晶體管

型號	描述	庫存
PMBF4393,215 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 250MW SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 100 Ohms 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存1,352
PMBFJ108,215 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 10V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 8 Ohms 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存1
PMBFJ109,215 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 40mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 6V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 12 Ohms 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存1
PMBFJ110,215 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 18 Ohms 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存49,990
PMBFJ111,215 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 10V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 30 Ohms 功率-最大: 300mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存48,074
PMBFJ112,215 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 50 Ohms 功率-最大: 300mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存2
PMBFJ113,215 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 100 Ohms 功率-最大: 300mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存18
PMBFJ174,215 NXP	晶體管-JFET JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 85 Ohms 功率-最大: 300mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存85,079
PMBFJ175,215 NXP	晶體管-JFET JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 7mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 125 Ohms 功率-最大: 300mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存1
PMBFJ176,215 NXP	晶體管-JFET JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 250 Ohms 功率-最大: 300mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存109
PMBFJ177,215 NXP	晶體管-JFET JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.5mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 10nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8pF @ 10V (VGS) 電阻-RDS（On）: 300 Ohms 功率-最大: 300mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存119,293
PMBFJ308,215 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 12mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V 電阻-RDS（On）: 50 Ohms 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存13,062
PMBFJ309,215 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 12mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V 電阻-RDS（On）: 50 Ohms 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存9,592
PMBFJ310,215 NXP	晶體管-JFET JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 24mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V 電阻-RDS（On）: 50 Ohms 功率-最大: 250mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)	庫存2,058
PMBFJ620,115 NXP	晶體管-JFET JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP 制造商: NXP USA Inc. 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 24mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V 電阻-RDS（On）: 50 Ohms 功率-最大: 190mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝: 6-TSSOP	庫存12,304
PN4091 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 30 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,400
PN4091_D26Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 30 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存6,642
PN4092 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 50 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,484
PN4092_D26Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 50 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,688
PN4092_D27Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 50 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,916
PN4092_D74Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 50 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存3,582
PN4092_J18Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 50 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,016
PN4093 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 20V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V 電阻-RDS（On）: 80 Ohms 功率-最大: 625mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,268
PN4117 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存8,388
PN4117A ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存4,896
PN4117A_D26Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,110
PN4117A_J61Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,024
PN4117_D26Z ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,814
PN4118 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,074
PN4119 ON Semiconductor	晶體管-JFET JFET N-CH 40V 0.35W TO92 制造商: ON Semiconductor 系列: - FET類型: N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V 漏極至源極電壓（Vdss）: - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大: - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V 電阻-RDS（On）: - 功率-最大: 350mW 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存5,526

PMBF4393,215

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 250MW SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 500mV @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 14pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 100 Ohms
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存1,352

PMBFJ108,215

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 10V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 8 Ohms
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存1

PMBFJ109,215

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 40mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 6V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 12 Ohms
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存1

PMBFJ110,215

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 10mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 4V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 18 Ohms
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存49,990

PMBFJ111,215

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.3W SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 10V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 30 Ohms
功率-最大: 300mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存48,074

PMBFJ112,215

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.3W SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 5mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 50 Ohms
功率-最大: 300mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存2

PMBFJ113,215

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.3W SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 100 Ohms
功率-最大: 300mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存18

PMBFJ174,215

NXP

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V 0.3W SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 20mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 85 Ohms
功率-最大: 300mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存85,079

PMBFJ175,215

NXP

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V 0.3W SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 7mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 3V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 125 Ohms
功率-最大: 300mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存1

PMBFJ176,215

NXP

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V 0.3W SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 2mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 250 Ohms
功率-最大: 300mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存109

PMBFJ177,215

NXP

晶體管-JFET

JFET P-CH 30V 0.3W SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: P-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 30V
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 1.5mA @ 15V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 800mV @ 10nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
電阻-RDS（On）: 300 Ohms
功率-最大: 300mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存119,293

PMBFJ308,215

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 12mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V
電阻-RDS（On）: 50 Ohms
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存13,062

PMBFJ309,215

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 12mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V
電阻-RDS（On）: 50 Ohms
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存9,592

PMBFJ310,215

NXP

晶體管-JFET

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 24mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V
電阻-RDS（On）: 50 Ohms
功率-最大: 250mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SOT-23 (TO-236AB)

庫存2,058

PMBFJ620,115

NXP

晶體管-JFET

JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 25V
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 24mA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1µA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 5pF @ 10V
電阻-RDS（On）: 50 Ohms
功率-最大: 190mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝: 6-TSSOP

庫存12,304

PN4091

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 30 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,400

PN4091_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 5V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 30 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存6,642

PN4092

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 50 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,484

PN4092_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 50 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,688

PN4092_D27Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 50 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,916

PN4092_D74Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 50 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存3,582

PN4092_J18Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 15mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 50 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,016

PN4093

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 8mA @ 20V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 20V
電阻-RDS（On）: 80 Ohms
功率-最大: 625mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,268

PN4117

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存8,388

PN4117A

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存4,896

PN4117A_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,110

PN4117A_J61Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,024

PN4117_D26Z

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 30µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 600mV @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,814

PN4118

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 80µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 1V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,074

PN4119

ON Semiconductor

晶體管-JFET

JFET N-CH 40V 0.35W TO92

制造商: ON Semiconductor
系列: -
FET類型: N-Channel
電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS）: 40V
漏極至源極電壓（Vdss）: -
當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0）: 200µA @ 10V
電流消耗（Id）-最大: -
電壓-截止（VGS關閉）@ ID: 2V @ 1nA
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 10V
電阻-RDS（On）: -
功率-最大: 350mW
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存5,526

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message