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晶體管

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頁面 1969/2164
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型號
描述
庫存
數量
BSM35GD120DN2
BSM35GD120DN2

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT BSM35GD120DN2BOSA1

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: NPT
  • 配置: Three Phase Inverter
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 50A
  • 功率-最大: 280W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.2V @ 15V, 35A
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 2nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存524
BSM35GD120DN2E3224BOSA1
BSM35GD120DN2E3224BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Three Phase Inverter
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 50A
  • 功率-最大: 280W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.2V @ 15V, 35A
  • 當前-集電極截止(最大值): 1mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 2nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存6,750
BSM35GP120BOSA1
BSM35GP120BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE 1200V 35A

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: NPT
  • 配置: Three Phase Inverter
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 45A
  • 功率-最大: 230W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): 500µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 1.5nF @ 25V
  • 輸入: -
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存5,598
BSM35GP120GBOSA1
BSM35GP120GBOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Full Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 45A
  • 功率-最大: 230W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.85V @ 15V, 35A
  • 當前-集電極截止(最大值): 500µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 1.5nF @ 25V
  • 輸入: Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存8,748
BSM400GA120DLCHOSA1
BSM400GA120DLCHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 625A
  • 功率-最大: 2500W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.6V @ 15V, 400A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 26nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存7,056
BSM400GA120DN2HOSA1
BSM400GA120DN2HOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single Switch
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 550A
  • 功率-最大: 2700W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3V @ 15V, 400A
  • 當前-集電極截止(最大值): 8mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 26nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存8,136
BSM400GA170DLCHOSA1
BSM400GA170DLCHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1700V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 800A
  • 功率-最大: 3120W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.2V @ 15V, 400A
  • 當前-集電極截止(最大值): 1mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 29nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存5,382
BSM50GAL120DN2HOSA1
BSM50GAL120DN2HOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single Switch
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 78A
  • 功率-最大: 400W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 1mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.3nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存2,574
BSM50GB120DLCHOSA1
BSM50GB120DLCHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 115A
  • 功率-最大: 460W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.6V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.3nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存7,272
BSM50GB120DN2HOSA1
BSM50GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 78A
  • 功率-最大: 400W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 1mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.3nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存7,812
BSM50GB170DN2HOSA1
BSM50GB170DN2HOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1700V 72A 500W MODULE

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1700V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 72A
  • 功率-最大: 500W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.9V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 8nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存7,542
BSM50GB60DLCHOSA1
BSM50GB60DLCHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE 600V 75A

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 75A
  • 功率-最大: 280W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.45V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 500µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 2.2nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存2,232
BSM50GD120DLCBOSA1
BSM50GD120DLCBOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Three Phase Inverter
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 85A
  • 功率-最大: 350W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.6V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 84µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.3nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存5,526
BSM50GD120DN2BOSA1
BSM50GD120DN2BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Full Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 72A
  • 功率-最大: 350W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 1mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.3nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存3,816
BSM50GD120DN2E3226BOSA1
BSM50GD120DN2E3226BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Three Phase Inverter
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 50A
  • 功率-最大: 350W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 1mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.3nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存2,376
BSM50GD120DN2G
BSM50GD120DN2G

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Full Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 78A
  • 功率-最大: 400W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.7V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 33nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存2,121
BSM50GD170DLBOSA1
BSM50GD170DLBOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Full Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1700V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100A
  • 功率-最大: 480W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.3V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 100µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.5nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存2,016
BSM50GD60DLCBOSA1
BSM50GD60DLCBOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Three Phase Inverter
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 70A
  • 功率-最大: 250W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.45V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 500µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 2.2nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存6,228
BSM50GP120BOSA1
BSM50GP120BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE 1200V 50A

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: *
  • IGBT類型: -
  • 配置: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 功率-最大: -
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: -
  • 輸入: -
  • NTC熱敏電阻: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存8,262
BSM50GP60BOSA1
BSM50GP60BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Full Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 70A
  • 功率-最大: 250W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.75V @ 15V, 25A
  • 當前-集電極截止(最大值): 500µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 1.1nF @ 25V
  • 輸入: Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存7,542
BSM50GP60GBOSA1
BSM50GP60GBOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Three Phase Inverter
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 70A
  • 功率-最大: 250W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.55V @ 15V, 50A
  • 當前-集電極截止(最大值): 500µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 2.8nF @ 25V
  • 輸入: Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC熱敏電阻: Yes
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存3,400
BSM50GX120DN2BOSA1
BSM50GX120DN2BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: *
  • IGBT類型: -
  • 配置: -
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): -
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): -
  • 功率-最大: -
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: -
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: -
  • 輸入: -
  • NTC熱敏電阻: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: -
  • 供應商設備包裝: -
庫存4,248
BSM75GAL120DN2HOSA1
BSM75GAL120DN2HOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single Switch
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 105A
  • 功率-最大: 625W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3V @ 15V, 75A
  • 當前-集電極截止(最大值): 1.4mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 5.5nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存3,852
BSM75GAR120DN2HOSA1
BSM75GAR120DN2HOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: Trench Field Stop
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 30A
  • 功率-最大: 235W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.2V @ 15V, 15A
  • 當前-集電極截止(最大值): 400µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 1nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存2,628
BSM75GB120DLCHOSA1
BSM75GB120DLCHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: 2 Independent
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 170A
  • 功率-最大: 690W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.6V @ 15V, 75A
  • 當前-集電極截止(最大值): 5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 5.1nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存4,410
BSM75GB120DN2HOSA1
BSM75GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 105A
  • 功率-最大: 625W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3V @ 15V, 75A
  • 當前-集電極截止(最大值): 1.5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 5.5nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存8,064
BSM75GB170DN2HOSA1
BSM75GB170DN2HOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 1700V 110A 625W MODULE

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Half Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1700V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 110A
  • 功率-最大: 625W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3.9V @ 15V, 75A
  • 當前-集電極截止(最大值): -
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 11nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存4,824
BSM75GB60DLCHOSA1
BSM75GB60DLCHOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT MODULE 600V 100A

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Single
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 600V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 100A
  • 功率-最大: 355W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.45V @ 15V, 75A
  • 當前-集電極截止(最大值): 500µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 3.3nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存8,622
BSM75GD120DLCBOSA1
BSM75GD120DLCBOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Full Bridge
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 125A
  • 功率-最大: 500W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 2.6V @ 15V, 75A
  • 當前-集電極截止(最大值): 92µA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 5.1nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存6,746
BSM75GD120DN2BOSA1
BSM75GD120DN2BOSA1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-模塊

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

  • 制造商: Infineon Technologies
  • 系列: -
  • IGBT類型: -
  • 配置: Three Phase Inverter
  • 電壓-集電極發射極擊穿(最大值): 1200V
  • 當前-集電極(Ic)(最大值): 103A
  • 功率-最大: 520W
  • Vce(on)(Max)@ Vge,Ic: 3V @ 15V, 75A
  • 當前-集電極截止(最大值): 1.5mA
  • 輸入電容(Cies)@ Vce: 5.1nF @ 25V
  • 輸入: Standard
  • NTC熱敏電阻: No
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Chassis Mount
  • 包裝/箱: Module
  • 供應商設備包裝: Module
庫存7,344