晶體管

HFA3046BZ

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 5 NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• 頻率-過渡: 8GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz
• 增益: -
• 功率-最大: 150mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 14-SOIC

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HFA3046BZ96

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 14SOIC

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 5 NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• 頻率-過渡: 8GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz
• 增益: -
• 功率-最大: 150mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 14-SOIC

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HFA3096B

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN/PNP 5D.5GHZ 16SOIC

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 3 NPN + 2 PNP
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V, 15V
• 頻率-過渡: 8GHz, 5.5GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz
• 增益: -
• 功率-最大: 150mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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HFA3096B96

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN/PNP 5.5GHZ 16SOIC

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 3 NPN + 2 PNP
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V, 15V
• 頻率-過渡: 8GHz, 5.5GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz
• 增益: -
• 功率-最大: 150mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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HFA3096BZ

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 3 NPN + 2 PNP
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V, 15V
• 頻率-過渡: 8GHz, 5.5GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz
• 增益: -
• 功率-最大: 150mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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HFA3096BZ96

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 12/15V 5.5GHZ 16SOIC

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 3 NPN + 2 PNP
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V, 15V
• 頻率-過渡: 8GHz, 5.5GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz
• 增益: -
• 功率-最大: 150mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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HFA3102B96

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 6 NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• 頻率-過渡: 10GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
• 增益: 12.4dB ~ 17.5dB
• 功率-最大: 250mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 3V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 14-SOIC

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HFA3102BZ

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 6 NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• 頻率-過渡: 10GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
• 增益: 12.4dB ~ 17.5dB
• 功率-最大: 250mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 3V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 14-SOIC

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HFA3102BZ96

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 6 NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• 頻率-過渡: 10GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
• 增益: 12.4dB ~ 17.5dB
• 功率-最大: 250mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 3V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 14-SOIC

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HFA3127B

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 5 NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• 頻率-過渡: 8GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz
• 增益: -
• 功率-最大: 150mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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HFA3127B96

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 5 NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• 頻率-過渡: 8GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz
• 增益: -
• 功率-最大: 150mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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HFA3127BZ

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 5 NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• 頻率-過渡: 8GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz
• 增益: -
• 功率-最大: 150mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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HFA3127BZ96

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 5 NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• 頻率-過渡: 8GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz
• 增益: -
• 功率-最大: 150mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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HFA3127R

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 5 NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• 頻率-過渡: 8GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz
• 增益: -
• 功率-最大: 150mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-VFQFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 16-QFN (3x3)

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HFA3127R96

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 5 NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• 頻率-過渡: 8GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz
• 增益: -
• 功率-最大: 150mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-VFQFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 16-QFN (3x3)

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HFA3127RZ

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 5 NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• 頻率-過渡: 8GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz
• 增益: -
• 功率-最大: 150mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-VFQFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 16-QFN (3x3)

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HFA3127RZ96

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 5 NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• 頻率-過渡: 8GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz
• 增益: -
• 功率-最大: 150mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-VFQFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 16-QFN (3x3)

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HFA3128B

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 5 PNP
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• 頻率-過渡: 5.5GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz
• 增益: -
• 功率-最大: 150mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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HFA3128BZ

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 5 PNP
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• 頻率-過渡: 5.5GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz
• 增益: -
• 功率-最大: 150mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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HFA3128BZ96

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 5 PNP
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• 頻率-過渡: 5.5GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz
• 增益: -
• 功率-最大: 150mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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HFA3128R

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 5 PNP
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• 頻率-過渡: 5.5GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz
• 增益: -
• 功率-最大: 150mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-VFQFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 16-QFN (3x3)

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HFA3128R96

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 5 PNP
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• 頻率-過渡: 5.5GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz
• 增益: -
• 功率-最大: 150mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-VFQFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 16-QFN (3x3)

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HFA3128RZ

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 5 PNP
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• 頻率-過渡: 5.5GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz
• 增益: -
• 功率-最大: 150mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-VFQFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 16-QFN (3x3)

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HFA3128RZ96

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16QFN

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 5 PNP
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
• 頻率-過渡: 5.5GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 1GHz
• 增益: -
• 功率-最大: 150mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 65mA
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-VFQFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 16-QFN (3x3)

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HFA3134IH96

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 9V 8.5GHZ SOT23-6

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 9V
• 頻率-過渡: 8.5GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 2.4dB @ 1GHz
• 增益: -
• 功率-最大: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 48 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 26mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6
• 供應商設備包裝: SOT-23-6

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HFA3134IHZ96

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 9V 8.5GHZ SOT23-6

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 9V
• 頻率-過渡: 8.5GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 2.4dB @ 1GHz
• 增益: -
• 功率-最大: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 48 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 26mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6
• 供應商設備包裝: SOT-23-6

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HFA3135IH96

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 PNP 9V 7GHZ SOT23-6

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 9V
• 頻率-過渡: 7GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 5.2dB @ 900MHz
• 增益: -
• 功率-最大: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 26mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6
• 供應商設備包裝: SOT-23-6

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HFA3135IHZ96

Renesas Electronics America Inc.

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 PNP 9V 7GHZ SOT23-6

• 制造商: Renesas Electronics America Inc.
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 PNP (Dual)
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 9V
• 頻率-過渡: 7GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 5.2dB @ 900MHz
• 增益: -
• 功率-最大: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 10mA, 2V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 26mA
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-23-6
• 供應商設備包裝: SOT-23-6

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HN3C10FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: 2 NPN (Dual)
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 12V
• 頻率-過渡: 7GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: 1.1dB @ 1GHz
• 增益: 11.5dB
• 功率-最大: 200mW
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 20mA, 10V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• 供應商設備包裝: US6

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ITC1100

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55SW

• 制造商: Microsemi Corporation
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 65V
• 頻率-過渡: 1.03GHz
• 噪聲系數（dB Typ @ f）: -
• 增益: 10dB ~ 10.5dB
• 功率-最大: 3400W
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5A, 5V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: 55SW
• 供應商設備包裝: 55SW

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