晶體管

型號	描述	庫存
JAN2N2857 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/343 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 500MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 450MHz 增益: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40mA 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-72-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-72	庫存3,420
JAN2N2857UB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 0.04A UB 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 450MHz 增益: 21dB 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40mA 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UB	庫存6,282
JAN2N4957 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS PNP 30V 30MA TO72 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 450MHz 增益: 25dB 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-72-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-72	庫存8,910
JAN2N4957UB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS PNP 30V 30MA UB 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 450MHz 增益: 25dB 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UB	庫存3,726
JANS2N2857UB-LC Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V UB 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/343 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 450MHz 增益: 21dB 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40mA 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UB	庫存6,408
JANTX2N2857 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/343 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 500MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 450MHz 增益: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40mA 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-72-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-72	庫存8,172
JANTX2N2857UB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 0.04A UB 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 450MHz 增益: 21dB 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40mA 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UB	庫存5,184
JANTX2N4957 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS PNP 30V 30MA TO72 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 450MHz 增益: 25dB 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-72-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-72	庫存2,088
JANTX2N4957UB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS PNP 30V 30MA UB 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 450MHz 增益: 25dB 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UB	庫存3,330
JANTXV2N2857 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/343 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: 500MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 450MHz 增益: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40mA 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-72-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-72	庫存6,624
JANTXV2N2857UB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 15V 0.04A UB 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 450MHz 增益: 21dB 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 3mA, 1V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40mA 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UB	庫存3,454
JANTXV2N4957 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS PNP 30V 30MA TO72 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 450MHz 增益: 25dB 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-72-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-72	庫存6,606
JANTXV2N4957UB Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS PNP 30V 30MA UB 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: PNP 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 頻率-過渡: - 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 450MHz 增益: 25dB 功率-最大: 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UB	庫存5,544
JTDB25 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW-1 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V 頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7.5dB 功率-最大: 97W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55AW-1 供應商設備包裝: 55AW-1	庫存8,478
JTDB75 Microsemi	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW 制造商: Microsemi Corporation 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V 頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: - 增益: 7dB ~ 8.2dB 功率-最大: 220W 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A 工作溫度: 200°C (TJ) 安裝類型: Chassis Mount 包裝/箱: 55AW 供應商設備包裝: 55AW	庫存5,382
KSC1393OBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 頻率-過渡: 700MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB ~ 3dB @ 200MHz 增益: 20dB ~ 24dB 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 2mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,938
KSC1393OTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 頻率-過渡: 700MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB ~ 3dB @ 200MHz 增益: 20dB ~ 24dB 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 2mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,142
KSC1393RBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 頻率-過渡: 700MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB ~ 3dB @ 200MHz 增益: 20dB ~ 24dB 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 2mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,004
KSC1393RTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 頻率-過渡: 700MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB ~ 3dB @ 200MHz 增益: 20dB ~ 24dB 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 2mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,842
KSC1393YBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 頻率-過渡: 700MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB ~ 3dB @ 200MHz 增益: 20dB ~ 24dB 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 2mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,634
KSC1393YTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V 頻率-過渡: 700MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB ~ 3dB @ 200MHz 增益: 20dB ~ 24dB 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 2mA, 10V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,560
KSC1674COBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz 增益: - 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,172
KSC1674COTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz 增益: - 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,496
KSC1674CYBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz 增益: - 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,084
KSC1674CYTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz 增益: - 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,834
KSC1674OBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz 增益: - 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,006
KSC1674OTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz 增益: - 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,428
KSC1674RBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz 增益: - 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,202
KSC1674RTA ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz 增益: - 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,996
KSC1674YBU ON Semiconductor	晶體管-雙極（BJT）-RF RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - 晶體管類型: NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V 頻率-過渡: 600MHz 噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz 增益: - 功率-最大: 250mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存71,820

JAN2N2857

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/343
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 500MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 450MHz
增益: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40mA
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-72-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-72

庫存3,420

JAN2N2857UB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 0.04A UB

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 450MHz
增益: 21dB
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40mA
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UB

庫存6,282

JAN2N4957

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS PNP 30V 30MA TO72

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 450MHz
增益: 25dB
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-72-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-72

庫存8,910

JAN2N4957UB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS PNP 30V 30MA UB

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 450MHz
增益: 25dB
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UB

庫存3,726

JANS2N2857UB-LC

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V UB

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/343
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 450MHz
增益: 21dB
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40mA
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UB

庫存6,408

JANTX2N2857

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/343
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 500MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 450MHz
增益: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40mA
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-72-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-72

庫存8,172

JANTX2N2857UB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 0.04A UB

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 450MHz
增益: 21dB
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40mA
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UB

庫存5,184

JANTX2N4957

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS PNP 30V 30MA TO72

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 450MHz
增益: 25dB
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-72-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-72

庫存2,088

JANTX2N4957UB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS PNP 30V 30MA UB

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 450MHz
增益: 25dB
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UB

庫存3,330

JANTXV2N2857

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 500MHZ TO72

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/343
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: 500MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 450MHz
增益: 12.5dB ~ 21dB @ 450MHz
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40mA
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-72-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-72

庫存6,624

JANTXV2N2857UB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 15V 0.04A UB

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 15V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: 4.5dB @ 450MHz
增益: 21dB
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 3mA, 1V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40mA
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UB

庫存3,454

JANTXV2N4957

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS PNP 30V 30MA TO72

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 450MHz
增益: 25dB
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-72-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-72

庫存6,606

JANTXV2N4957UB

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS PNP 30V 30MA UB

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: PNP
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
頻率-過渡: -
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3.5dB @ 450MHz
增益: 25dB
功率-最大: 200mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 5mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 30mA
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UB

庫存5,544

JTDB25

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW-1

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7.5dB
功率-最大: 97W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55AW-1
供應商設備包裝: 55AW-1

庫存8,478

JTDB75

Microsemi

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AW

制造商: Microsemi Corporation
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 55V
頻率-過渡: 960MHz ~ 1.215GHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: -
增益: 7dB ~ 8.2dB
功率-最大: 220W
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 1A, 5V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
工作溫度: 200°C (TJ)
安裝類型: Chassis Mount
包裝/箱: 55AW
供應商設備包裝: 55AW

庫存5,382

KSC1393OBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
頻率-過渡: 700MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB ~ 3dB @ 200MHz
增益: 20dB ~ 24dB
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 2mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,938

KSC1393OTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
頻率-過渡: 700MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB ~ 3dB @ 200MHz
增益: 20dB ~ 24dB
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 60 @ 2mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,142

KSC1393RBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
頻率-過渡: 700MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB ~ 3dB @ 200MHz
增益: 20dB ~ 24dB
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 2mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,004

KSC1393RTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
頻率-過渡: 700MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB ~ 3dB @ 200MHz
增益: 20dB ~ 24dB
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 2mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,842

KSC1393YBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
頻率-過渡: 700MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB ~ 3dB @ 200MHz
增益: 20dB ~ 24dB
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 2mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,634

KSC1393YTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 30V 700MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 30V
頻率-過渡: 700MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 2dB ~ 3dB @ 200MHz
增益: 20dB ~ 24dB
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 90 @ 2mA, 10V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,560

KSC1674COBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz
增益: -
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,172

KSC1674COTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz
增益: -
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,496

KSC1674CYBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz
增益: -
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,084

KSC1674CYTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz
增益: -
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,834

KSC1674OBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz
增益: -
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,006

KSC1674OTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz
增益: -
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 1mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,428

KSC1674RBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz
增益: -
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,202

KSC1674RTA

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz
增益: -
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 40 @ 1mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,996

KSC1674YBU

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
晶體管類型: NPN
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
頻率-過渡: 600MHz
噪聲系數（dB Typ @ f）: 3dB ~ 5dB @ 100MHz
增益: -
功率-最大: 250mW
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 6V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 20mA
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存71,820

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