晶體管

PMV60EN,215

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.4nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 350pF @ 30V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 280mW (Tj)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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PMV65ENEAR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V TO-236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 2.7A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 160pF @ 20V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 490mW (Ta), 6.25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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PMV65UN,215

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 76mOhm @ 2A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 183pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 310mW (Ta), 2.17W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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PMV65UNEAR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 291pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 940mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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PMV65UNER

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 73mOhm @ 2.8A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 291pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 490mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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PMV65XP,215

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 744pF @ 20V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 480mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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PMV65XPEAR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V SOT23

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 618pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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PMV65XPER

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V SOT23

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.25V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 618pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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PMV65XP/MIR

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V SOT23

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 744pF @ 20V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 480mW (Ta), 4.17W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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PMV65XPVL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 74mOhm @ 2.8A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 4V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 744pF @ 20V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 480mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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PMV75UP,215

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 2.5A

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 102mOhm @ 2.5A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 550pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 490mW (Ta), 5W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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PMV90EN,215

NXP

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT-23

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.9A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 84mOhm @ 1.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 132pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 310mW (Ta), 2.09W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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PMV90ENER

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 160pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 460mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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PMXB120EPEZ

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.4A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 309pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 400mW (Ta), 8.3W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1010D-3
• 包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad

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PMXB350UPEZ

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 116pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1010D-3
• 包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad

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PMXB360ENEAZ

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.1A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 450mOhm @ 1.1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.7V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.5nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 130pF @ 40V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 400mW (Ta), 6.25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1010D-3
• 包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad

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PMXB40UNEZ

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 12V 3.2A 3DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 45mOhm @ 3.2A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.6nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 556pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1010D-3
• 包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad

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PMXB43UNEZ

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 3.2A 3DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 54mOhm @ 3.2A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 900mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 551pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1010D-3
• 包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad

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PMXB56ENZ

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.3nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 209pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1010D-3
• 包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad

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PMXB65ENEZ

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 67mOhm @ 3.2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 295pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 400mW (Ta), 8.33W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1010D-3
• 包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad

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PMXB65UPEZ

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 12V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 3.2A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 634pF @ 6V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1010D-3
• 包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad

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PMXB75UPEZ

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.9A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.2V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 608pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1010D-3
• 包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad

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PMZ1000UN,315

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH SOT883

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 480mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 200mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 350mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006-3
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883

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PMZ1200UPEYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V SOT883

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 410mA (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 43.2pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006-3
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883

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PMZ130UNEYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V SOT883

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 93pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006-3
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883

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PMZ200UNEYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V SOT883

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.4A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.7nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 89pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006-3
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883

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PMZ250UN,315

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.28A SOT883

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.28A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 200mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 45pF @ 20V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006-3
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883

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PMZ270XN,315

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 2.15A SOT883

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: TrenchMOS™
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 2.15A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 34pF @ 20V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 2.5W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006-3
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883

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PMZ290UNE2YL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.2A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 46pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 350mW (Ta), 5.43W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006-3
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883

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PMZ290UNEYL

Nexperia

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 1A

• 制造商: Nexperia USA Inc.
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 950mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 83pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DFN1006-3
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883

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