晶體管

BUH50

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 500V 4A TO-220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: SWITCHMODE™
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 500V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 1A, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 2A, 5V
• 功率-最大: 50W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BUH50G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 500V 4A TO-220AB

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: SWITCHMODE™
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 500V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 1A, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 5 @ 2A, 5V
• 功率-最大: 50W
• 頻率-過渡: 4MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BUH51

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 500V 3A TO-225

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: SWITCHMODE™
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 500V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 8 @ 1A, 1V
• 功率-最大: 50W
• 頻率-過渡: 23MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

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BUH51G

ON Semiconductor

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 500V 3A TO-225

• 制造商: ON Semiconductor
• 系列: SWITCHMODE™
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 3A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 500V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 500mV @ 200mA, 1A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 8 @ 1A, 1V
• 功率-最大: 50W
• 頻率-過渡: 23MHz
• 工作溫度: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-225AA, TO-126-3
• 供應商設備包裝: TO-225AA

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BUJ100,126

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 1A TO92

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 150mA, 750mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 9 @ 750mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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BUJ100,412

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 1A TO92

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 150mA, 750mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 9 @ 750mA, 5V
• 功率-最大: 2W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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BUJ100LR,126

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 1A TO-92

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 400mA, 5V
• 功率-最大: 2.1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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BUJ100LR,412

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 1A TO-92

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 1A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 400mA, 5V
• 功率-最大: 2.1W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• 供應商設備包裝: TO-92-3

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BUJ103A,127

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 4A TO220AB

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 600mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 1mA (ICBO)
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 13 @ 500mA, 5V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BUJ103AD,118

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 4A DPAK

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 600mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 13 @ 500mA, 5V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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BUJ103AX,127

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 4A TO-220F

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 600mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 12 @ 500mA, 5V
• 功率-最大: 26W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
• 供應商設備包裝: TO-220F

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BUJ105A,127

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 8A TO220AB

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 800mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 13 @ 500mA, 5V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BUJ105AB,118

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 8A D2PAK

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 800mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 13 @ 500mA, 5V
• 功率-最大: 125W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 供應商設備包裝: D2PAK

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BUJ105AD,118

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 8A DPAK

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 800mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 13 @ 500mA, 5V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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BUJ106A,127

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 10A TO220AB

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 10A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 1.2A, 6A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 14 @ 500mA, 5V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BUJ302A,127

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 4A TO220AB

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 800mA, 3V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BUJ302AD,118

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 4A DPAK

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 800mA, 3V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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BUJ302AX,127

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 4A TO-220F

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A
• 當前-集電極截止（最大值）: 250µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 25 @ 800mA, 3V
• 功率-最大: 26W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
• 供應商設備包裝: TO-220F

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BUJ303A,127

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 500V 5A TO220AB

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 500V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 600mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 14 @ 500mA, 5V
• 功率-最大: 100W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BUJ303AX,127

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 500V 5A TO-220F

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 500V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 600mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 5mA, 5V
• 功率-最大: 32W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
• 供應商設備包裝: TO-220F

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BUJ303B,127

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 5A TO220AB

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 1A, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 23 @ 800mA, 3V
• 功率-最大: 100W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

加入購物車更新到購物車

BUJ303CD,118

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 5A DPAK

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 5A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1.5V @ 1A, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 28 @ 10mA, 3V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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BUJ403A,127

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 550V 6A TO220AB

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 550V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V
• 功率-最大: 100W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BUJ403A/DG,127

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 550V 6A TO220AB

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 6A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 550V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 400mA, 2A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 20 @ 500mA, 5V
• 功率-最大: 100W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BUJD103AD,118

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 4A DPAK

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 1A, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 11 @ 2A, 5V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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BUJD105AD,118

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 400V 8A DPAK

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 8A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 400V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 800mA, 4A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 13 @ 500mA, 5V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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BUJD203A,127

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 425V 4A TO220AB

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 425V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 600mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 11 @ 2A, 5V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3
• 供應商設備包裝: TO-220AB

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BUJD203AD,118

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 425V 4A DPAK

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 425V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 600mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 100µA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 11 @ 2A, 5V
• 功率-最大: 80W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• 供應商設備包裝: DPAK

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BUJD203AX,127

WeEn Semiconductors

晶體管-雙極（BJT）-單

TRANS NPN 425V 4A TO-220F

• 制造商: WeEn Semiconductors
• 系列: -
• 晶體管類型: NPN
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 4A
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 425V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 1V @ 600mA, 3A
• 當前-集電極截止（最大值）: 2mA
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 10 @ 1mA, 5V
• 功率-最大: 26W
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
• 供應商設備包裝: TO-220F

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BUK762R6-40E/GFJ

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單

MOSFET N-CH D2PAK

• 制造商: NXP USA Inc.
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• 功率-最大: -
• 頻率-過渡: -
• 工作溫度: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

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