晶體管

型號	描述	庫存
2SJ01640RA Panasonic Electronic Components	晶體管-JFET JFET P-CH 20MA 300MW NS-B1 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 600µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 20mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.5V @ 10µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 10V 電阻-RDS（On）: 300 Ohms 功率-最大: 300mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 3-SSIP 供應商設備包裝: NS-A1	庫存5,958
2SJ03640QL Panasonic Electronic Components	晶體管-JFET JFET P-CH 20MA 150MW SMINI3P 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 600µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 20mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.5V @ 10µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 10V 電阻-RDS（On）: 300 Ohms 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SMini3-G1	庫存6,354
2SK01980RL Panasonic Electronic Components	晶體管-JFET JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 500µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 20mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 10µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: Mini3-G1	庫存5,193
2SK06620RL Panasonic Electronic Components	晶體管-JFET JFET N-CH 20MA 150MW SMINI-3 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 500µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 20mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 10µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SMini3-G1	庫存3,042
2SK06630RL Panasonic Electronic Components	晶體管-JFET JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 30mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 10µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.5pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SMini3-G1	庫存8,226
2SK0663GRL Panasonic Electronic Components	晶體管-JFET JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 30mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 10µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.5pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-85 供應商設備包裝: SMini3-F2	庫存6,120
2SK1070PICTL-E Renesas Electronics America	晶體管-JFET JFET N-CH MPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 22V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 12mA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 50mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 0V @ 10µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-MPAK	庫存2,033
2SK1070PIDTL-E Renesas Electronics America	晶體管-JFET JFET N-CH MPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 22V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 12mA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 50mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 0V @ 10µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-MPAK	庫存8,622
2SK1070PIETL-E Renesas Electronics America	晶體管-JFET JFET N-CH MPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 22V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 12mA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 50mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 0V @ 10µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-MPAK	庫存5,670
2SK1070PIETR-E Renesas Electronics America	晶體管-JFET JFET N-CH MPAK 制造商: Renesas Electronics America 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 22V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 12mA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 50mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 0V @ 10µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-MPAK	庫存8,676
2SK11030QL Panasonic Electronic Components	晶體管-JFET JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 600µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 20mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.5V @ 10µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 10V 電阻-RDS（On）: 300 Ohms 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: Mini3-G1	庫存2,610
2SK208-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-JFET JFET N-CH 50V SC59 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2.6mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 6.5mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 400mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.2pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59	庫存279,731
2SK208-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-JFET JFET N-CH 50V SC59 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 600µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 6.5mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 400mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.2pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59	庫存8,105
2SK208-R(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-JFET JFET N-CH 50V S-MINI 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 300µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 6.5mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 400mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.2pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: S-Mini	庫存45,275
2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-JFET JFET N-CH 50V S-MINI 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.2mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 6.5mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 400mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.2pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: S-Mini	庫存18,784
2SK2145-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-JFET JFET N-CH 50V SMV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 6mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74A, SOT-753 供應商設備包裝: SMV	庫存34
2SK2145-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-JFET MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2.6mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74A, SOT-753 供應商設備包裝: SMV	庫存4,878
2SK2145-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-JFET MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.2mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-74A, SOT-753 供應商設備包裝: SMV	庫存823
2SK23800QL Panasonic Electronic Components	晶體管-JFET JFET N-CH 1MA 125MW SSMINI-3 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 50µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.3V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 125mW 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-89, SOT-490 供應商設備包裝: SSMini3-F2	庫存7,812
2SK2394-6-TB-E ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 15V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 50mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 100µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 200mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-CP	庫存4,160
2SK2394-7-FRD-TB-E ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH SC-59-3 制造商: ON Semiconductor 系列: * FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存3,204
2SK2394-7-TB-E ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 50MA 200MW CP 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 15V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 16mA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 50mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 100µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 200mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-CP	庫存8,507
2SK2593GQL Panasonic Electronic Components	晶體管-JFET JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 30mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 10µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.5pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 125mW 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-89, SOT-490 供應商設備包裝: SSMini3-F3	庫存7,614
2SK2593JQL Panasonic Electronic Components	晶體管-JFET JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 30mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 10µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.5pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 125mW 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-89, SOT-490 供應商設備包裝: SSMini3-F1	庫存4,572
2SK275100L Panasonic Electronic Components	晶體管-JFET JFET N-CH 10MA 200MW MINI-3 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.4µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: 10mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3.5V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 200mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: Mini3-G1	庫存8,028
2SK3320-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-JFET JFET DUAL N-CH USV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 6mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 200mW 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 供應商設備包裝: USV	庫存7,326
2SK3320-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	晶體管-JFET JFET DUAL N-CH USV 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.2mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 100nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 200mW 工作溫度: 125°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 供應商設備包裝: USV	庫存11,200
2SK33720RL Panasonic Electronic Components	晶體管-JFET JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 107µA @ 2V 電流消耗（Id）-最大: 2mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: -20°C ~ 80°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: SSSMini3-F1	庫存7,560
2SK33720SL Panasonic Electronic Components	晶體管-JFET JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 107µA @ 2V 電流消耗（Id）-最大: 2mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: -20°C ~ 80°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: SSSMini3-F1	庫存801,671
2SK33720TL Panasonic Electronic Components	晶體管-JFET JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P 制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 107µA @ 2V 電流消耗（Id）-最大: 2mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 100mW 工作溫度: -20°C ~ 80°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-723 供應商設備包裝: SSSMini3-F1	庫存106,814

2SJ01640RA

Panasonic Electronic Components

晶體管-JFET

JFET P-CH 20MA 300MW NS-B1

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 600µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 20mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.5V @ 10µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 10V
電阻-RDS（On）: 300 Ohms
功率-最大: 300mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 3-SSIP
供應商設備包裝: NS-A1

庫存5,958

2SJ03640QL

Panasonic Electronic Components

晶體管-JFET

JFET P-CH 20MA 150MW SMINI3P

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 600µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 20mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.5V @ 10µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 10V
電阻-RDS（On）: 300 Ohms
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SMini3-G1

庫存6,354

2SK01980RL

Panasonic Electronic Components

晶體管-JFET

JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 500µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 20mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 10µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: Mini3-G1

庫存5,193

2SK06620RL

Panasonic Electronic Components

晶體管-JFET

JFET N-CH 20MA 150MW SMINI-3

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 500µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 20mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 100mV @ 10µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SMini3-G1

庫存3,042

2SK06630RL

Panasonic Electronic Components

晶體管-JFET

JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 30mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 10µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.5pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SMini3-G1

庫存8,226

2SK0663GRL

Panasonic Electronic Components

晶體管-JFET

JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 30mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 10µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.5pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-85
供應商設備包裝: SMini3-F2

庫存6,120

2SK1070PICTL-E

Renesas Electronics America

晶體管-JFET

JFET N-CH MPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 22V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 12mA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 50mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 0V @ 10µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-MPAK

庫存2,033

2SK1070PIDTL-E

Renesas Electronics America

晶體管-JFET

JFET N-CH MPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 22V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 12mA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 50mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 0V @ 10µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-MPAK

庫存8,622

2SK1070PIETL-E

Renesas Electronics America

晶體管-JFET

JFET N-CH MPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 22V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 12mA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 50mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 0V @ 10µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-MPAK

庫存5,670

2SK1070PIETR-E

Renesas Electronics America

晶體管-JFET

JFET N-CH MPAK

制造商: Renesas Electronics America
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 22V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 12mA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 50mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 0V @ 10µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-MPAK

庫存8,676

2SK11030QL

Panasonic Electronic Components

晶體管-JFET

JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 600µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 20mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.5V @ 10µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7pF @ 10V
電阻-RDS（On）: 300 Ohms
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: Mini3-G1

庫存2,610

2SK208-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-JFET

JFET N-CH 50V SC59

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2.6mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 6.5mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 400mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.2pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59

庫存279,731

2SK208-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-JFET

JFET N-CH 50V SC59

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 600µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 6.5mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 400mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.2pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59

庫存8,105

2SK208-R(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-JFET

JFET N-CH 50V S-MINI

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 300µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 6.5mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 400mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.2pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: S-Mini

庫存45,275

2SK208-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-JFET

JFET N-CH 50V S-MINI

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 50V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.2mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 6.5mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 400mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8.2pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: S-Mini

庫存18,784

2SK2145-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-JFET

JFET N-CH 50V SMV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 6mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74A, SOT-753
供應商設備包裝: SMV

庫存34

2SK2145-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-JFET

MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2.6mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74A, SOT-753
供應商設備包裝: SMV

庫存4,878

2SK2145-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-JFET

MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.2mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-74A, SOT-753
供應商設備包裝: SMV

庫存823

2SK23800QL

Panasonic Electronic Components

晶體管-JFET

JFET N-CH 1MA 125MW SSMINI-3

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 50µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 1mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.3V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 125mW
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-89, SOT-490
供應商設備包裝: SSMini3-F2

庫存7,812

2SK2394-6-TB-E

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 50MA 200MW CP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 15V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 50mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 100µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 200mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-CP

庫存4,160

2SK2394-7-FRD-TB-E

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH SC-59-3

制造商: ON Semiconductor
系列: *
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存3,204

2SK2394-7-TB-E

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 50MA 200MW CP

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 15V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 16mA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 50mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 100µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 200mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-CP

庫存8,507

2SK2593GQL

Panasonic Electronic Components

晶體管-JFET

JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 30mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 10µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.5pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 125mW
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-89, SOT-490
供應商設備包裝: SSMini3-F3

庫存7,614

2SK2593JQL

Panasonic Electronic Components

晶體管-JFET

JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 30mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 10µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6.5pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 125mW
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-89, SOT-490
供應商設備包裝: SSMini3-F1

庫存4,572

2SK275100L

Panasonic Electronic Components

晶體管-JFET

JFET N-CH 10MA 200MW MINI-3

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.4µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: 10mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3.5V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 200mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: Mini3-G1

庫存8,028

2SK3320-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-JFET

JFET DUAL N-CH USV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 6mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 200mW
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
供應商設備包裝: USV

庫存7,326

2SK3320-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-JFET

JFET DUAL N-CH USV

制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.2mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 200mV @ 100nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 13pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 200mW
工作溫度: 125°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
供應商設備包裝: USV

庫存11,200

2SK33720RL

Panasonic Electronic Components

晶體管-JFET

JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 107µA @ 2V
電流消耗（Id）-最大: 2mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: -20°C ~ 80°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: SSSMini3-F1

庫存7,560

2SK33720SL

Panasonic Electronic Components

晶體管-JFET

JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 107µA @ 2V
電流消耗（Id）-最大: 2mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: -20°C ~ 80°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: SSSMini3-F1

庫存801,671

2SK33720TL

Panasonic Electronic Components

晶體管-JFET

JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P

制造商: Panasonic Electronic Components
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 107µA @ 2V
電流消耗（Id）-最大: 2mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 100mW
工作溫度: -20°C ~ 80°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-723
供應商設備包裝: SSSMini3-F1

庫存106,814

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