晶體管

RN2106ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

加入購物車更新到購物車

RN2106CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 50mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

加入購物車更新到購物車

RN2106,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KOHM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

RN2106(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SSM

加入購物車更新到購物車

RN2107ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

加入購物車更新到購物車

RN2107CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 50mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

加入購物車更新到購物車

RN2107,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SSM

加入購物車更新到購物車

RN2107MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS NPN

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: VESM

加入購物車更新到購物車

RN2108ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

加入購物車更新到購物車

RN2108CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• 電阻-基本（R1）: 22 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 50mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

加入購物車更新到購物車

RN2108,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOHM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

RN2108MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: VESM

加入購物車更新到購物車

RN2108(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 47 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 80 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SSM

加入購物車更新到購物車

RN2109ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

加入購物車更新到購物車

RN2109CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 100 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 50mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

加入購物車更新到購物車

RN2109,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

PNP BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOHM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: *
• 晶體管類型: -
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: -
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: -
• 電阻-基本（R1）: -
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: -
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: -
• 當前-集電極截止（最大值）: -
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: -
• 安裝類型: -
• 包裝/箱: -
• 供應商設備包裝: -

加入購物車更新到購物車

RN2109MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: 22 kOhms
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 70 @ 10mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 500nA
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: VESM

加入購物車更新到購物車

RN2110ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

加入購物車更新到購物車

RN2110CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 50mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

加入購物車更新到購物車

RN2110,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SSM

加入購物車更新到購物車

RN2110MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 4.7 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: VESM

加入購物車更新到購物車

RN2111ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

加入購物車更新到購物車

RN2111CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 50mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

加入購物車更新到購物車

RN2111,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SSM

加入購物車更新到購物車

RN2111MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 10 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 150mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SOT-723
• 供應商設備包裝: VESM

加入購物車更新到購物車

RN2112ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

加入購物車更新到購物車

RN2112CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• 電阻-基本（R1）: 22 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 50mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

加入購物車更新到購物車

RN2112,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 100mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 22 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: 200MHz
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-75, SOT-416
• 供應商設備包裝: SSM

加入購物車更新到購物車

RN2113ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 80mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 50V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 120 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 100mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

加入購物車更新到購物車

RN2113CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置

TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• 晶體管類型: PNP - Pre-Biased
• 當前-集電極（Ic）（最大值）: 50mA
• 電壓-集電極發射極擊穿（最大值）: 20V
• 電阻-基本（R1）: 47 kOhms
• 電阻-發射極基（R2）: -
• 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce: 300 @ 1mA, 5V
• Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
• 當前-集電極截止（最大值）: 100nA (ICBO)
• 頻率-過渡: -
• 功率-最大: 50mW
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: SC-101, SOT-883
• 供應商設備包裝: CST3

加入購物車更新到購物車