晶體管

AUIRGPS4070D0

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 700V SUPER PG-TO274-3-903

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 240A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 360A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 120A
• 功率-最大: 750W
• 開關能量: 5.7mJ (on), 4.2mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 250nC
• 25°C時的Td（開/關）: 40ns/140ns
• 測試條件: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 210ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-274AA
• 供應商設備包裝: PG-TO274-3-903

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AUIRGR4045D

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 12A 77W DPAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 18A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 6A
• 功率-最大: 77W
• 開關能量: 56µJ (on), 122µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 19.5nC
• 25°C時的Td（開/關）: 27ns/75ns
• 測試條件: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 74ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: TO-252AA

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AUIRGR4045DTRL

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 12A 77W DPAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 18A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 6A
• 功率-最大: 77W
• 開關能量: 56µJ (on), 122µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 19.5nC
• 25°C時的Td（開/關）: 27ns/75ns
• 測試條件: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 74ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: TO-252AA

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AUIRGS30B60K

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 78A 370W D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 78A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.35V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 370W
• 開關能量: 350µJ (on), 825µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 102nC
• 25°C時的Td（開/關）: 46ns/185ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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AUIRGS30B60KTRL

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 78A 370W D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 78A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.35V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 370W
• 開關能量: 350µJ (on), 825µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 102nC
• 25°C時的Td（開/關）: 46ns/185ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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AUIRGS4062D1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 59A 246W D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 59A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 72A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.77V @ 15V, 24A
• 功率-最大: 246W
• 開關能量: 532µJ (on), 311µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 77nC
• 25°C時的Td（開/關）: 19ns/90ns
• 測試條件: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 102ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D²PAK

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AUIRGS4062D1TRL

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 59A 246W D2PAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 59A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 72A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.77V @ 15V, 24A
• 功率-最大: 246W
• 開關能量: 532µJ (on), 311µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 77nC
• 25°C時的Td（開/關）: 19ns/90ns
• 測試條件: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 102ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D²PAK

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AUIRGSL30B60K

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 78A 370W TO262

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 78A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.35V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 370W
• 開關能量: 350µJ (on), 825µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 102nC
• 25°C時的Td（開/關）: 46ns/185ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
• 供應商設備包裝: TO-262

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AUIRGSL4062D1

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 59A 246W TO-262

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 59A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 72A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.77V @ 15V, 24A
• 功率-最大: 246W
• 開關能量: 532µJ (on), 311µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 77nC
• 25°C時的Td（開/關）: 19ns/90ns
• 測試條件: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 102ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
• 供應商設備包裝: TO-262

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AUIRGU4045D

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

DIODE 600V IGBT

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 18A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 6A
• 功率-最大: 77W
• 開關能量: 56µJ (on), 122µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 19.5nC
• 25°C時的Td（開/關）: 27ns/75ns
• 測試條件: 400V, 6A, 47Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 74ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
• 供應商設備包裝: I-PAK

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AUXKNG4PH50S-215

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V TO247-3

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: -
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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AUXMIGP4063D

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V TO-247 COPAK

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: -
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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BUP213

Infineon Technologies

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 32A 200W TO220

• 制造商: Infineon Technologies
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 32A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 64A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 200W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: 70ns/400ns
• 測試條件: 600V, 15A, 82Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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DGTD120T25S1PT

Diodes Incorporated

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• IGBT類型: Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 348W
• 開關能量: 1.44mJ (on), 550µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 204nC
• 25°C時的Td（開/關）: 73ns/269ns
• 測試條件: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 100ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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DGTD120T40S1PT

Diodes Incorporated

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• IGBT類型: Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 357W
• 開關能量: 1.96mJ (on), 540µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 341nC
• 25°C時的Td（開/關）: 65ns/308ns
• 測試條件: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 100ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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DGTD65T15H2TF

Diodes Incorporated

晶體管-IGBT-單

IGBT600V-XITO-220AB

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• IGBT類型: Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 48W
• 開關能量: 270µJ (on), 86µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 61nC
• 25°C時的Td（開/關）: 19ns/128ns
• 測試條件: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 150ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
• 供應商設備包裝: ITO-220AB

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DGTD65T40S1PT

Diodes Incorporated

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• IGBT類型: Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 341W
• 開關能量: 1.15mJ (on), 350µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 219nC
• 25°C時的Td（開/關）: 58ns/245ns
• 測試條件: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 145ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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DGTD65T40S2PT

Diodes Incorporated

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• IGBT類型: Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 230W
• 開關能量: 500µJ (on), 400µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 60nC
• 25°C時的Td（開/關）: 6ns/55ns
• 測試條件: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 60ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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DGTD65T50S1PT

Diodes Incorporated

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• IGBT類型: Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 375W
• 開關能量: 770µJ (on), 550µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 287nC
• 25°C時的Td（開/關）: 58ns/328ns
• 測試條件: 400V, 50A, 7.9Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 80ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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DGTD65T60S2PT

Diodes Incorporated

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K

• 制造商: Diodes Incorporated
• 系列: -
• IGBT類型: Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 180A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 60A
• 功率-最大: 428W
• 開關能量: 920µJ (on), 530µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 95nC
• 25°C時的Td（開/關）: 42ns/142ns
• 測試條件: 400V, 60A, 7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 205ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247

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FGA120N30DTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 300V 120A 290W TO3P

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 120A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 300A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.4V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 290W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 120nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 21ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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FGA15N120ANDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 24A 200W TO3P

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 24A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 45A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 200W
• 開關能量: 3.27mJ (on), 600µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 120nC
• 25°C時的Td（開/關）: 90ns/310ns
• 測試條件: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 330ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3PN

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FGA15N120ANTDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 30A 186W TO3P

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: NPT and Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 45A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 186W
• 開關能量: 3mJ (on), 600µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 120nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/160ns
• 測試條件: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 330ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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FGA15N120ANTDTU-F109

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 30A 186W TO3P

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: NPT and Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 45A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 186W
• 開關能量: 3mJ (on), 600µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 120nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/160ns
• 測試條件: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 330ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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FGA15N120FTDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 30A 220W TO3PN

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 45A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 220W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 100nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 575ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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FGA15S125P

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1250V 30A 136W TO3PN

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1250V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 45A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.72V @ 15V, 15A
• 功率-最大: 136W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 129nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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FGA180N30DTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 300V 180A 480W TO3P

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 300V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 180A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 450A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.4V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 480W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 185nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 21ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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FGA180N33ATTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 330V 180A 390W TO3P

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 330V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 180A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 450A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.4V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 390W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 169nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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FGA20N120FTDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 40A 298W TO3PN

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 298W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 137nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 447ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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FGA20S120M

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 40A 348W TO3PN

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.85V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 348W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 208nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
• 供應商設備包裝: TO-3P

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