晶體管

TK72A08N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 75V 80A TO220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 75V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 175nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8200pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK72A12N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 120V 72A TO-220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 120V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 72A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 36A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8100pF @ 60V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK72E08N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 80V 72A TO-220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 72A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.3mOhm @ 36A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 81nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5500pF @ 40V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 192W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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TK72E12N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 120V 72A TO-220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 120V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 72A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 36A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 130nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8100pF @ 60V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 255W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220-3
• 包裝/箱: TO-220-3

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TK750A60F,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIX
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 30nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1130pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: 150°C
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK7A45DA(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 6.5A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.2Ohm @ 3.3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 540pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 35W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK7A50D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 7A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.22Ohm @ 3.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 35W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK7A55D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 7A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.25Ohm @ 3.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 35W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK7A60W5,S5VX

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 350µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK7A60W,S4VX

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 350µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 300V
• FET功能: Super Junction
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK7A65D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 7A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 980mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1200pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK7A65W,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 780mOhm @ 3.4A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 30W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK7A90E,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V TO220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVIII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 3.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 700µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK7E80W,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 800V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 950mOhm @ 3.3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 280µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 13nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 110W (Tc)
• 工作溫度: 150°C
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220
• 包裝/箱: TO-220-3

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TK7J90E,S1E

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 900V TO-3PN

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVIII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 2Ohm @ 3.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 700µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 32nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1350pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 200W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-3P(N)
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3

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TK7P50D(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 7A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.22Ohm @ 3.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 100W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: D-Pak
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK7P60W5,RVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 350µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 300V
• FET功能: Super Junction
• 功耗（最大值）: 60W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK7P60W,RVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 600V 7A DPAK

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 350µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 300V
• FET功能: Super Junction
• 功耗（最大值）: 60W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK7P65W,RQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 800mOhm @ 3.4A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 60W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK7Q60W,S1VQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: DTMOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3.7V @ 350µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 300V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 60W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: I-PAK
• 包裝/箱: TO-251-3 Stub Leads, IPak

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TK7S10N1Z,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 7A DPAK

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 48mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.1nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 470pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 50W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK+
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK80S04K3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 80A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.1mOhm @ 40A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 87nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4340pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 100W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK+
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK80S06K3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 6V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 85nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 4200pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 100W (Tc)
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: DPAK+
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK8A10K3,S5Q

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 100V 8A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 120mOhm @ 4A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.9nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 530pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 18W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK8A45DA(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 7.5A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK8A45D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 450V 8A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 450V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 900mOhm @ 4A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 35W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK8A50DA(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 7.5A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.04Ohm @ 3.8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 35W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK8A50D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK8A55DA(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 550V 7.5A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 550V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.07Ohm @ 3.8A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 40W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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TK8A60DA(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220SIS

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: π-MOSVII
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1Ohm @ 4A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±30V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 45W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220SIS
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack

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