晶體管

型號	描述	庫存
PDTA124XM,315 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: DFN1006-3	庫存4,914
PDTA124XMB,315 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: 180MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-XFDFN 供應商設備包裝: DFN1006B-3	庫存6,084
PDTA124XS,126 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,610
PDTA124XT,215 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB	庫存2,520
PDTA124XU,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 22 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70	庫存3,888
PDTA143EE,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SC-75	庫存3,436
PDTA143EEF,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SC89 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-89, SOT-490 供應商設備包裝: SC-89	庫存4,104
PDTA143EK,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3; MPAK	庫存2,322
PDTA143EM,315 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: DFN1006-3	庫存3,168
PDTA143EQAZ Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 3DFN 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: 180MHz 功率-最大: 280mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: DFN1010D-3	庫存5,616
PDTA143ET,215 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB	庫存103,692
PDTA143EU,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70	庫存15,000
PDTA143TE,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SC-75	庫存2,052
PDTA143TK,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3; MPAK	庫存8,910
PDTA143TM,315 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: DFN1006-3	庫存7,182
PDTA143TMB,315 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: 180MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-XFDFN 供應商設備包裝: DFN1006B-3	庫存4,230
PDTA143TS,126 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存7,218
PDTA143TT,215 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB	庫存5,220
PDTA143TU,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70	庫存2,142
PDTA143XE,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SC-75	庫存4,410
PDTA143XE,135 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SC-75	庫存7,380
PDTA143XK,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: SMT3; MPAK	庫存5,958
PDTA143XM,315 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-101, SOT-883 供應商設備包裝: DFN1006-3	庫存3,150
PDTA143XMB,315 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: 180MHz 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-XFDFN 供應商設備包裝: DFN1006B-3	庫存6,588
PDTA143XQAZ Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 3DFN 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: 180MHz 功率-最大: 280mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad 供應商設備包裝: DFN1010D-3	庫存7,632
PDTA143XS,126 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 500mW 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝: TO-92-3	庫存2,808
PDTA143XT,215 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO) 頻率-過渡: - 功率-最大: 250mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB	庫存150,996
PDTA143XTVL Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 PDTA143XT/SOT23/TO-236AB 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: Automotive, AEC-Q101 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: - 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: 180MHz 功率-最大: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝: TO-236AB	庫存6,642
PDTA143XU,115 Nexperia	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 制造商: Nexperia USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 200mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-70, SOT-323 供應商設備包裝: SC-70	庫存8,118
PDTA143ZE,115 NXP	晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75 制造商: NXP USA Inc. 系列: - 晶體管類型: PNP - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止（最大值）: 1µA 頻率-過渡: - 功率-最大: 150mW 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SC-75, SOT-416 供應商設備包裝: SC-75	庫存6,930

PDTA124XM,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: DFN1006-3

庫存4,914

PDTA124XMB,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: 180MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-XFDFN
供應商設備包裝: DFN1006B-3

庫存6,084

PDTA124XS,126

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,610

PDTA124XT,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB

庫存2,520

PDTA124XU,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 22 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 5mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70

庫存3,888

PDTA143EE,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SC-75

庫存3,436

PDTA143EEF,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SC89

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-89, SOT-490
供應商設備包裝: SC-89

庫存4,104

PDTA143EK,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3; MPAK

庫存2,322

PDTA143EM,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: DFN1006-3

庫存3,168

PDTA143EQAZ

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: 180MHz
功率-最大: 280mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: DFN1010D-3

庫存5,616

PDTA143ET,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB

庫存103,692

PDTA143EU,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 4.7 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70

庫存15,000

PDTA143TE,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SC-75

庫存2,052

PDTA143TK,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3; MPAK

庫存8,910

PDTA143TM,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: DFN1006-3

庫存7,182

PDTA143TMB,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: 180MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-XFDFN
供應商設備包裝: DFN1006B-3

庫存4,230

PDTA143TS,126

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存7,218

PDTA143TT,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB

庫存5,220

PDTA143TU,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: -
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 200 @ 1mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70

庫存2,142

PDTA143XE,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SC-75

庫存4,410

PDTA143XE,135

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SC-75

庫存7,380

PDTA143XK,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: SMT3; MPAK

庫存5,958

PDTA143XM,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-101, SOT-883
供應商設備包裝: DFN1006-3

庫存3,150

PDTA143XMB,315

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: 180MHz
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-XFDFN
供應商設備包裝: DFN1006B-3

庫存6,588

PDTA143XQAZ

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 3DFN

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: 180MHz
功率-最大: 280mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 3-XDFN Exposed Pad
供應商設備包裝: DFN1010D-3

庫存7,632

PDTA143XS,126

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 500mW
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝: TO-92-3

庫存2,808

PDTA143XT,215

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
頻率-過渡: -
功率-最大: 250mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB

庫存150,996

PDTA143XTVL

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PDTA143XT/SOT23/TO-236AB

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: Automotive, AEC-Q101
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: 180MHz
功率-最大: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝: TO-236AB

庫存6,642

PDTA143XU,115

Nexperia

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

制造商: Nexperia USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 10 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 50 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 200mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-70, SOT-323
供應商設備包裝: SC-70

庫存8,118

PDTA143ZE,115

NXP

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 150MW SC75

制造商: NXP USA Inc.
系列: -
晶體管類型: PNP - Pre-Biased
當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止（最大值）: 1µA
頻率-過渡: -
功率-最大: 150mW
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SC-75, SOT-416
供應商設備包裝: SC-75

庫存6,930

Send Message

Certifications

資源

支持

Social Media

Need Help?
Send Message