晶體管

BU900TP

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN TRIL 370V 5A SOT-82

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Trilinton, Zener Clamp
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 370V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 4V @ 3mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 7000 @ 1A, 5V
• 功率-最大: 55W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: SOT-82
• 供應商設備包裝: SOT-82-3

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BU931

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 400V 15A TO-3

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 250mA, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 5A, 10V
• 功率-最大: 175W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3

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BU931P

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 400V 15A TO-247-3

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 250mA, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 5A, 10V
• 功率-最大: 135W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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BU931T

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 400V 10A TO-220

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive, AEC-Q101
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 250mA, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 5A, 10V
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BU941

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 400V 15A TO-3

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 300mA, 12A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 5A, 10V
• 功率-最大: 180W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3

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BU941P

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 400V 15A TO-247

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 300mA, 12A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 5A, 10V
• 功率-最大: 155W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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BU941ZP

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 350V 15A TO-247

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 300mA, 12A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 5A, 10V
• 功率-最大: 155W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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BU941ZPFI

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 350V 15A TO-3PF

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 2V @ 300mA, 12A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 5A, 10V
• 功率-最大: 65W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-3PF
• 供應商設備包裝: TO-3PF

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BU941ZT

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 350V 15A TO-220

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 250mA, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 5A, 10V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BU941ZTFP

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 350V 15A TO220FP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 250mA, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 5A, 10V
• 功率-最大: 55W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BUB323Z

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.7V @ 250mA, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 5A, 4.6V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: 2MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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BUB323ZG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.7V @ 250mA, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 5A, 4.6V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: 2MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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BUB323ZT4

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.7V @ 250mA, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 5A, 4.6V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: 2MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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BUB323ZT4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.7V @ 250mA, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 500 @ 5A, 4.6V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: 2MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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BUB941ZT

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 350V 15A D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 250mA, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 5A, 10V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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BUB941ZTT4

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN DARL 350V 15A D2PAK

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: Automotive
• 晶體管類型: NPN - Darlington
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.8V @ 250mA, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 5A, 10V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 175°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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BUD42D

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 350V 4A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 2A, 5V
• 功率-最大: 25W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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BUD42D-001

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 350V 4A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 2A, 5V
• 功率-最大: 25W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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BUD42D-1G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 350V 4A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 2A, 5V
• 功率-最大: 25W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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BUD42DG

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 350V 4A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 2A, 5V
• 功率-最大: 25W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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BUD42DT4

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 350V 4A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 2A, 5V
• 功率-最大: 25W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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BUD42DT4G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 350V 4A DPAK

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 350V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 500mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 2A, 5V
• 功率-最大: 25W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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BUF410A

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 450V 15A TO-247

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 450V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 2A, 10A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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BUF420AW

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 450V 30A TO247

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 450V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 4A, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 200W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-247-3
• 供應商設備包裝: TO-247-3

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BUF420M

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 450V 30A TO3

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 30A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 450V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 4A, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: 275W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 200°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-204AA, TO-3
• 供應商設備包裝: TO-3

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BUF460AV

STMicroelectronics

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 450V 80A ISOTOP

• 制造商: STMicroelectronics
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 450V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500MV @ 12A, 60A
• 當前-集電極截止（最大值）: 200µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 15 @ 60A, 5V
• 功率-最大: 270W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Chassis Mount
• 包裝/箱: SOT-227-4, miniBLOC
• 供應商設備包裝: ISOTOP

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BUH100

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 700V 10A TO-220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: SWITCHMODE™
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 700V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 1.5A, 7A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5A, 5V
• 功率-最大: 100W
• 頻率-過渡: 23MHz
• 工作溫度: -60°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BUH100G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 10A TO-220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: SWITCHMODE™
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 750mV @ 1.5A, 7A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5A, 5V
• 功率-最大: 100W
• 頻率-過渡: 23MHz
• 工作溫度: -60°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BUH150

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 700V 15A TO-220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: SWITCHMODE™
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 700V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 4A, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 8 @ 10A, 5V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: 23MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BUH150G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 700V 15A TO-220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: SWITCHMODE™
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 15A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 700V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 5V @ 4A, 20A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 8 @ 10A, 5V
• 功率-最大: 150W
• 頻率-過渡: 23MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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