晶體管

型號	描述	庫存
FGA20S125P ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1250V 40A 250W TO-3PN 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1250V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 20A 功率-最大: 250W 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: 129nC 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3PN	庫存4,680
FGA20S125P-SN00336 ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1250V 20A 250W TO-3PN 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1250V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 20A 功率-最大: 250W 開關能量: 740µJ (on), 500µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 153nC 25°C時的Td（開/關）: 10ns/400ns 測試條件: 600V, 20A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3PN	庫存6,336
FGA20S140P ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1400V 40A 272W TO-3PN 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1400V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 20A 功率-最大: 272W 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: 203.5nC 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3PN	庫存13,632
FGA25N120ANDTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 40A 310W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 電流-集電極脈沖（Icm）: 75A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 25A 功率-最大: 310W 開關能量: 4.8mJ (on), 1mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 200nC 25°C時的Td（開/關）: 60ns/170ns 測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 350ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3P	庫存3,060
FGA25N120ANTDTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 50A 312W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: NPT and Trench 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 電流-集電極脈沖（Icm）: 90A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.65V @ 15V, 50A 功率-最大: 312W 開關能量: 4.1mJ (on), 960µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 200nC 25°C時的Td（開/關）: 50ns/190ns 測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 350ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3P	庫存20,916
FGA25N120ANTDTU-F109 ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 50A 312W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: NPT and Trench 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 電流-集電極脈沖（Icm）: 90A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.65V @ 15V, 50A 功率-最大: 312W 開關能量: 4.1mJ (on), 960µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 200nC 25°C時的Td（開/關）: 50ns/190ns 測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 350ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3P	庫存6,600
FGA25N120ANTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 40A 310W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 電流-集電極脈沖（Icm）: 75A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 25A 功率-最大: 310W 開關能量: 4.8mJ (on), 1mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 200nC 25°C時的Td（開/關）: 60ns/170ns 測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3P	庫存3,312
FGA25N120FTD ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 50A 313W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 電流-集電極脈沖（Icm）: 75A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 25A 功率-最大: 313W 開關能量: 340µJ (on), 900µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 160nC 25°C時的Td（開/關）: 48ns/210ns 測試條件: 600V, 25A, 15Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 770ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3P	庫存8,604
FGA25S125P ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1250V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 電流-集電極脈沖（Icm）: 75A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.35V @ 15V, 25A 功率-最大: 250W 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: 204nC 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3PN	庫存5,436
FGA25S125P-SN00337 ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1250V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 電流-集電極脈沖（Icm）: 75A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.35V @ 15V, 25A 功率-最大: 250W 開關能量: 1.09mJ (on), 580µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 204nC 25°C時的Td（開/關）: 24ns/502ns 測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3PN	庫存7,128
FGA3060ADF ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 60A 176W TO-3PN 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A 電流-集電極脈沖（Icm）: 90A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 30A 功率-最大: 176W 開關能量: 960µJ (on), 165µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 37.4nC 25°C時的Td（開/關）: 12ns/42.4ns 測試條件: 400V, 30A, 6Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 26ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3PN	庫存4,320
FGA30N120FTDTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1200V 60A 339W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A 電流-集電極脈沖（Icm）: 90A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 30A 功率-最大: 339W 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: 208nC 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: 730ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3PN	庫存6,252
FGA30N60LSDTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 60A 480W TO3PN 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A 電流-集電極脈沖（Icm）: 90A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.4V @ 15V, 30A 功率-最大: 480W 開關能量: 1.1mJ (on), 21mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 225nC 25°C時的Td（開/關）: 18ns/250ns 測試條件: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 35ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3P	庫存11,292
FGA30N65SMD ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 650V 60A 300W TO3P-3 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A 電流-集電極脈沖（Icm）: 90A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 30A 功率-最大: 300W 開關能量: 716µJ (on), 208µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 87nC 25°C時的Td（開/關）: 14ns/102ns 測試條件: 400V, 30A, 6Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 35ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3PN	庫存2,916
FGA30S120P ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1300V 60A 348W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1300V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 30A 功率-最大: 348W 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: 78nC 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3PN	庫存9,336
FGA30T65SHD ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 650V 60A 238W TO-3PN 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A 電流-集電極脈沖（Icm）: 90A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 30A 功率-最大: 238W 開關能量: 598µJ (on), 167µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 54.7nC 25°C時的Td（開/關）: 14.4ns/52.8ns 測試條件: 400V, 30A, 6Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 31.8ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3PN	庫存8,064
FGA4060ADF ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 80A 238W TO-3PN 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 40A 功率-最大: 238W 開關能量: 1.37mJ (on), 250µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 55.5nC 25°C時的Td（開/關）: 16.8ns/54.4ns 測試條件: 400V, 40A, 6Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 26ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3PN	庫存4,608
FGA40N60UFDTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 40A 160W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 20A 功率-最大: 160W 開關能量: 470µJ (on), 130µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 77nC 25°C時的Td（開/關）: 15ns/65ns 測試條件: 300V, 20A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 95ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3P	庫存2,916
FGA40N65SMD ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 650V 80A 349W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 40A 功率-最大: 349W 開關能量: 820µJ (on), 260µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 119nC 25°C時的Td（開/關）: 12ns/92ns 測試條件: 400V, 40A, 6Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 42ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3PN	庫存7,800
FGA40S65SH ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 650V FS GEN3 TRENCH IGBT 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.81V @ 15V, 40A 功率-最大: 268W 開關能量: 194µJ (on), 388µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 73nC 25°C時的Td（開/關）: 19.2ns/68.8ns 測試條件: 400V, 40A, 6Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3PN	庫存5,454
FGA40T65SHD ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 650V 80A 268W TO-3PN 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 40A 功率-最大: 268W 開關能量: 1.01mJ (on), 297µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 72.2nC 25°C時的Td（開/關）: 19.2ns/65.6ns 測試條件: 400V, 40A, 6Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 31.8ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3PN	庫存8,196
FGA40T65SHDF ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 650V 80A 268W TO-3PN 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.81V @ 15V, 40A 功率-最大: 268W 開關能量: 1.22mJ (on), 440µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 68nC 25°C時的Td（開/關）: 18ns/64ns 測試條件: 400V, 40A, 6Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 101ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3PN	庫存3,420
FGA40T65UQDF ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 650V 80A 231W TO3PN 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.67V @ 15V, 40A 功率-最大: 231W 開關能量: 989µJ (on), 310µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 306nC 25°C時的Td（開/關）: 32ns/271ns 測試條件: 400V, 40A, 6Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 89ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3PN	庫存5,616
FGA5065ADF ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 650V 100A TO-3PN 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 50A 功率-最大: 268W 開關能量: 1.35mJ (on), 309µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 72.2nC 25°C時的Td（開/關）: 20.8ns/62.4ns 測試條件: 400V, 50A, 6Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 31.8ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3PN	庫存8,334
FGA50N100BNTD2 ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1000V 50A 156W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: NPT and Trench 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1000V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.9V @ 15V, 60A 功率-最大: 156W 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: 257nC 25°C時的Td（開/關）: 34ns/243ns 測試條件: 600V, 60A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 75ns 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3P	庫存5,382
FGA50N100BNTDTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1000V 50A 156W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: NPT and Trench 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1000V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.9V @ 15V, 60A 功率-最大: 156W 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: 275nC 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: 1.5µs 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3P	庫存1,240
FGA50N100BNTTU ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1000V 50A 156W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: NPT and Trench 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1000V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 電流-集電極脈沖（Icm）: 200A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.9V @ 15V, 60A 功率-最大: 156W 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: 257nC 25°C時的Td（開/關）: 34ns/243ns 測試條件: 600V, 60A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3P	庫存7,758
FGA50N60LS ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 600V 100A 240W TO3P 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 50A 功率-最大: 240W 開關能量: 1.1mJ (on), 3.2mJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 167nC 25°C時的Td（開/關）: 54ns/146ns 測試條件: 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3P	庫存3,258
FGA50S110P ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 1100V 50A 300W TO3PN 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1100V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 50A 功率-最大: 300W 開關能量: - 輸入類型: Standard 門禁費用: 195nC 25°C時的Td（開/關）: - 測試條件: - 反向恢復時間（trr）: - 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3PN	庫存8,046
FGA50T65SHD ON Semiconductor	晶體管-IGBT-單 IGBT 650V 100A 319W TO-3PN 制造商: ON Semiconductor 系列: - IGBT類型: Trench Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 50A 功率-最大: 319W 開關能量: 1.28mJ (on), 384µJ (off) 輸入類型: Standard 門禁費用: 87nC 25°C時的Td（開/關）: 22.4ns/73.6ns 測試條件: 400V, 50A, 6Ohm, 15V 反向恢復時間（trr）: 34.6ns 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3 供應商設備包裝: TO-3PN	庫存16,260

FGA20S125P

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1250V 40A 250W TO-3PN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1250V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 20A
功率-最大: 250W
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: 129nC
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3PN

庫存4,680

FGA20S125P-SN00336

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1250V 20A 250W TO-3PN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1250V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 20A
功率-最大: 250W
開關能量: 740µJ (on), 500µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 153nC
25°C時的Td（開/關）: 10ns/400ns
測試條件: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3PN

庫存6,336

FGA20S140P

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1400V 40A 272W TO-3PN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1400V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 20A
功率-最大: 272W
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: 203.5nC
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3PN

庫存13,632

FGA25N120ANDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 40A 310W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: NPT
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
電流-集電極脈沖（Icm）: 75A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 25A
功率-最大: 310W
開關能量: 4.8mJ (on), 1mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 200nC
25°C時的Td（開/關）: 60ns/170ns
測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 350ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3P

庫存3,060

FGA25N120ANTDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 50A 312W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: NPT and Trench
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
電流-集電極脈沖（Icm）: 90A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.65V @ 15V, 50A
功率-最大: 312W
開關能量: 4.1mJ (on), 960µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 200nC
25°C時的Td（開/關）: 50ns/190ns
測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 350ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3P

庫存20,916

FGA25N120ANTDTU-F109

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 50A 312W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: NPT and Trench
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
電流-集電極脈沖（Icm）: 90A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.65V @ 15V, 50A
功率-最大: 312W
開關能量: 4.1mJ (on), 960µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 200nC
25°C時的Td（開/關）: 50ns/190ns
測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 350ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3P

庫存6,600

FGA25N120ANTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 40A 310W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: NPT
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
電流-集電極脈沖（Icm）: 75A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 25A
功率-最大: 310W
開關能量: 4.8mJ (on), 1mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 200nC
25°C時的Td（開/關）: 60ns/170ns
測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3P

庫存3,312

FGA25N120FTD

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 50A 313W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
電流-集電極脈沖（Icm）: 75A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 25A
功率-最大: 313W
開關能量: 340µJ (on), 900µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 160nC
25°C時的Td（開/關）: 48ns/210ns
測試條件: 600V, 25A, 15Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 770ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3P

庫存8,604

FGA25S125P

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1250V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
電流-集電極脈沖（Icm）: 75A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.35V @ 15V, 25A
功率-最大: 250W
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: 204nC
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3PN

庫存5,436

FGA25S125P-SN00337

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1250V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
電流-集電極脈沖（Icm）: 75A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.35V @ 15V, 25A
功率-最大: 250W
開關能量: 1.09mJ (on), 580µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 204nC
25°C時的Td（開/關）: 24ns/502ns
測試條件: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3PN

庫存7,128

FGA3060ADF

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 60A 176W TO-3PN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
電流-集電極脈沖（Icm）: 90A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 30A
功率-最大: 176W
開關能量: 960µJ (on), 165µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 37.4nC
25°C時的Td（開/關）: 12ns/42.4ns
測試條件: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 26ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3PN

庫存4,320

FGA30N120FTDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 60A 339W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
電流-集電極脈沖（Icm）: 90A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 30A
功率-最大: 339W
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: 208nC
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: 730ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3PN

庫存6,252

FGA30N60LSDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 60A 480W TO3PN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
電流-集電極脈沖（Icm）: 90A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.4V @ 15V, 30A
功率-最大: 480W
開關能量: 1.1mJ (on), 21mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 225nC
25°C時的Td（開/關）: 18ns/250ns
測試條件: 400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 35ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3P

庫存11,292

FGA30N65SMD

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 60A 300W TO3P-3

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
電流-集電極脈沖（Icm）: 90A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 30A
功率-最大: 300W
開關能量: 716µJ (on), 208µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 87nC
25°C時的Td（開/關）: 14ns/102ns
測試條件: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 35ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3PN

庫存2,916

FGA30S120P

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1300V 60A 348W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1300V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 30A
功率-最大: 348W
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: 78nC
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3PN

庫存9,336

FGA30T65SHD

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 60A 238W TO-3PN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
電流-集電極脈沖（Icm）: 90A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 30A
功率-最大: 238W
開關能量: 598µJ (on), 167µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 54.7nC
25°C時的Td（開/關）: 14.4ns/52.8ns
測試條件: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 31.8ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3PN

庫存8,064

FGA4060ADF

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 80A 238W TO-3PN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 40A
功率-最大: 238W
開關能量: 1.37mJ (on), 250µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 55.5nC
25°C時的Td（開/關）: 16.8ns/54.4ns
測試條件: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 26ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3PN

庫存4,608

FGA40N60UFDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 160W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 20A
功率-最大: 160W
開關能量: 470µJ (on), 130µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 77nC
25°C時的Td（開/關）: 15ns/65ns
測試條件: 300V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 95ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3P

庫存2,916

FGA40N65SMD

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 80A 349W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 40A
功率-最大: 349W
開關能量: 820µJ (on), 260µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 119nC
25°C時的Td（開/關）: 12ns/92ns
測試條件: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 42ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3PN

庫存7,800

FGA40S65SH

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

650V FS GEN3 TRENCH IGBT

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.81V @ 15V, 40A
功率-最大: 268W
開關能量: 194µJ (on), 388µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 73nC
25°C時的Td（開/關）: 19.2ns/68.8ns
測試條件: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3PN

庫存5,454

FGA40T65SHD

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 80A 268W TO-3PN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 40A
功率-最大: 268W
開關能量: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 72.2nC
25°C時的Td（開/關）: 19.2ns/65.6ns
測試條件: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 31.8ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3PN

庫存8,196

FGA40T65SHDF

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 80A 268W TO-3PN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.81V @ 15V, 40A
功率-最大: 268W
開關能量: 1.22mJ (on), 440µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 68nC
25°C時的Td（開/關）: 18ns/64ns
測試條件: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 101ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3PN

庫存3,420

FGA40T65UQDF

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 80A 231W TO3PN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: NPT
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.67V @ 15V, 40A
功率-最大: 231W
開關能量: 989µJ (on), 310µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 306nC
25°C時的Td（開/關）: 32ns/271ns
測試條件: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 89ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3PN

庫存5,616

FGA5065ADF

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 100A TO-3PN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 50A
功率-最大: 268W
開關能量: 1.35mJ (on), 309µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 72.2nC
25°C時的Td（開/關）: 20.8ns/62.4ns
測試條件: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 31.8ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3PN

庫存8,334

FGA50N100BNTD2

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1000V 50A 156W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: NPT and Trench
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1000V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.9V @ 15V, 60A
功率-最大: 156W
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: 257nC
25°C時的Td（開/關）: 34ns/243ns
測試條件: 600V, 60A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 75ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3P

庫存5,382

FGA50N100BNTDTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1000V 50A 156W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: NPT and Trench
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1000V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.9V @ 15V, 60A
功率-最大: 156W
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: 275nC
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: 1.5µs
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3P

庫存1,240

FGA50N100BNTTU

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1000V 50A 156W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: NPT and Trench
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1000V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
電流-集電極脈沖（Icm）: 200A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.9V @ 15V, 60A
功率-最大: 156W
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: 257nC
25°C時的Td（開/關）: 34ns/243ns
測試條件: 600V, 60A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3P

庫存7,758

FGA50N60LS

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 100A 240W TO3P

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: -
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.8V @ 15V, 50A
功率-最大: 240W
開關能量: 1.1mJ (on), 3.2mJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 167nC
25°C時的Td（開/關）: 54ns/146ns
測試條件: 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3P

庫存3,258

FGA50S110P

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 1100V 50A 300W TO3PN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1100V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.6V @ 15V, 50A
功率-最大: 300W
開關能量: -
輸入類型: Standard
門禁費用: 195nC
25°C時的Td（開/關）: -
測試條件: -
反向恢復時間（trr）: -
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3PN

庫存8,046

FGA50T65SHD

ON Semiconductor

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 100A 319W TO-3PN

制造商: ON Semiconductor
系列: -
IGBT類型: Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100A
電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 50A
功率-最大: 319W
開關能量: 1.28mJ (on), 384µJ (off)
輸入類型: Standard
門禁費用: 87nC
25°C時的Td（開/關）: 22.4ns/73.6ns
測試條件: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
反向恢復時間（trr）: 34.6ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝: TO-3PN

庫存16,260

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