晶體管

型號	描述	庫存
MX2N4393UB Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: * FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,586
MX2N4856 Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/385 FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 175mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V 電阻-RDS（On）: 25 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)	庫存8,766
MX2N4856UB Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: * FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存2,178
MX2N4857 Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/385 FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 6V @ 500pA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V 電阻-RDS（On）: 40 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)	庫存8,334
MX2N4857UB Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: * FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存8,730
MX2N4858 Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/385 FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)	庫存8,118
MX2N4858UB Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: * FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存6,894
MX2N4859 Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/385 FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 175mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 10V @ 500pA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V 電阻-RDS（On）: 25 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)	庫存5,868
MX2N4860 Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/385 FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 6V @ 500pA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V 電阻-RDS（On）: 40 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)	庫存6,408
MX2N4860UB Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: * FET類型: - 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: - 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,104
MX2N4861 Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500/385 FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 0.5nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V 電阻-RDS（On）: 60 Ohms 功率-最大: 360mW 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)	庫存3,870
MX2N5114 Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500 FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 90mA @ 18V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 10V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 15V 電阻-RDS（On）: 75 Ohms 功率-最大: 500mW 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)	庫存5,814
MX2N5116 Microsemi	晶體管-JFET N CHANNEL JFET 制造商: Microsemi Corporation 系列: Military, MIL-PRF-19500 FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 25mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27pF @ 15V 電阻-RDS（On）: 175 Ohms 功率-最大: 500mW 工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝: TO-18	庫存8,370
NSVJ2394SA3T1G ON Semiconductor	晶體管-JFET IC JFET N-CH LNA SC59-3 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 15V 漏極至源極電壓（Vdss）: 15V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 32mA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 50mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 700mV @ 100µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 200mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59-3/CP3	庫存1,375
NSVJ3557SA3T1G ON Semiconductor	晶體管-JFET MOSFET N-CH 15V 32MA SC59 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 15V 漏極至源極電壓（Vdss）: 15V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 50mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 100µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 200mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SC-59-3/CP3	庫存5,796
NSVJ3910SB3T1G ON Semiconductor	晶體管-JFET IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 50mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 100µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6pF @ 5V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 400mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: 3-CPH	庫存44,190
NSVJ5908DSG5T1G ON Semiconductor	晶體管-JFET NCH+NCH J-FET 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 15V 漏極至源極電壓（Vdss）: 15V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 50mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 100µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10.5pF @ 5V (Typ) 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 300mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 5-SMD, Flat Leads 供應商設備包裝: SC-88AFL/MCPH5	庫存8,874
NSVJ6904DSB6T1G ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET -25V, 20 TO 40MA DUA 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101 FET類型: 2 N-Channel (Dual) 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 5V 電流消耗（Id）-最大: 50mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 100µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6pF @ 5V 電阻-RDS（On）: 78 mOhms 功率-最大: 700mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供應商設備包裝: 6-CPH	庫存8,010
P1086 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 10V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 45pF @ 15V 電阻-RDS（On）: 75 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,934
P1086_D74Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 10V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 45pF @ 15V 電阻-RDS（On）: 75 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,248
P1086_D75Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 10V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 45pF @ 15V 電阻-RDS（On）: 75 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,262
P1087 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 30V 350MW TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 45pF @ 15V 電阻-RDS（On）: 150 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,322
P108718 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 45pF @ 15V 電阻-RDS（On）: 150 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,662
P1087_D74Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 45pF @ 15V 電阻-RDS（On）: 150 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,344
P1087_J18Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET P-CH 30V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 45pF @ 15V 電阻-RDS（On）: 150 Ohms 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,490
PF5102 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 700mV @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	請求報價
PF5103 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.2V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 15V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,056
PF53012 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 30V TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.7V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: - 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,122
PMBF4391,215 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 50mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 30 Ohms 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存23,383
PMBF4392,215 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 25mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存8,820

MX2N4393UB

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,586

MX2N4856

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/385
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 175mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V
電阻-RDS（On）: 25 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)

庫存8,766

MX2N4856UB

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存2,178

MX2N4857

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/385
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 6V @ 500pA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V
電阻-RDS（On）: 40 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)

庫存8,334

MX2N4857UB

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存8,730

MX2N4858

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/385
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)

庫存8,118

MX2N4858UB

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存6,894

MX2N4859

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/385
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 175mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 10V @ 500pA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V
電阻-RDS（On）: 25 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)

庫存5,868

MX2N4860

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/385
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 100mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 6V @ 500pA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V
電阻-RDS（On）: 40 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)

庫存6,408

MX2N4860UB

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: *
FET類型: -
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: -
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,104

MX2N4861

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500/385
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 0.5nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 18pF @ 10V
電阻-RDS（On）: 60 Ohms
功率-最大: 360mW
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)

庫存3,870

MX2N5114

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 90mA @ 18V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 10V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 15V
電阻-RDS（On）: 75 Ohms
功率-最大: 500mW
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18 (TO-206AA)

庫存5,814

MX2N5116

Microsemi

晶體管-JFET

N CHANNEL JFET

制造商: Microsemi Corporation
系列: Military, MIL-PRF-19500
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 25mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 27pF @ 15V
電阻-RDS（On）: 175 Ohms
功率-最大: 500mW
工作溫度: -65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
供應商設備包裝: TO-18

庫存8,370

NSVJ2394SA3T1G

ON Semiconductor

晶體管-JFET

IC JFET N-CH LNA SC59-3

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 15V
漏極至源極電壓（Vdss）: 15V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 32mA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 50mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 700mV @ 100µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 200mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59-3/CP3

庫存1,375

NSVJ3557SA3T1G

ON Semiconductor

晶體管-JFET

MOSFET N-CH 15V 32MA SC59

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 15V
漏極至源極電壓（Vdss）: 15V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 50mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 100µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 200mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SC-59-3/CP3

庫存5,796

NSVJ3910SB3T1G

ON Semiconductor

晶體管-JFET

IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 50mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 100µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6pF @ 5V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 400mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: 3-CPH

庫存44,190

NSVJ5908DSG5T1G

ON Semiconductor

晶體管-JFET

NCH+NCH J-FET

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 15V
漏極至源極電壓（Vdss）: 15V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 50mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 300mV @ 100µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10.5pF @ 5V (Typ)
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 300mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 5-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝: SC-88AFL/MCPH5

庫存8,874

NSVJ6904DSB6T1G

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET -25V, 20 TO 40MA DUA

制造商: ON Semiconductor
系列: Automotive, AEC-Q101
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 5V
電流消耗（Id）-最大: 50mA
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 100µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6pF @ 5V
電阻-RDS（On）: 78 mOhms
功率-最大: 700mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝: 6-CPH

庫存8,010

P1086

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 10V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 45pF @ 15V
電阻-RDS（On）: 75 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,934

P1086_D74Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 10V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 45pF @ 15V
電阻-RDS（On）: 75 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,248

P1086_D75Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 10V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 45pF @ 15V
電阻-RDS（On）: 75 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,262

P1087

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V 350MW TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 45pF @ 15V
電阻-RDS（On）: 150 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,322

P108718

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 45pF @ 15V
電阻-RDS（On）: 150 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,662

P1087_D74Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 45pF @ 15V
電阻-RDS（On）: 150 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,344

P1087_J18Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 45pF @ 15V
電阻-RDS（On）: 150 Ohms
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,490

PF5102

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 4mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 700mV @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

請求報價

PF5103

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.2V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 15V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,056

PF53012

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 30V TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1.7V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: -
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,122

PMBF4391,215

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 250MW SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 50mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 30 Ohms
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存23,383

PMBF4392,215

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 250MW SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 25mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存8,820

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