晶體管

型號	描述	庫存
KSC1674YTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz 增益: - 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,948
KSC1730OBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 1.1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,892
KSC1730OTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 1.1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,726
KSC1730YBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 1.1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,948
KSC1730YTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 1.1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,442
KSC2755OMTF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 30V 600MHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB @ 200MHz 增益: 20dB ~ 23dB 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 3mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存2,790
KSC2755YMTF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 30V 600MHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB @ 200MHz 增益: 20dB ~ 23dB 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 3mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存3,402
KSC2756OMTF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 850MHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 850MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 6.5dB @ 200MHz 增益: 15dB ~ 23dB 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存7,416
KSC2756RMTF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 850MHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 850MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 6.5dB @ 200MHz 增益: 15dB ~ 23dB 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存6,498
KSC2756YMTF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 850MHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 850MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 6.5dB @ 200MHz 增益: 15dB ~ 23dB 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存4,788
KSC2757OMTF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 1.1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存8,730
KSC2757RMTF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 1.1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存5,166
KSC2757YMTF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 1.1GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存8,820
KSC2786OBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz 增益: 18dB ~ 22dB 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存2,322
KSC2786OTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz 增益: 18dB ~ 22dB 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存3,654
KSC2786RBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz 增益: 18dB ~ 22dB 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存5,436
KSC2786RTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz 增益: 18dB ~ 22dB 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存4,428
KSC2786YBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz 增益: 18dB ~ 22dB 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存7,650
KSC2786YTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz 增益: 18dB ~ 22dB 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝: TO-92S	庫存4,734
KSC3123OMTF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 1.4GHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 1.4GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz 增益: 20dB ~ 23dB 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存5,616
KSC3123RMTF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 1.4GHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 1.4GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz 增益: 20dB ~ 23dB 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存7,308
KSC3123YMTF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 1.4GHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 1.4GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz 增益: 20dB ~ 23dB 功率-最大: 150mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)	庫存2,610
KSP10BU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存49,524
KSP10TA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,372
KST10MTF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V 頻率-過渡: 650MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: - 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: - 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存124,260
KST5179MTF ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 12V 900MHZ SOT23-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V 頻率-過渡: 900MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 200MHz 增益: 15dB 功率-最大: 350mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23-3	庫存3,960
LM3046M Texas Instruments	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS 5 NPN 15V 14SOIC 制造商: 系列: - 晶體管類型: 5 NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.25dB @ 1kHz 增益: - 功率-最大: 750mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1mA, 3V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 14-SOIC	庫存3,492
LM3046M/NOPB Texas Instruments	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS 5 NPN 15V 14SOIC 制造商: 系列: - 晶體管類型: 5 NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.25dB @ 1kHz 增益: - 功率-最大: 750mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1mA, 3V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 14-SOIC	庫存3,456
LM3046MX Texas Instruments	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS 5 NPN 15V 14SOIC 制造商: 系列: - 晶體管類型: 5 NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.25dB @ 1kHz 增益: - 功率-最大: 750mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1mA, 3V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 14-SOIC	庫存6,228
LM3046MX/NOPB Texas Instruments	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS 5 NPN 15V 14SOIC 制造商: 系列: - 晶體管類型: 5 NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.25dB @ 1kHz 增益: - 功率-最大: 750mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1mA, 3V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA 工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 14-SOIC	庫存3,780

KSC1674YTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz
增益: -
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,948

KSC1730OBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 1.1GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,892

KSC1730OTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 1.1GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,726

KSC1730YBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 1.1GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,948

KSC1730YTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 1.1GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,442

KSC2755OMTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 30V 600MHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB @ 200MHz
增益: 20dB ~ 23dB
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 3mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存2,790

KSC2755YMTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 30V 600MHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB @ 200MHz
增益: 20dB ~ 23dB
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 3mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存3,402

KSC2756OMTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 850MHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 850MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 6.5dB @ 200MHz
增益: 15dB ~ 23dB
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存7,416

KSC2756RMTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 850MHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 850MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 6.5dB @ 200MHz
增益: 15dB ~ 23dB
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存6,498

KSC2756YMTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 850MHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 850MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 6.5dB @ 200MHz
增益: 15dB ~ 23dB
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存4,788

KSC2757OMTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 1.1GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存8,730

KSC2757RMTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 1.1GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存5,166

KSC2757YMTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 1.1GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存8,820

KSC2786OBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz
增益: 18dB ~ 22dB
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存2,322

KSC2786OTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz
增益: 18dB ~ 22dB
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存3,654

KSC2786RBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz
增益: 18dB ~ 22dB
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存5,436

KSC2786RTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz
增益: 18dB ~ 22dB
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存4,428

KSC2786YBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz
增益: 18dB ~ 22dB
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存7,650

KSC2786YTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz
增益: 18dB ~ 22dB
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
供應商設備包裝: TO-92S

庫存4,734

KSC3123OMTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 1.4GHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 1.4GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
增益: 20dB ~ 23dB
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存5,616

KSC3123RMTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 1.4GHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 1.4GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
增益: 20dB ~ 23dB
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存7,308

KSC3123YMTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 1.4GHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 1.4GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
增益: 20dB ~ 23dB
功率-最大: 150mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3 (TO-236)

庫存2,610

KSP10BU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存49,524

KSP10TA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,372

KST10MTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 25V
頻率-過渡: 650MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: -
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 4mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: -
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存124,260

KST5179MTF

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 12V 900MHZ SOT23-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
頻率-過渡: 900MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 200MHz
增益: 15dB
功率-最大: 350mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23-3

庫存3,960

LM3046M

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 5 NPN 15V 14SOIC

制造商:
系列: -
晶體管類型: 5 NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.25dB @ 1kHz
增益: -
功率-最大: 750mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1mA, 3V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 14-SOIC

庫存3,492

LM3046M/NOPB

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 5 NPN 15V 14SOIC

制造商:
系列: -
晶體管類型: 5 NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.25dB @ 1kHz
增益: -
功率-最大: 750mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1mA, 3V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 14-SOIC

庫存3,456

LM3046MX

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 5 NPN 15V 14SOIC

制造商:
系列: -
晶體管類型: 5 NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.25dB @ 1kHz
增益: -
功率-最大: 750mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1mA, 3V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 14-SOIC

庫存6,228

LM3046MX/NOPB

Texas Instruments

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 5 NPN 15V 14SOIC

制造商:
系列: -
晶體管類型: 5 NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.25dB @ 1kHz
增益: -
功率-最大: 750mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1mA, 3V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
工作溫度: -40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 14-SOIC

庫存3,780

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message