晶體管

型號	描述	庫存
CP681-MPSH81-CT Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ DIE 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Die 供應商設備包裝: Die	庫存4,482
CP681-MPSH81-CT20 Central Semiconductor Corp	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ DIE 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - 晶體管類型: PNP 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: Die 供應商設備包裝: Die	庫存8,478
CPH6001A-TL-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ 6CPH 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 6.7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.1dB @ 1GHz 增益: 11dB 功率-最大: 800mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 30mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: 6-CPH	庫存3,870
CPH6003A-TL-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.8dB @ 1GHz 增益: 9dB 功率-最大: 800mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: 6-CPH	庫存5,652
CPH6020-TL-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 8V 16GHZ 6CPH 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 8V 頻率-過渡: 16GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.2dB @ 1GHz 增益: 13.5dB 功率-最大: 700mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: 6-CPH	庫存6,552
CPH6021-TL-H ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ 6CPH 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 10GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.2dB @ 1GHz 增益: 14dB @ 1GHz 功率-最大: 700mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 50mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74, SOT-457 供應商設備包裝: 6-CPH	庫存8,946
DMC506E20R Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS 2 NPN 20V 650MHZ SOT363 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: 2 NPN (Dual) 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.3dB @ 100MHz 增益: 24dB 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 65 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15mA 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: SOT-363	庫存7,812
DME375A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55AW 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 6.5dB 功率-最大: 375W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 300mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55AW 供應商設備包裝: 55AW	庫存7,668
DME400A Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF TRANSISTOR BIPO 55AW-1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,478
DME500 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55KT 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 6dB ~ 6.5dB 功率-最大: 1700W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 500mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55KT 供應商設備包裝: 55KT	庫存2,934
DME800 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55ST-1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V 頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 9dB ~ 10dB 功率-最大: 2500W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 600mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55ST-1 供應商設備包裝: 55ST-1	庫存7,308
DSA9G01C0L Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-RF TRANSISTOR RF PNP SSMINI3 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: - 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,214
DSC5G0200L Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 650MHZ SMINI3 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.3dB @ 100MHz 增益: 24dB 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 65 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-85 供應商設備包裝: SMini3-F2-B	庫存24,192
DSC9F0100L Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ SSMINI3 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 1.9GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 125mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 5mA, 4V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-89, SOT-490 供應商設備包裝: SSMini3-F3-B	庫存2,142
DSC9G0200L Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 650MHZ SSMINI3 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.3dB @ 100MHz 增益: 24dB 功率-最大: 125mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 65 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-89, SOT-490 供應商設備包裝: SSMini3-F3-B	庫存3,294
DSC9G02C0L Panasonic Electronic Components	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 650MHZ SSMINI3 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.3dB @ 100MHz 增益: 24dB 功率-最大: 125mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 65 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-89, SOT-490 供應商設備包裝: SSMini3-F3-B	庫存158,160
EC3H02BA-TL-H ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-ECSP1006 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 1GHz 增益: 8.5dB 功率-最大: 100mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 20mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-XFDFN 供應商設備包裝: 3-ECSP1006	庫存4,590
EC4H08C-TL-H ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3.5V 頻率-過渡: 24GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB @ 2GHz 增益: 17dB 功率-最大: 50mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-UFDFN 供應商設備包裝: 4-ECSP1008	庫存4,068
EC4H09C-TL-H ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3.5V 頻率-過渡: 26GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.3dB @ 2GHz 增益: 15dB 功率-最大: 120mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 4-UFDFN 供應商設備包裝: 4-ECSP1008	庫存4,914
FH102A-TR-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ 6MCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: 2 NPN (Dual) 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 1GHz 增益: 12dB 功率-最大: 500mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 20mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: 6-MCP	庫存6,282
FH105A-TR-E ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ 6MCP 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.4dB @ 1.5GHz 增益: 10dB @ 1.5GHz 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 0.95 @ 10mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: 6-MCP	庫存5,220
FMMT5179TA Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 2GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 200MHz 增益: 15dB 功率-最大: 330mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存5,202
FMMT5179TC Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 2GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 200MHz 增益: 15dB 功率-最大: 330mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存8,064
FMMT918TA Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 60MHz 增益: 15dB 功率-最大: 330mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存5,076
FMMT918TC Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 60MHz 增益: 15dB 功率-最大: 330mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存5,256
FMMTH10TA Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 500MHz 增益: - 功率-最大: 330mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存4,518
FMMTH10TC Diodes Incorporated	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 制造商: Diodes Incorporated 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 500MHz 增益: - 功率-最大: 330mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存5,850
FPNH10 ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,132
HFA3046B Renesas Electronics America Inc.	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC 制造商: Renesas Electronics America Inc. 系列: - 晶體管類型: 5 NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz 增益: - 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 2V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 14-SOIC	庫存2,376
HFA3046B96 Renesas Electronics America Inc.	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC 制造商: Renesas Electronics America Inc. 系列: - 晶體管類型: 5 NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 8GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz 增益: - 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 2V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 14-SOIC	庫存3,690

CP681-MPSH81-CT

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS PNP 20V 600MHZ DIE

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Die
供應商設備包裝: Die

庫存4,482

CP681-MPSH81-CT20

Central Semiconductor Corp

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS PNP 20V 600MHZ DIE

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
晶體管類型: PNP
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: Die
供應商設備包裝: Die

庫存8,478

CPH6001A-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ 6CPH

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 6.7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.1dB @ 1GHz
增益: 11dB
功率-最大: 800mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 30mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: 6-CPH

庫存3,870

CPH6003A-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.8dB @ 1GHz
增益: 9dB
功率-最大: 800mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: 6-CPH

庫存5,652

CPH6020-TL-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 8V 16GHZ 6CPH

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 8V
頻率-過渡: 16GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.2dB @ 1GHz
增益: 13.5dB
功率-最大: 700mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 150mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: 6-CPH

庫存6,552

CPH6021-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 10GHZ 6CPH

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 10GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.2dB @ 1GHz
增益: 14dB @ 1GHz
功率-最大: 700mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 50mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74, SOT-457
供應商設備包裝: 6-CPH

庫存8,946

DMC506E20R

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 20V 650MHZ SOT363

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: 2 NPN (Dual)
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.3dB @ 100MHz
增益: 24dB
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 65 @ 1mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15mA
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: SOT-363

庫存7,812

DME375A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55AW

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 6.5dB
功率-最大: 375W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 300mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55AW
供應商設備包裝: 55AW

庫存7,668

DME400A

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

TRANSISTOR BIPO 55AW-1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,478

DME500

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 55V 1.15GHZ 55KT

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 6dB ~ 6.5dB
功率-最大: 1700W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 500mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55KT
供應商設備包裝: 55KT

庫存2,934

DME800

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 55ST-1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
頻率-過渡: 1.025GHz ~ 1.15GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 9dB ~ 10dB
功率-最大: 2500W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 600mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55ST-1
供應商設備包裝: 55ST-1

庫存7,308

DSA9G01C0L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-RF

TRANSISTOR RF PNP SSMINI3

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,214

DSC5G0200L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 650MHZ SMINI3

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.3dB @ 100MHz
增益: 24dB
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 65 @ 1mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-85
供應商設備包裝: SMini3-F2-B

庫存24,192

DSC9F0100L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ SSMINI3

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 1.9GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 125mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 75 @ 5mA, 4V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-89, SOT-490
供應商設備包裝: SSMini3-F3-B

庫存2,142

DSC9G0200L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 650MHZ SSMINI3

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.3dB @ 100MHz
增益: 24dB
功率-最大: 125mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 65 @ 1mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-89, SOT-490
供應商設備包裝: SSMini3-F3-B

庫存3,294

DSC9G02C0L

Panasonic Electronic Components

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 650MHZ SSMINI3

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.3dB @ 100MHz
增益: 24dB
功率-最大: 125mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 65 @ 1mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-89, SOT-490
供應商設備包裝: SSMini3-F3-B

庫存158,160

EC3H02BA-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-ECSP1006

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 1GHz
增益: 8.5dB
功率-最大: 100mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 20mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-XFDFN
供應商設備包裝: 3-ECSP1006

庫存4,590

EC4H08C-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3.5V
頻率-過渡: 24GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.5dB @ 2GHz
增益: 17dB
功率-最大: 50mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 15mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-UFDFN
供應商設備包裝: 4-ECSP1008

庫存4,068

EC4H09C-TL-H

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3.5V
頻率-過渡: 26GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.3dB @ 2GHz
增益: 15dB
功率-最大: 120mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 4-UFDFN
供應商設備包裝: 4-ECSP1008

庫存4,914

FH102A-TR-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ 6MCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: 2 NPN (Dual)
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 7GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1dB @ 1GHz
增益: 12dB
功率-最大: 500mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 20mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 70mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: 6-MCP

庫存6,282

FH105A-TR-E

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 10V 8GHZ 6MCP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 10V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.4dB @ 1.5GHz
增益: 10dB @ 1.5GHz
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 0.95 @ 10mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: 6-MCP

庫存5,220

FMMT5179TA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 2GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 200MHz
增益: 15dB
功率-最大: 330mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存5,202

FMMT5179TC

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 2GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 200MHz
增益: 15dB
功率-最大: 330mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存8,064

FMMT918TA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 60MHz
增益: 15dB
功率-最大: 330mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存5,076

FMMT918TC

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 6dB @ 60MHz
增益: 15dB
功率-最大: 330mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存5,256

FMMTH10TA

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 500MHz
增益: -
功率-最大: 330mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 25mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存4,518

FMMTH10TC

Diodes Incorporated

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

制造商: Diodes Incorporated
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 500MHz
增益: -
功率-最大: 330mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 25mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存5,850

FPNH10

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,132

HFA3046B

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC

制造商: Renesas Electronics America Inc.
系列: -
晶體管類型: 5 NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz
增益: -
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 2V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 14-SOIC

庫存2,376

HFA3046B96

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC

制造商: Renesas Electronics America Inc.
系列: -
晶體管類型: 5 NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 8GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz
增益: -
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 2V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 14-SOIC

庫存3,690

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