晶體管

型號	描述	庫存
ALD114904APAL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD® FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET功能: Depletion Mode 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 3.6V Vgs（th）（最大）@ ID: 380mV @ 1µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝: 8-PDIP	庫存5,076
ALD114904ASAL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD® FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET功能: Depletion Mode 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 3.6V Vgs（th）（最大）@ ID: 380mV @ 1µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存7,434
ALD114904PAL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD® FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET功能: Depletion Mode 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 3.6V Vgs（th）（最大）@ ID: 360mV @ 1µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝: 8-PDIP	庫存7,434
ALD114904SAL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD® FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET功能: Depletion Mode 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 3.6V Vgs（th）（最大）@ ID: 360mV @ 1µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存6,540
ALD114913PAL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD® FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET功能: Depletion Mode 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 2.7V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.26V @ 1µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝: 8-PDIP	庫存2,952
ALD114913SAL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD® FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET功能: Depletion Mode 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 2.7V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.26V @ 1µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存6,288
ALD114935PAL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD® FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET功能: Depletion Mode 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 540Ohm @ 0V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.45V @ 1µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝: 8-PDIP	庫存2,088
ALD114935SAL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD® FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET功能: Depletion Mode 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 540Ohm @ 0V Vgs（th）（最大）@ ID: 3.45V @ 1µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存6,804
ALD210800APCL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm Vgs（th）（最大）@ ID: 10mV @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15pF @ 5V 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝: 16-PDIP	庫存5,490
ALD210800ASCL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm Vgs（th）（最大）@ ID: 10mV @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15pF @ 5V 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 16-SOIC	庫存8,892
ALD210800PCL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15pF @ 5V 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝: 16-PDIP	庫存8,838
ALD210800SCL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15pF @ 5V 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 16-SOIC	庫存5,436
ALD210802PCL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝: 16-PDIP	庫存3,636
ALD210802SCL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 16-SOIC	庫存8,514
ALD210804PCL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝: 16-PDIP	庫存5,076
ALD210804SCL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 16-SOIC	庫存6,516
ALD210808APCL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝: 16-PDIP	庫存7,164
ALD210808ASCL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 16-SOIC	庫存7,362
ALD210808PCL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝: 16-PDIP	庫存8,514
ALD210808SCL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 16-SOIC	庫存3,402
ALD210814PCL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝: 16-PDIP	庫存6,102
ALD210814SCL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 500mW 工作溫度: - 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 16-SOIC	庫存2,664
ALD212900APAL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm Vgs（th）（最大）@ ID: 10mV @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 5V 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝: 8-PDIP	庫存5,490
ALD212900ASAL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm Vgs（th）（最大）@ ID: 10mV @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 5V 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存3,456
ALD212900PAL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 5V 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝: 8-PDIP	庫存5,688
ALD212900SAL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 20µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 5V 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存6,336
ALD212902PAL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝: 8-PDIP	庫存3,798
ALD212902SAL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存7,524
ALD212904PAL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 供應商設備包裝: 8-PDIP	庫存3,222
ALD212904SAL Advanced Linear Devices Inc.	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC 制造商: Advanced Linear Devices Inc. 系列: EPAD®, Zero Threshold™ FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: 500mW 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 供應商設備包裝: 8-SOIC	庫存3,474

ALD114904APAL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能: Depletion Mode
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 3.6V
Vgs（th）（最大）@ ID: 380mV @ 1µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝: 8-PDIP

庫存5,076

ALD114904ASAL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能: Depletion Mode
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 3.6V
Vgs（th）（最大）@ ID: 380mV @ 1µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存7,434

ALD114904PAL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能: Depletion Mode
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 3.6V
Vgs（th）（最大）@ ID: 360mV @ 1µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝: 8-PDIP

庫存7,434

ALD114904SAL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能: Depletion Mode
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 3.6V
Vgs（th）（最大）@ ID: 360mV @ 1µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存6,540

ALD114913PAL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能: Depletion Mode
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 2.7V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.26V @ 1µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝: 8-PDIP

庫存2,952

ALD114913SAL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能: Depletion Mode
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 2.7V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.26V @ 1µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存6,288

ALD114935PAL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能: Depletion Mode
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 540Ohm @ 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.45V @ 1µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝: 8-PDIP

庫存2,088

ALD114935SAL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能: Depletion Mode
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 540Ohm @ 0V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3.45V @ 1µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存6,804

ALD210800APCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®, Zero Threshold™
FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm
Vgs（th）（最大）@ ID: 10mV @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15pF @ 5V
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝: 16-PDIP

庫存5,490

ALD210800ASCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®, Zero Threshold™
FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm
Vgs（th）（最大）@ ID: 10mV @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15pF @ 5V
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 16-SOIC

庫存8,892

ALD210800PCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®, Zero Threshold™
FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm
Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15pF @ 5V
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝: 16-PDIP

庫存8,838

ALD210800SCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®, Zero Threshold™
FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25Ohm
Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 15pF @ 5V
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 16-SOIC

庫存5,436

ALD210802PCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®, Zero Threshold™
FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝: 16-PDIP

庫存3,636

ALD210802SCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®, Zero Threshold™
FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 16-SOIC

庫存8,514

ALD210804PCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®, Zero Threshold™
FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝: 16-PDIP

庫存5,076

ALD210804SCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®, Zero Threshold™
FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 16-SOIC

庫存6,516

ALD210808APCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®, Zero Threshold™
FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝: 16-PDIP

庫存7,164

ALD210808ASCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®, Zero Threshold™
FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 16-SOIC

庫存7,362

ALD210808PCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®, Zero Threshold™
FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝: 16-PDIP

庫存8,514

ALD210808SCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®, Zero Threshold™
FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 16-SOIC

庫存3,402

ALD210814PCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®, Zero Threshold™
FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝: 16-PDIP

庫存6,102

ALD210814SCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®, Zero Threshold™
FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 500mW
工作溫度: -
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 16-SOIC

庫存2,664

ALD212900APAL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®, Zero Threshold™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm
Vgs（th）（最大）@ ID: 10mV @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 5V
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝: 8-PDIP

庫存5,490

ALD212900ASAL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®, Zero Threshold™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm
Vgs（th）（最大）@ ID: 10mV @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 5V
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存3,456

ALD212900PAL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®, Zero Threshold™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm
Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 5V
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝: 8-PDIP

庫存5,688

ALD212900SAL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®, Zero Threshold™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14Ohm
Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 20µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 30pF @ 5V
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存6,336

ALD212902PAL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®, Zero Threshold™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝: 8-PDIP

庫存3,798

ALD212902SAL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®, Zero Threshold™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存7,524

ALD212904PAL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®, Zero Threshold™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝: 8-PDIP

庫存3,222

ALD212904SAL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

制造商: Advanced Linear Devices Inc.
系列: EPAD®, Zero Threshold™
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 80mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 10µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: 500mW
工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝: 8-SOIC

庫存3,474

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