晶體管

型號	描述	庫存
2N5116JTXL02 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET P-CH 30V TO-18 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存4,932
2N5116JTXV02 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET P-CH 30V TO-18 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)	庫存3,906
2N5116UB Microsemi	晶體管-JFET P CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500 FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 25mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27pF @ 15V 電阻-RDS（On）: 175 Ohms 功率-最大: 500mW 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝: UB	庫存7,344
2N5432-2 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 150mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 3nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 0V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AC (TO-52)	庫存6,534
2N5433 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 3nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 0V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AC (TO-52)	庫存3,150
2N5433-2 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 3nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 0V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AC (TO-52)	庫存8,604
2N5433-E3 Vishay Siliconix	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 制造商: Vishay Siliconix 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 3nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 0V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-206AC (TO-52)	庫存3,942
2N5457 Central Semiconductor Corp	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 0.31W TO-92 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 310mW 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	請求報價
2N5457_D26Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,796
2N5457_D27Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,642
2N5457_D74Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,736
2N5457_D75Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,560
2N5457G ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 0.31W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 310mW 工作溫度: 135°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存13
2N5457_L99Z ON Semiconductor	晶體管-JFET IC AMP GP N-CHAN 25V 10MA TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 310mW 工作溫度: 135°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92 (TO-226)	庫存8,532
2N5458 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 0.31W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 310mW 工作溫度: 135°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,745
2N5458_D26Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,510
2N5458_D27Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,358
2N5458G ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 0.31W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 310mW 工作溫度: 135°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,726
2N5459 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存1,659
2N5459_D27Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,502
2N5459_D74Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,246
2N5459_D75Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,526
2N5460 Central Semiconductor Corp	晶體管-JFET JFET P-CH 40V 0.31W TO-92 制造商: Central Semiconductor Corp 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 750mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 310mW 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92	庫存11,344
2N5460 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 750mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -65°C ~ 135°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,960
2N5460_D27Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 750mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,004
2N5460_D74Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 750mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,978
2N5460_D75Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 750mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,694
2N5460G ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 750mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -65°C ~ 135°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,930
2N5460_L99Z ON Semiconductor	晶體管-JFET IC AMP GP P-CHAN 40V 10MA TO-92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 750mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -65°C ~ 135°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92 (TO-226)	庫存3,006
2N5461 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 40V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -65°C ~ 135°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,332

2N5116JTXL02

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V TO-18

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存4,932

2N5116JTXV02

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V TO-18

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AA (TO-18)

庫存3,906

2N5116UB

Microsemi

晶體管-JFET

P CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 25mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27pF @ 15V
電阻-RDS（On）: 175 Ohms
功率-最大: 500mW
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-SMD, No Lead
供應商設備包裝: UB

庫存7,344

2N5432-2

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 0.3W TO-52

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 150mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 3nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 0V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AC (TO-52)

庫存6,534

2N5433

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 0.3W TO-52

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 3nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 0V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AC (TO-52)

庫存3,150

2N5433-2

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 0.3W TO-52

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 3nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 0V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AC (TO-52)

庫存8,604

2N5433-E3

Vishay Siliconix

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 0.3W TO-52

制造商: Vishay Siliconix
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 3nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 0V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AC, TO-52-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-206AC (TO-52)

庫存3,942

2N5457

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 0.31W TO-92

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 310mW
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

請求報價

2N5457_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,796

2N5457_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,642

2N5457_D74Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,736

2N5457_D75Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,560

2N5457G

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 0.31W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 310mW
工作溫度: 135°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存13

2N5457_L99Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

IC AMP GP N-CHAN 25V 10MA TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 310mW
工作溫度: 135°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92 (TO-226)

庫存8,532

2N5458

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 0.31W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 310mW
工作溫度: 135°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,745

2N5458_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,510

2N5458_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,358

2N5458G

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 0.31W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 310mW
工作溫度: 135°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,726

2N5459

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存1,659

2N5459_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,502

2N5459_D74Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,246

2N5459_D75Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 625MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,526

2N5460

Central Semiconductor Corp

晶體管-JFET

JFET P-CH 40V 0.31W TO-92

制造商: Central Semiconductor Corp
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 750mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 310mW
工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92

庫存11,344

2N5460

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 40V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 750mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -65°C ~ 135°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,960

2N5460_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 40V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 750mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,004

2N5460_D74Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 40V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 750mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,978

2N5460_D75Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 40V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 750mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,694

2N5460G

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 40V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 750mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -65°C ~ 135°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,930

2N5460_L99Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

IC AMP GP P-CHAN 40V 10MA TO-92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 750mV @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -65°C ~ 135°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92 (TO-226)

庫存3,006

2N5461

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 40V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -65°C ~ 135°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,332

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