晶體管

FGA6065ADF

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 120A 306W TO3P

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 180A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 60A
• 功率-最大: 306W
• 開關能量: 2.46mJ (on), 520µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 84nC
• 25°C時的Td（開/關）: 25.6ns/71ns
• 測試條件: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 110ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3PN

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FGA60N60UFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 120A 298W TO3P

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 180A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 60A
• 功率-最大: 298W
• 開關能量: 1.81mJ (on), 810µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 188nC
• 25°C時的Td（開/關）: 23ns/130ns
• 測試條件: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 47ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3PN

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FGA60N65SMD

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 120A 600W TO3P

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 180A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 60A
• 功率-最大: 600W
• 開關能量: 1.54mJ (on), 450µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 189nC
• 25°C時的Td（開/關）: 18ns/104ns
• 測試條件: 400V, 60A, 3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 47ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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FGA6530WDF

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 60A 176W TO3PN

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 90A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 176W
• 開關能量: 960µJ (on), 162µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 37.4nC
• 25°C時的Td（開/關）: 12ns/42.4ns
• 測試條件: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 81ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3PN

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FGA6540WDF

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 80A 238W TO-3PN

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 238W
• 開關能量: 1.37mJ (on), 250µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 55.5nC
• 25°C時的Td（開/關）: 16.8ns/54.4ns
• 測試條件: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 101ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3PN

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FGA6560WDF

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 120A 306W TO-3PN

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 180A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 60A
• 功率-最大: 306W
• 開關能量: 2.46mJ (on), 520µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 84nC
• 25°C時的Td（開/關）: 25.6ns/71ns
• 測試條件: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 110ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3PN

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FGA70N30TDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 300V 201W TO3P

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.5V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 201W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 125nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 21ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3PN

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FGA70N30TTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 300V 201W TO3P

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.5V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 201W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 125nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3PN

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FGA70N33BTDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 330V 149W TO3P

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 330V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 220A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.7V @ 15V, 70A
• 功率-最大: 149W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 49nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 23ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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FGA90N30DTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 300V 90A 219W TO3P

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 90A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 220A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.4V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 219W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 87nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 21ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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FGA90N30TU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 300V 90A 219W TO3P

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 90A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 220A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.4V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 219W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 87nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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FGA90N33ATDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 330V 90A 223W TO3P

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 330V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 90A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 330A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.4V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 223W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 95nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 23ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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FGA90N33ATTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 330V 90A 223W TO3P

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 330V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 90A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 330A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.4V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 223W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 95nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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FGAF20N60SMD

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 62.5W TO-3PF

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.7V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 75W
• 開關能量: 452µJ (on), 141µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 64nC
• 25°C時的Td（開/關）: 12ns/91ns
• 測試條件: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 26.7ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-3PF

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FGAF40N60SMD

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 80A 79W TO-3PF

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 115W
• 開關能量: 870µJ (on), 260µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 119nC
• 25°C時的Td（開/關）: 12ns/92ns
• 測試條件: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 36ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-3PF

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FGAF40N60UFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 100W TO3PF

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 100W
• 開關能量: 470µJ (on), 130µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 77nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/65ns
• 測試條件: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 95ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-3PF

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FGAF40N60UFTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 100W TO3PF

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 100W
• 開關能量: 470µJ (on), 130µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 77nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/65ns
• 測試條件: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-3PF

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FGAF40S65AQ

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V 40A FS4 SA IGBT

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 94W
• 開關能量: 132µJ (on), 62µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 75nC
• 25°C時的Td（開/關）: 17.8ns/81.6ns
• 測試條件: 400V, 10A, 6Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 274ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-3PF-3

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FGB20N60SF

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 208W D2PAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 208W
• 開關能量: 370µJ (on), 160µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 65nC
• 25°C時的Td（開/關）: 13ns/90ns
• 測試條件: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D²PAK

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FGB20N60SFD

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 208W D2PAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 208W
• 開關能量: 370µJ (on), 160µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 65nC
• 25°C時的Td（開/關）: 13ns/90ns
• 測試條件: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 34ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D²PAK

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FGB20N60SFD-F085

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 208W D2PAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• IGBT類型: Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.85V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 208W
• 開關能量: 310µJ (on), 130µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 63nC
• 25°C時的Td（開/關）: 10ns/90ns
• 測試條件: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 111ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D²PAK

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FGB20N6S2

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 28A 125W TO263AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 28A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 40A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 7A
• 功率-最大: 125W
• 開關能量: 25µJ (on), 58µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 30nC
• 25°C時的Td（開/關）: 7.7ns/87ns
• 測試條件: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: TO-263AB

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FGB20N6S2D

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 28A 125W TO263AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 28A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 40A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 7A
• 功率-最大: 125W
• 開關能量: 25µJ (on), 58µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 30nC
• 25°C時的Td（開/關）: 7.7ns/87ns
• 測試條件: 390V, 7A, 25Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 31ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: TO-263AB

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FGB3040CS

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 430V 21A 150W TO263-6

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: EcoSPARK®
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 430V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 21A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.6V @ 4V, 6A
• 功率-最大: 150W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Logic
• 門禁費用: 15nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/4.7µs
• 測試條件: 300V, 1kOhm, 5V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
• 供應商設備包裝: TO-263-6

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FGB3040G2-F085

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 400V 41A TO263

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 41A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.25V @ 4V, 6A
• 功率-最大: 150W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Logic
• 門禁費用: 21nC
• 25°C時的Td（開/關）: 900ns/4.8µs
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D²PAK (TO-263)

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FGB3040G2-F085C

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

ECOSPARK2 IGN-IGBT TO263

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 41A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.25V @ 4V, 6A
• 功率-最大: 150W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Logic
• 門禁費用: 21nC
• 25°C時的Td（開/關）: 900ns/4.8µs
• 測試條件: 5V, 470Ohm
• 反向恢復時間（trr）: 1.9µs
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D²PAK-3 (TO-263-3)

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FGB30N6S2

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 45A 167W TO263AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 45A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 108A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 12A
• 功率-最大: 167W
• 開關能量: 55µJ (on), 100µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 23nC
• 25°C時的Td（開/關）: 6ns/40ns
• 測試條件: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: TO-263AB

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FGB30N6S2D

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 45A 167W TO263AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 45A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 108A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 12A
• 功率-最大: 167W
• 開關能量: 55µJ (on), 100µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 23nC
• 25°C時的Td（開/關）: 6ns/40ns
• 測試條件: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 46ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: TO-263AB

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FGB30N6S2DT

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 45A 167W TO263AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 45A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 108A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 12A
• 功率-最大: 167W
• 開關能量: 55µJ (on), 100µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 23nC
• 25°C時的Td（開/關）: 6ns/40ns
• 測試條件: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 46ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: TO-263AB

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FGB30N6S2T

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 45A 167W TO263AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 45A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 108A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 12A
• 功率-最大: 167W
• 開關能量: 55µJ (on), 110µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 23nC
• 25°C時的Td（開/關）: 6ns/40ns
• 測試條件: 390V, 12A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: TO-263AB

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