晶體管

ALD1103SBL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: -
• FET類型: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40mA, 16mA
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 75Ohm @ 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 10µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 10pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 14-SOIC

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ALD1105PBL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14DIP

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: -
• FET類型: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 14-PDIP

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ALD1105SBL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N/2P-CH 10.6V 14SOIC

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: -
• FET類型: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 14-SOIC

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ALD1106PBL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 14DIP

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: -
• FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 14-PDIP

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ALD1106SBL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 14SOIC

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: -
• FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 14-SOIC

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ALD1107PBL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4P-CH 10.6V 14DIP

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: -
• FET類型: 4 P-Channel, Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1800Ohm @ 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 14-PDIP

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ALD1107SBL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4P-CH 10.6V 14SOIC

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: -
• FET類型: 4 P-Channel, Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1800Ohm @ 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 3pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 14-SOIC

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ALD110800APCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: EPAD®, Zero Threshold™
• FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 10mV @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-PDIP

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ALD110800ASCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: EPAD®, Zero Threshold™
• FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 10mV @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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ALD110800PCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: EPAD®, Zero Threshold™
• FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-PDIP

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ALD110800SCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: EPAD®, Zero Threshold™
• FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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ALD110802PCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: EPAD®
• FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 4.2V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 220mV @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-PDIP

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ALD110802SCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: EPAD®
• FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 4.2V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 220mV @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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ALD110804PCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: EPAD®
• FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 4.4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 420mV @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-PDIP

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ALD110804SCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: EPAD®
• FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 4.4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 420mV @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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ALD110808APCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: EPAD®
• FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 4.8V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 810mV @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-PDIP

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ALD110808ASCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: EPAD®
• FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 4.8V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 810mV @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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ALD110808PCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: EPAD®
• FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 4.8V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 820mV @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-PDIP

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ALD110808SCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: EPAD®
• FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 4.8V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 820mV @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

加入購物車更新到購物車

ALD110814PCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: EPAD®
• FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 5.4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.42V @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-PDIP

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ALD110814SCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: EPAD®
• FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 5.4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.42V @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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ALD1108EPCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10V 16DIP

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: EPAD®
• FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.01V @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 5V
• 功率-最大: 600mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 16-PDIP

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ALD1108ESCL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: EPAD®
• FET類型: 4 N-Channel, Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.01V @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 25pF @ 5V
• 功率-最大: 600mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 16-SOIC

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ALD110900APAL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: EPAD®, Zero Threshold™
• FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 10mV @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 8-PDIP

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ALD110900ASAL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: EPAD®, Zero Threshold™
• FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 10mV @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOIC

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ALD110900PAL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: EPAD®, Zero Threshold™
• FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 8-PDIP

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ALD110900SAL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: EPAD®, Zero Threshold™
• FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 20mV @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOIC

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ALD110902PAL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: EPAD®
• FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 4.2V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 220mV @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 8-PDIP

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ALD110902SAL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: EPAD®
• FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 4.2V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 220mV @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOIC

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ALD110904PAL

Advanced Linear Devices Inc.

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

• 制造商: Advanced Linear Devices Inc.
• 系列: EPAD®
• FET類型: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 10.6V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12mA, 3mA
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 500Ohm @ 4.4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 420mV @ 1µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2.5pF @ 5V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 0°C ~ 70°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
• 供應商設備包裝: 8-PDIP

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