晶體管

IXBH16N170

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1700V 40A 250W TO247AD

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.3V @ 15V, 16A
• 功率-最大: 250W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 72nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 1.32µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXBH)

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IXBH16N170A

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1700V 16A 150W TO247AD

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 40A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 6V @ 15V, 10A
• 功率-最大: 150W
• 開關能量: 1.2mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 65nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/160ns
• 測試條件: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 360ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXBH)

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IXBH20N300

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 3000V 50A 250W TO247

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3000V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 140A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 250W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 105nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 1.35µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXBH)

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IXBH20N360HV

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 3600V 70A TO-247HV

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 220A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.4V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 430W
• 開關能量: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 110nC
• 25°C時的Td（開/關）: 18ns/238ns
• 測試條件: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 1.7µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3 Variant
• 供應商設備包裝: TO-247HV

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IXBH24N170

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1700V 60A 250W TO247

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 230A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 24A
• 功率-最大: 250W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 140nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 1.06µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXBH)

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IXBH28N170A

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1700V 30A 300W TO247AD

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 6V @ 15V, 14A
• 功率-最大: 300W
• 開關能量: 1.2mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 105nC
• 25°C時的Td（開/關）: 35ns/265ns
• 測試條件: 850V, 14A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 360ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXBH)

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IXBH2N250

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 2500V 5A 32W TO247

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 2500V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 13A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.5V @ 15V, 2A
• 功率-最大: 32W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 10.6nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 920ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXBH)

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IXBH32N300

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 3000V 80A 400W TO247

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3000V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 280A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 32A
• 功率-最大: 400W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 142nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 1.5µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXBH)

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IXBH40N160

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1600V 33A 350W TO247AD

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 33A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 40A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 7.1V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 350W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 130nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 960V, 20A, 22Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXBH)

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IXBH42N170

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1700V 80A 360W TO247

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 300A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 42A
• 功率-最大: 360W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 188nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 1.32µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXBH)

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IXBH42N170A

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1700V 42A 357W TO247

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 42A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 265A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 6V @ 15V, 21A
• 功率-最大: 357W
• 開關能量: 3.43mJ (on), 430µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 188nC
• 25°C時的Td（開/關）: 19ns/200ns
• 測試條件: 850V, 21A, 1Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 330ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXBH)

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IXBH5N160G

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1600V 5.7A 68W TO247AD

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5.7A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 7.2V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 68W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 26nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 960V, 3A, 47Ohm, 10V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXBH)

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IXBH6N170

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1700V 12A 75W TO247AD

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 36A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.4V @ 15V, 6A
• 功率-最大: 75W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 17nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 1.08µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXBH)

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IXBH9N160G

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1600V 9A 100W TO247AD

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 9A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 10A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 7V @ 15V, 5A
• 功率-最大: 100W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 34nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 960V, 5A, 27Ohm, 10V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXBH)

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IXBK55N300

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 3000V 130A 625W TO264

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3000V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 600A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 55A
• 功率-最大: 625W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 335nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 1.9µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264

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IXBK64N250

IXYS

晶體管-IGBT-單

BIMOSFET 2500V 75A MONO TO-247AD

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 2500V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 75A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 64A
• 功率-最大: 735W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264

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IXBK75N170

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1700V 200A 1040W TO264

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 580A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.1V @ 15V, 75A
• 功率-最大: 1040W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 350nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 1.5µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264

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IXBK75N170A

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1700V 110A 1040W TO264

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 300A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 6V @ 15V, 42A
• 功率-最大: 1040W
• 開關能量: 3.8mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 358nC
• 25°C時的Td（開/關）: 26ns/418ns
• 測試條件: 1360V, 42A, 1Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 360ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-264-3, TO-264AA
• 供應商設備包裝: TO-264

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IXBL20N300C

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 3000V

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3000V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 430A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 6V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 417W
• 開關能量: 23mJ (on), 2.6mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 425nC
• 25°C時的Td（開/關）: 33ns/370ns
• 測試條件: 1500V, 20A, 3Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 864ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: ISOPLUSi5-Pak™
• 供應商設備包裝: ISOPLUSi5-Pak™

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IXBL60N360

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 3600V 92A ISOPLUS I5PAK

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 92A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 720A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.4V @ 15V, 60A
• 功率-最大: 417W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 450nC
• 25°C時的Td（開/關）: 50ns/340ns
• 測試條件: 960V, 60A, 4.7Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 1.95µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: ISOPLUSi5-Pak™
• 供應商設備包裝: ISOPLUSi5-Pak™

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IXBL64N250

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 2500V 116A 500W ISOPLUSI5

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 2500V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 116A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 750A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 64A
• 功率-最大: 500W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 400nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 160ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: ISOPLUSi5-Pak™
• 供應商設備包裝: ISOPLUSi5-Pak™

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IXBP5N160G

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5.7A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 7.2V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 68W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 26nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 960V, 3A, 47Ohm, 10V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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IXBR42N170

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 57A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 300A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.9V @ 15V, 42A
• 功率-最大: 200W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 188nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 1.32µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: ISOPLUS247™
• 供應商設備包裝: ISOPLUS247™

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IXBT10N170

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1700V 20A 140W TO268

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 20A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 40A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.8V @ 15V, 10A
• 功率-最大: 140W
• 開關能量: 6mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 30nC
• 25°C時的Td（開/關）: 35ns/500ns
• 測試條件: 1360V, 10A, 56Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 360ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• 供應商設備包裝: TO-268

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IXBT12N300

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 3000V 30A 160W TO268

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3000V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 12A
• 功率-最大: 160W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 62nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 1.4µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• 供應商設備包裝: TO-268

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IXBT12N300HV

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 3000V 30A 160W TO268

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3000V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 100A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 12A
• 功率-最大: 160W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 62nC
• 25°C時的Td（開/關）: 64ns/180ns
• 測試條件: 1250V, 12A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 1.4µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• 供應商設備包裝: TO-268

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IXBT16N170A

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1700V 16A 150W TO268

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 40A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 6V @ 15V, 10A
• 功率-最大: 150W
• 開關能量: 1.2mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 65nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/160ns
• 測試條件: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 360ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• 供應商設備包裝: TO-268

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IXBT16N170AHV

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 16A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 40A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 6V @ 15V, 10A
• 功率-最大: 150W
• 開關能量: 2.5mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 65nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/250ns
• 測試條件: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 25ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• 供應商設備包裝: TO-268HV

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IXBT20N300

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 3000V 50A 250W TO268

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3000V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 140A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 250W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 105nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 1.35µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• 供應商設備包裝: TO-268

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IXBT20N300HV

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 3000V 50A 250W TO268

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3000V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 140A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 250W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 105nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 1.35µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• 供應商設備包裝: TO-268

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