晶體管

STGB20V60F

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 40A 167W D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 80A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.2V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 167W
• 開關能量: 200µJ (on), 130µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 116nC
• 25°C時的Td（開/關）: 38ns/149ns
• 測試條件: 400V, 20A, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB25N40LZAG

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

POWER TRANSISTORS

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 435V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 25A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 50A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.25V @ 4V, 6A
• 功率-最大: 150W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Logic
• 門禁費用: 26nC
• 25°C時的Td（開/關）: 1.1µs/4.6µs
• 測試條件: 300V, 10A, 1kOhm, 5V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D²PAK

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STGB30H60DF

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 60A 260W D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 260W
• 開關能量: 350µJ (on), 400µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 105nC
• 25°C時的Td（開/關）: 50ns/160ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 110ns
• 工作溫度: -40°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB30H60DFB

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 260W
• 開關能量: 383µJ (on), 293µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 149nC
• 25°C時的Td（開/關）: 37ns/146ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 53ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB30H60DLFB

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 260W
• 開關能量: 393µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 149nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/146ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB30H60DLLFBAG

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: HB
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.15V @ 5V, 30A
• 功率-最大: 260W
• 開關能量: 600µJ (off)
• 輸入類型: Logic
• 門禁費用: 110nC
• 25°C時的Td（開/關）: -/320ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 5V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB30H65FB

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: HB
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 260W
• 開關能量: 151µJ (on), 293µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 149nC
• 25°C時的Td（開/關）: 37ns/146ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB30M65DF2

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 650V 30A D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 258W
• 開關能量: 300µJ (on), 960µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 80nC
• 25°C時的Td（開/關）: 31.6ns/115ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 140ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB30NC60KT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 60A 185W D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 125A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.7V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 185W
• 開關能量: 350µJ (on), 435µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 96nC
• 25°C時的Td（開/關）: 29ns/120ns
• 測試條件: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB30NC60WT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 60A 200W D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 150A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 20A
• 功率-最大: 200W
• 開關能量: 305µJ (on), 181µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 102nC
• 25°C時的Td（開/關）: 29.5ns/118ns
• 測試條件: 390V, 20A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB30V60DF

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 60A 258W D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 258W
• 開關能量: 383µJ (on), 233µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 163nC
• 25°C時的Td（開/關）: 45ns/189ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 53ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB30V60F

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 60A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 120A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 30A
• 功率-最大: 260W
• 開關能量: 383µJ (on), 233µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 163nC
• 25°C時的Td（開/關）: 45ns/189ns
• 測試條件: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB35N35LZ-1

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 345V 40A 176W I2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 345V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 80A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.7V @ 4.5V, 15A
• 功率-最大: 176W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Logic
• 門禁費用: 49nC
• 25°C時的Td（開/關）: 1.1µs/26.5µs
• 測試條件: 300V, 15A, 5V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
• 供應商設備包裝: I2PAK (TO-262)

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STGB35N35LZT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 345V 40A 176W D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 345V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 40A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 80A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.7V @ 4.5V, 15A
• 功率-最大: 176W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Logic
• 門禁費用: 49nC
• 25°C時的Td（開/關）: 1.1µs/26.5µs
• 測試條件: 300V, 15A, 5V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB3HF60HD

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 7.5A D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 7.5A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 18A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A
• 功率-最大: 38W
• 開關能量: 19µJ (on), 12µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 12nC
• 25°C時的Td（開/關）: 11ns/60ns
• 測試條件: 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 85ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB3NB60FDT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 6A 68W D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 24A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.4V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 68W
• 開關能量: 125µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 16nC
• 25°C時的Td（開/關）: 12.5ns/105ns
• 測試條件: 480V, 3A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 45ns
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB3NB60KDT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 10A 50W D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 24A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 50W
• 開關能量: 30µJ (on), 58µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 14nC
• 25°C時的Td（開/關）: 14ns/33ns
• 測試條件: 480V, 3A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 45ns
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB3NB60SDT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 6A 70W D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 25A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.5V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 70W
• 開關能量: 1.15mJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 18nC
• 25°C時的Td（開/關）: 125ns/3.4µs
• 測試條件: 480V, 3A, 1kOhm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 1.7µs
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB3NC120HDT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 1200V 14A 75W D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 1200V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 14A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 20A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 75W
• 開關能量: 236µJ (on), 290µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 24nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/118ns
• 測試條件: 800V, 3A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 51ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D²PAK

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STGB40H65FB

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT BIPO 650V 40A D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: HB
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 283W
• 開關能量: 498µJ (on), 363µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 210nC
• 25°C時的Td（開/關）: 40ns/142ns
• 測試條件: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB40V60F

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 80A 283W D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 160A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.3V @ 15V, 40A
• 功率-最大: 283W
• 開關能量: 456µJ (on), 411µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 226nC
• 25°C時的Td（開/關）: 52ns/208ns
• 測試條件: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB4M65DF2

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: M
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 16A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.1V @ 15V, 4A
• 功率-最大: 68W
• 開關能量: 40µJ (on), 136µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 15.2nC
• 25°C時的Td（開/關）: 12ns/86ns
• 測試條件: 400V, 4A, 47Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 133ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB5H60DF

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 20A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.95V @ 15V, 5A
• 功率-最大: 88W
• 開關能量: 56µJ (on), 78.5µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 43nC
• 25°C時的Td（開/關）: 30ns/140ns
• 測試條件: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 134.5ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB6M65DF2

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: M
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 650V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 12A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 24A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2V @ 15V, 6A
• 功率-最大: 88W
• 開關能量: 36µJ (on), 200µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 21.2nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/90ns
• 測試條件: 400V, 6A, 22Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 140ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB6NC60HD-1

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 15A 56W I2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 21A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 56W
• 開關能量: 20µJ (on), 68µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 13.6nC
• 25°C時的Td（開/關）: 12ns/76ns
• 測試條件: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 21ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
• 供應商設備包裝: I2PAK

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STGB6NC60HDT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 15A 56W D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 21A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 56W
• 開關能量: 20µJ (on), 68µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 13.6nC
• 25°C時的Td（開/關）: 12ns/76ns
• 測試條件: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 21ns
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB6NC60HT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 15A 56W D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 21A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.5V @ 15V, 3A
• 功率-最大: 56W
• 開關能量: 20µJ (on), 68µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 13.6nC
• 25°C時的Td（開/關）: 12ns/76ns
• 測試條件: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB7H60DF

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 14A 88W D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• IGBT類型: Trench Field Stop
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 14A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 28A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.95V @ 15V, 7A
• 功率-最大: 88W
• 開關能量: 99µJ (on), 100µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 46nC
• 25°C時的Td（開/關）: 30ns/160ns
• 測試條件: 400V, 7A, 47Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 136ns
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: TO-263 (D2Pak)

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STGB7NB40LZT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 430V 14A 100W D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 430V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 14A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: -
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 1.9V @ 5V, 14A
• 功率-最大: 100W
• 開關能量: -
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 22nC
• 25°C時的Td（開/關）: 900ns/4.4µs
• 測試條件: 300V, 46Ohm, 5V
• 反向恢復時間（trr）: -
• 工作溫度: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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STGB7NB60HDT4

STMicroelectronics

晶體管-IGBT-單

IGBT 600V 14A 80W D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: PowerMESH™
• IGBT類型: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 600V
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 14A
• 電流-集電極脈沖（Icm）: 56A
• Vce（on）（Max）@ Vge，Ic: 2.8V @ 15V, 7A
• 功率-最大: 80W
• 開關能量: 85µJ (off)
• 輸入類型: Standard
• 門禁費用: 42nC
• 25°C時的Td（開/關）: 15ns/75ns
• 測試條件: 480V, 7A, 10Ohm, 15V
• 反向恢復時間（trr）: 100ns
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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