vgs(最大): ±15V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 40pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 830mW (Tc)
  • 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存2,250
BSH114,215
BSH114,215

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 500MA SOT23

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: TrenchMOS™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 500mA (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 4V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 4.6nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 138pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 360mW (Ta), 830mW (Tc)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存140,436
BSH121,135
BSH121,135

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 300MA SOT323

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: TrenchMOS™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 75V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 300mA (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 4Ohm @ 500mA, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.3V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 1nC @ 8V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 40pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 700mW (Tc)
  • 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: SC-70
  • 包裝/箱: SC-70, SOT-323
庫存6,732
BSH201,215
BSH201,215

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 60V 300MA SOT-23

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 300mA (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 2.5Ohm @ 160mA, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1V @ 1mA (Min)
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 3nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 70pF @ 48V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 417mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存377,202
BSH202,215
BSH202,215

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 520mA (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 900mOhm @ 280mA, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.9V @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 2.9nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 80pF @ 24V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 417mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存119,232
BSH203,215
BSH203,215

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 470MA SOT23

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 470mA (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 900mOhm @ 280mA, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 680mV @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 110pF @ 24V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 417mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存627,384
BSH205,215

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 0.75A SOT-23

  • 制造商: NXP USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 12V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 750mA (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 400mOhm @ 430mA, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 680mV @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 200pF @ 9.6V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 417mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存5,958
BSH205G2R
BSH205G2R

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2A SOT23

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 950mV @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 418pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 480mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存230,826
BSH205G2VL
BSH205G2VL

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 2.3A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 950mV @ 250µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 418pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 480mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: TO-236AB
  • 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
庫存7,740
BSH207,135
BSH207,135

Nexperia

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP

  • 制造商: Nexperia USA Inc.
  • 系列: -
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 12V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.52A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 1.8V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 600mV @ 1mA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 8.8nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±8V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 500pF @ 9.6V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 417mW (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: 6-TSOP
  • 包裝/箱: SC-74, SOT-457
庫存3,240
BSL202SNH6327XTSA1
BSL202SNH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 7.5A 6TSOP

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: OptiMOS™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 7.5A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.2V @ 30µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 8.7nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1147pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
庫存8,352
BSL202SNL6327HTSA1
BSL202SNL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP-6

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: OptiMOS™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 7.5A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.2V @ 30µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 8.7nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1147pF @ 10V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
庫存7,380
BSL207SP
BSL207SP

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: OptiMOS™
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 6A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 41mOhm @ 6A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.2V @ 40µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 20nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1007pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
庫存40,472
BSL207SPH6327XTSA1
BSL207SPH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: OptiMOS™
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 6A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 41mOhm @ 6A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.2V @ 40µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1007pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
庫存24,678
BSL207SPL6327HTSA1
BSL207SPL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: OptiMOS™
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 6A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 41mOhm @ 6A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.2V @ 40µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 20nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1007pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
庫存3,114
BSL211SP
BSL211SP

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: OptiMOS™
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4.7A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.2V @ 25µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 12.4nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 654pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
庫存2,078
BSL211SPH6327XTSA1
BSL211SPH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: OptiMOS™
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4.7A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.2V @ 25µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 12.4nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 654pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
庫存233,310
BSL211SPL6327HTSA1
BSL211SPL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: OptiMOS™
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4.7A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.2V @ 25µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 12.4nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 654pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
庫存4,392
BSL211SPT
BSL211SPT

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: OptiMOS™
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 20V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 4.7A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 2.5V, 4.5V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.2V @ 25µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 12.4nC @ 4.5V
  • Vgs(最大): ±12V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 654pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
庫存5,868
BSL296SNH6327XTSA1
BSL296SNH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 1.4A 6TSOP

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: OptiMOS™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 1.4A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 460mOhm @ 1.26A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 1.8V @ 100µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 4nC @ 5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 152.7pF @ 25V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
庫存6,804
BSL302SNH6327XTSA1
BSL302SNH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 7.1A 6TSOP

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: OptiMOS™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 7.1A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 30µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 6.6nC @ 5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 750pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
庫存4,014
BSL302SNL6327HTSA1
BSL302SNL6327HTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: OptiMOS™
  • FET類型: N-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 7.1A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 25mOhm @ 7.1A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 30µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 6.6nC @ 5V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 750pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
庫存5,292
BSL303SPEH6327XTSA1
BSL303SPEH6327XTSA1

Infineon Technologies

晶體管-FET,MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP-6

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: OptiMOS™
  • FET類型: P-Channel
  • 技術: MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏極至源極電壓(Vdss): 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極(Id): 6.3A (Ta)
  • 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On(Max)@ Id,Vgs: 33mOhm @ 6.3A, 10V
  • Vgs(th)(最大)@ ID: 2V @ 30µA
  • 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 20.9nC @ 10V
  • Vgs(最大): ±20V
  • 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 1401pF @ 15V
  • FET功能: -
  • 功耗(最大值): 2W (Ta)
  • 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 供應商設備包裝: PG-TSOP-6-6
  • 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
庫存3,400