晶體管

TP2540N3-G-P002

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3

• 制造商: Microchip Technology
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86mA (Tj)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 125pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 740mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-92-3
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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TP2540N8-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 400V 0.125A SOT89-3

• 制造商: Microchip Technology
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 125mA (Tj)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 125pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89)
• 包裝/箱: TO-243AA

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TP2635N3-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3

• 制造商: Microchip Technology
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 350V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Tj)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1W (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-92-3
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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TP2640LG-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 400V 0.086A 8SOIC

• 制造商: Microchip Technology
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 86mA (Tj)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 740mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-SOIC
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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TP2640N3-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3

• 制造商: Microchip Technology
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 400V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 180mA (Tj)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1W (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-92-3
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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TP5322K1-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 220V 0.12A SOT23-3

• 制造商: Microchip Technology
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 220V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 120mA (Tj)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 360mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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TP5322N8-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3

• 制造商: Microchip Technology
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 220V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 260mA (Tj)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1.6W (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-243AA (SOT-89)
• 包裝/箱: TO-243AA

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TP5335K1-G

Microchip Technology

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3

• 制造商: Microchip Technology
• 系列: -
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 350V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 85mA (Tj)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30Ohm @ 200mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 110pF @ 25V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 360mW (Ta)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: TO-236AB (SOT23)
• 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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TP65H035WS

Transphorm

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

• 制造商: Transphorm
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: GaNFET (Gallium Nitride)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 46.5A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 12V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.8V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 36nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 400V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 156W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-247-3
• 包裝/箱: TO-247-3

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TP65H035WSQA

Transphorm

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET N-CH 650V 47A TO247-3

• 制造商: Transphorm
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• FET類型: N-Channel
• 技術: GaNFET (Gallium Nitride)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 47.2A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.5V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 400V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 187W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-247-3
• 包裝/箱: TO-247-3

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TP65H050WS

Transphorm

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET N-CH 650V 34A TO247-3

• 制造商: Transphorm
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: GaNFET (Gallium Nitride)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 12V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.8V @ 700µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 400V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 119W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-247-3
• 包裝/箱: TO-247-3

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TP65H070LDG

Transphorm

晶體管-FET，MOSFET-單

650 V 25 A GAN FET

• 制造商: Transphorm
• 系列: TP65H070L
• FET類型: N-Channel
• 技術: GaNFET (Gallium Nitride)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.8V @ 700µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 400V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 96W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 3-PQFN (8x8)
• 包裝/箱: 3-PowerDFN

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TP65H070LSG

Transphorm

晶體管-FET，MOSFET-單

650 V 25 A GAN FET

• 制造商: Transphorm
• 系列: TP65H070L
• FET類型: N-Channel
• 技術: GaNFET (Gallium Nitride)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 650V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 25A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.8V @ 700µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.3nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 400V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 96W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 3-PQFN (8x8)
• 包裝/箱: 3-PowerDFN

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TP86R203NL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 30V 19A 8SOP

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 19A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.2mOhm @ 9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 200µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1400pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-SOP
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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TP89R103NL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N CH 30V 15A 8SOP

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.1mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.8nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 820pF @ 15V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1W (Tc)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-SOP
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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TP90H180PS

Transphorm

晶體管-FET，MOSFET-單

GANFET N-CH 900V 15A TO220AB

• 制造商: Transphorm
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: GaNFET (Gallium Nitride)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 900V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15A (Tc)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 205mOhm @ 10A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.6V @ 500µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 8V
• Vgs（最大）: ±18V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 600V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 78W (Tc)
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 供應商設備包裝: TO-220AB
• 包裝/箱: TO-220-3

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TPC6006-H(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIII-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.9A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75mOhm @ 1.9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.4nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 251pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 700mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: VS-6 (2.9x2.8)
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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TPC6008-H(TE85L,FM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVI-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.9A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.8nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 700mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: VS-6 (2.9x2.8)
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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TPC6009-H(TE85L,FM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVI-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.3A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 81mOhm @ 2.7A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.7nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 290pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 700mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: VS-6 (2.9x2.8)
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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TPC6010-H(TE85L,FM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVI-H
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.1A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 3.1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 700mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: VS-6 (2.9x2.8)
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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TPC6011(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 6A VS6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 640pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 700mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: VS-6 (2.9x2.8)
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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TPC6012(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 20V 6A VS6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIV
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 3A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 200µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 630pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 700mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: VS-6 (2.9x2.8)
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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TPC6104(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIII
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.8V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 2.8A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 200µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1430pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 700mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: VS-6 (2.9x2.8)
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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TPC6107(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIV
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 2.2A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 200µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.8nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 680pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 700mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: VS-6 (2.9x2.8)
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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TPC6109-H(TE85L,FM

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 5A VS-6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSIII-H
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 59mOhm @ 2.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 200µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12.3nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 490pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 700mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: VS-6 (2.9x2.8)
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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TPC6110(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVI
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 56mOhm @ 2.2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs（最大）: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 510pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 700mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: VS-6 (2.9x2.8)
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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TPC6111(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSV
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 1.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 40mOhm @ 2.8A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 700pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 700mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: VS-6 (2.9x2.8)
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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TPC6113(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET P-CH 20V 5A VS6

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: U-MOSVI
• FET類型: P-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 2.5V, 4.5V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 200µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 5V
• Vgs（最大）: ±12V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 690pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 700mW (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: VS-6 (2.9x2.8)
• 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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TPC8014(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 39nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1860pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1W (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-SOP (5.5x6.0)
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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TPC8018-H(TE12LQM)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-單

MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: N-Channel
• 技術: MOSFET (Metal Oxide)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta)
• 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On）: 4.5V, 10V
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.6mOhm @ 9A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 38nC @ 10V
• Vgs（最大）: ±20V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2265pF @ 10V
• FET功能: -
• 功耗（最大值）: 1W (Ta)
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 供應商設備包裝: 8-SOP (5.5x6.0)
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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