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晶體管

記錄 64,903
頁面 767/2164
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型號
描述
庫存
數量
EPC2100ENGRT

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

  • 制造商: EPC
  • 系列: eGaN®
  • FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A (Ta), 40A (Ta)
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: Die
  • 供應商設備包裝: Die
庫存26,922
EPC2101
EPC2101

EPC

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

  • 制造商: EPC
  • 系列: eGaN®
  • FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A, 38A
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: Die
  • 供應商設備包裝: Die
庫存98,832
EPC2101ENG

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GAN TRANS 2N-CH 60V BUMPED DIE

  • 制造商: EPC
  • 系列: eGaN®
  • FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A, 38A
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 2mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.7nC @ 5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 30V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: Die
  • 供應商設備包裝: Die
庫存3,384
EPC2101ENGRT

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

  • 制造商: EPC
  • 系列: eGaN®
  • FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A, 38A
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 2mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.7nC @ 5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 30V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: Die
  • 供應商設備包裝: Die
庫存35,766
EPC2102
EPC2102

EPC

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG

  • 制造商: EPC
  • 系列: eGaN®
  • FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 7mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 30V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: Die
  • 供應商設備包裝: Die
庫存87,732
EPC2102ENG

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GAN TRANS 2N-CH 60V BUMPED DIE

  • 制造商: EPC
  • 系列: eGaN®
  • FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 7mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 30V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: Die
  • 供應商設備包裝: Die
庫存6,804
EPC2102ENGRT

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

  • 制造商: EPC
  • 系列: eGaN®
  • FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Tj)
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 7mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.8nC @ 5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 30V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: Die
  • 供應商設備包裝: Die
庫存53,898
EPC2103
EPC2103

EPC

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG

  • 制造商: EPC
  • 系列: eGaN®
  • FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 7mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 40V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: Die
  • 供應商設備包裝: Die
庫存78,552
EPC2103ENG

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE

  • 制造商: EPC
  • 系列: eGaN®
  • FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 7mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 40V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: Die
  • 供應商設備包裝: Die
庫存5,076
EPC2103ENGRT

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V

  • 制造商: EPC
  • 系列: eGaN®
  • FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 7mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.5nC @ 5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 7600pF @ 40V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: Die
  • 供應商設備包裝: Die
庫存45,828
EPC2104
EPC2104

EPC

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GAN TRANS SYMMETRICAL HALF BRIDG

  • 制造商: EPC
  • 系列: eGaN®
  • FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 5.5mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 50V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: Die
  • 供應商設備包裝: Die
庫存78,798
EPC2104ENG

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE

  • 制造商: EPC
  • 系列: eGaN®
  • FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 5.5mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 50V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: Die
  • 供應商設備包裝: Die
庫存3,744
EPC2104ENGRT

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GANFET 2NCH 100V 23A DIE

  • 制造商: EPC
  • 系列: eGaN®
  • FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 5.5mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7nC @ 5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 800pF @ 50V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: Die
  • 供應商設備包裝: Die
庫存16,584
EPC2105
EPC2105

EPC

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

  • 制造商: EPC
  • 系列: eGaN®
  • FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A, 38A
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: Die
  • 供應商設備包裝: Die
庫存100,422
EPC2105ENG

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE

  • 制造商: EPC
  • 系列: eGaN®
  • FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A, 38A
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 2.5mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 40V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: Die
  • 供應商設備包裝: Die
庫存5,796
EPC2105ENGRT

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE

  • 制造商: EPC
  • 系列: eGaN®
  • FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 80V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9.5A
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 2.5mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.5nC @ 5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 300pF @ 40V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: Die
  • 供應商設備包裝: Die
庫存5,076
EPC2106
EPC2106

EPC

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE

  • 制造商: EPC
  • 系列: eGaN®
  • FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 600µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.73nC @ 5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 50V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: Die
  • 供應商設備包裝: Die
庫存78,744
EPC2106ENGRT

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE

  • 制造商: EPC
  • 系列: eGaN®
  • FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 600µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.73nC @ 5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 75pF @ 50V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: Die
  • 供應商設備包裝: Die
庫存62,904
EPC2107
EPC2107

EPC

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GANFET 3 N-CH 100V 9BGA

  • 制造商: EPC
  • 系列: eGaN®
  • FET類型: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A, 500mA
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 9-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 9-BGA (1.35x1.35)
庫存36,030
EPC2107ENGRT

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE

  • 制造商: EPC
  • 系列: eGaN®
  • FET類型: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A, 500mA
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 9-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 9-BGA (1.35x1.35)
庫存4,140
EPC2108
EPC2108

EPC

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

  • 制造商: EPC
  • 系列: eGaN®
  • FET類型: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V, 100V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.7A, 500mA
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 9-VFBGA
  • 供應商設備包裝: 9-BGA (1.35x1.35)
庫存23,286
EPC2110
EPC2110

EPC

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GANFET 2NCH 120V 3.4A DIE

  • 制造商: EPC
  • 系列: eGaN®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Source
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 120V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 700µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.8nC @ 5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 80pF @ 60V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: -
  • 包裝/箱: Die
  • 供應商設備包裝: Die
庫存4,680
EPC2110ENGRT

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE

  • 制造商: EPC
  • 系列: eGaN®
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Source
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 120V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.4A
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 700µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 0.8nC @ 5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 80pF @ 60V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: Die
  • 供應商設備包裝: Die
庫存92,868
EPC2111
EPC2111

EPC

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

  • 制造商: EPC
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta)
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 5mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: Die
  • 供應商設備包裝: Die
庫存3,137
EPC2111ENGRT

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

  • 制造商: EPC
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
  • FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A (Ta)
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 5mA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
  • 功率-最大: -
  • 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: Die
  • 供應商設備包裝: Die
庫存2,430
FC4B22270L1
FC4B22270L1

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CHANNEL 4SMD

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: -
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.4V @ 310µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9nC @ 4V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 910pF @ 10V
  • 功率-最大: 1.5W (Ta)
  • 工作溫度: 150°C
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 4-XFLGA, CSP
  • 供應商設備包裝: ULGA004-W-1313-RA
庫存19,884
FC6546010R
FC6546010R

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.1A SMINI6-F3

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 3V
  • 功率-最大: 150mW
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 6-SMD, Flat Leads
  • 供應商設備包裝: SMini6-F3-B
庫存57,252
FC6943010R
FC6943010R

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A SSMINI6

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 3V
  • 功率-最大: 125mW
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SSMini6-F3-B
庫存69,846
FC6946010R
FC6946010R

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 0.1A SSMINI6

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Logic Level Gate
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 1µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 12pF @ 3V
  • 功率-最大: 125mW
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: SOT-563, SOT-666
  • 供應商設備包裝: SSMini6-F3-B
庫存304,686
FC8J33040L
FC8J33040L

Panasonic Electronic Components

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 33V 5A WMINI8-F1

  • 制造商: Panasonic Electronic Components
  • 系列: -
  • FET類型: 2 N-Channel (Dual)
  • FET功能: Standard
  • 漏極至源極電壓（Vdss）: 33V
  • 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A
  • Rds On（Max）@ Id，Vgs: 38mOhm @ 2.5A, 10V
  • Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 260µA
  • 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.8nC @ 4.5V
  • 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 220pF @ 10V
  • 功率-最大: 1W
  • 工作溫度: 150°C (TJ)
  • 安裝類型: Surface Mount
  • 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
  • 供應商設備包裝: WMini8-F1
庫存3,436