晶體管

IXBT20N360HV

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 3600V 70A TO-268HV

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 70A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 220A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.4V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 430W
• 開關能量: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 110nC
• 25°C時的Td（開/關）: 18ns/238ns
• 測試條件: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 1.7µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• 供應商設備包裝: TO-268

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IXBT24N170

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1700V 60A 250W TO268

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 230A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 24A
• 功率-最大: 250W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 140nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 1.06µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• 供應商設備包裝: TO-268

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IXBT2N250

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 2500V 5A 32W TO268

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 2500V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 13A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.5V @ 15V, 2A
• 功率-最大: 32W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 10.6nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 920ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• 供應商設備包裝: TO-268

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IXBT32N300

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 3000V 80A 400W TO268

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3000V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 280A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 32A
• 功率-最大: 400W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 142nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 1.5µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• 供應商設備包裝: TO-268

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IXBT32N300HV

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 3000V 80A 400W TO268

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3000V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 280A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 32A
• 功率-最大: 400W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 142nC
• 25°C時的Td（開/關）: 50ns/160ns
• 測試條件: 1250V, 32A, 2Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 1500ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• 供應商設備包裝: TO-268HV

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IXBT42N170

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1700V 80A 360W TO268

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 300A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 42A
• 功率-最大: 360W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 188nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 1.32µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• 供應商設備包裝: TO-268

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IXBT42N170A

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1700V 42A 357W TO268

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 42A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 265A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 6V @ 15V, 21A
• 功率-最大: 357W
• 開關能量: 3.43mJ (on), 430µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 188nC
• 25°C時的Td（開/關）: 19ns/200ns
• 測試條件: 850V, 21A, 1Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 330ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• 供應商設備包裝: TO-268

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IXBT42N300HV

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 3000V 42A 357W TO268

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3000V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 104A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 400A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 42A
• 功率-最大: 500W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 200nC
• 25°C時的Td（開/關）: 72ns/445ns
• 測試條件: 1500V, 42A, 20Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 1.7µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• 供應商設備包裝: TO-268

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IXBT6N170

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1700V 12A 75W TO268

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 36A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.4V @ 15V, 6A
• 功率-最大: 75W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 17nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 1.08µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• 供應商設備包裝: TO-268

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IXBX25N250

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 2500V 55A 300W PLUS247

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 2500V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 55A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 180A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.3V @ 15V, 25A
• 功率-最大: 300W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 103nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 1.6µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: PLUS247™-3

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IXBX50N360HV

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 125A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 420A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.9V @ 15V, 50A
• 功率-最大: 660W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 210nC
• 25°C時的Td（開/關）: 46ns/205ns
• 測試條件: 960V, 50A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 1.7µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3 Variant
• 供應商設備包裝: TO-247PLUS-HV

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IXBX55N300

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 3000V 130A 625W PLUS247

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 3000V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 130A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 600A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.2V @ 15V, 55A
• 功率-最大: 625W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 335nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 1.9µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: PLUS247™-3

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IXBX64N250

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 2500V

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 2500V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 156A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 600A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 64A
• 功率-最大: 735W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 400nC
• 25°C時的Td（開/關）: 49ns/232ns
• 測試條件: 1250V, 128A, 1Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 160ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: PLUS247™-3

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IXBX75N170

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1700V 200A 1040W PLUS247

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 200A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 580A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3.1V @ 15V, 75A
• 功率-最大: 1040W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 350nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: 1.5µs
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: PLUS247™-3

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IXBX75N170A

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1700V 110A 1040W PLUS247

• 制造商: IXYS
• 系列: BIMOSFET™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1700V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 110A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 300A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 6V @ 15V, 42A
• 功率-最大: 1040W
• 開關能量: 3.8mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 358nC
• 25°C時的Td（開/關）: 26ns/418ns
• 測試條件: 1360V, 42A, 1Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 360ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: PLUS247™-3

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IXDA20N120AS

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 38A 200W TO263AB

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 38A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 200W
• 開關能量: 3.1mJ (on), 2.4mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 70nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 600V, 20A, 82Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: TO-263

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IXDA20N120AS-TUB

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: -
• 功率-最大: -
• 開關能量: -
• 輸入類型: -
• 門禁費用: -
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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IXDH20N120

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 38A 200W TO247AD

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 38A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 50A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 200W
• 開關能量: 3.1mJ (on), 2.4mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 70nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 600V, 20A, 82Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-247AD

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IXDH20N120D1

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 38A 200W TO247AD

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 38A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 50A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 3V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 200W
• 開關能量: 3.1mJ (on), 2.4mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 70nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 600V, 20A, 82Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 40ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-247AD

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IXDH30N120

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 76A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.9V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 300W
• 開關能量: 4.6mJ (on), 3.4mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 120nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 600V, 30A, 47Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXDH)

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IXDH30N120D1

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 76A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.9V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 300W
• 開關能量: 4.6mJ (on), 3.4mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 120nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 600V, 30A, 47Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 40ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXDH)

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IXDH35N60B

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 60A 250W TO247AD

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 70A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 35A
• 功率-最大: 250W
• 開關能量: 1.6mJ (on), 800µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 120nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 300V, 35A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXDH)

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IXDH35N60BD1

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 60A 250W TO247AD

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 70A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 35A
• 功率-最大: 250W
• 開關能量: 1.6mJ (on), 800µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 120nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 300V, 35A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 40ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3P-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-247AD (IXDH)

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IXDP20N60B

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 32A 140W TO220AB

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 32A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 40A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 140W
• 開關能量: 900µJ (on), 400µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 70nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 300V, 20A, 22Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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IXDP20N60BD1

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 32A 140W TO220AB

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 32A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 40A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 140W
• 開關能量: 900µJ (on), 400µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 70nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 300V, 20A, 22Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 40ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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IXDP35N60B

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 60A 250W TO220AB

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 70A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 35A
• 功率-最大: 250W
• 開關能量: 1.6mJ (on), 800µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 120nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 300V, 35A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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IXDR30N120

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.9V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 200W
• 開關能量: 4.6mJ (on), 3.4mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 120nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 600V, 30A, 47Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: ISOPLUS247™
• 供應商設備包裝: ISOPLUS247™

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IXDR30N120D1

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 60A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.9V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 200W
• 開關能量: 4.6mJ (on), 3.4mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 120nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 600V, 30A, 47Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 40ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: ISOPLUS247™
• 供應商設備包裝: ISOPLUS247™

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IXDR35N60BD1

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 38A 125W ISOPLUS247

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 38A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 48A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 35A
• 功率-最大: 125W
• 開關能量: 1.6mJ (on), 800µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 140nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: 300V, 35A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 40ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: ISOPLUS247™
• 供應商設備包裝: ISOPLUS247™

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IXDT30N120

IXYS

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 60A 300W TO268AA

• 制造商: IXYS
• 系列: -
• IGBT類型: NPT
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.9V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 300W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 120nC
• 25°C時的Td（開/關）: -
• 測試條件: -
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• 供應商設備包裝: TO-268

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