晶體管

型號	描述	庫存
SIZ918DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A, 28A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 15V 功率-最大: 29W, 100W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)	庫存1,585
SIZ920DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1260pF @ 15V 功率-最大: 39W, 100W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)	庫存4,968
SIZ926DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc), 60A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V 功率-最大: 20.2W, 40W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)	庫存23,052
SIZ980DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual), Schottky FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc), 60A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V 功率-最大: 20W, 66W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-PowerPair®	庫存1,400
SIZ988DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc), 60A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V 功率-最大: 20.2W, 40W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-PowerPair®	庫存21,612
SIZ998DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual), Schottky FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc), 60A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V 功率-最大: 20.2W, 32.9W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-PowerPair®	庫存58,914
SIZF300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V 功率-最大: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)	庫存3,400
SIZF906ADT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET DUAL N-CHAN 30V 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: 2 N-Channel (Dual), Schottky FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V 功率-最大: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)	庫存2,826
SIZF906DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V 功率-最大: 38W (Tc), 83W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TA) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)	庫存418
SIZF916DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N-CH DUAL 30V 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Ta), 40A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V 功率-最大: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)	庫存26,832
SIZF918DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6 制造商: Vishay Siliconix 系列: * FET類型: - FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: - 電流-25°C時的連續漏極（Id）: - Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: - 包裝/箱: - 供應商設備包裝: -	庫存4,932
SIZF920DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: 2 N-Channel (Dual), Schottky FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V 功率-最大: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)	庫存2,700
SLA5037 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIP 制造商: Sanken 系列: - FET類型: 4 N-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1630pF @ 10V 功率-最大: 5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 12-SIP 供應商設備包裝: 12-SIP w/fin	庫存6,408
SLA5041 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 200V 10A 12SIP 制造商: Sanken 系列: - FET類型: 4 N-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 200V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 10V 功率-最大: 5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 12-SIP 供應商設備包裝: 12-SIP w/fin	庫存8,568
SLA5059 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 3N/3P-CH 60V 4A 12-SIP 制造商: Sanken 系列: - FET類型: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 2A, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 10V 功率-最大: 5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 12-SIP 供應商設備包裝: 12-SIP w/fin	庫存6,912
SLA5060 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 3N/3P-CH 60V 6A 12-SIP 制造商: Sanken 系列: - FET類型: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 3A, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 10V 功率-最大: 5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 12-SIP 供應商設備包裝: 12-SIP w/fin	庫存17,796
SLA5061 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A/6A 12SIP 制造商: Sanken 系列: - FET類型: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A, 6A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 10V 功率-最大: 5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 12-SIP 供應商設備包裝: 12-SIP w/fin	庫存2,354
SLA5064 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP 制造商: Sanken 系列: - FET類型: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 10V 功率-最大: 5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 12-SIP 供應商設備包裝: 12-SIP w/fin	庫存15,174
SLA5065 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP 制造商: Sanken 系列: - FET類型: 4 N-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 10V 功率-最大: 4.8W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads 供應商設備包裝: 15-ZIP	庫存18,336
SLA5065 LF830 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP 制造商: Sanken 系列: - FET類型: 4 N-Channel FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 10V 功率-最大: 4.8W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 15-SIP 供應商設備包裝: 15-SIP	庫存4,482
SLA5068-LF830 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 60V 7A 15-SIP 制造商: Sanken 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 10V 功率-最大: 5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads 供應商設備包裝: 15-ZIP	庫存18,420
SLA5068 LF853 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 60V 7A 15-SIP 制造商: Sanken 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 10V 功率-最大: 5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 15-SIP 供應商設備包裝: 15-SIP	庫存6,408
SLA5073 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 60V 5A 15-SIP 制造商: Sanken 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 3A, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 10V 功率-最大: 5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads 供應商設備包裝: 15-ZIP	庫存8,148
SLA5074 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 4N-CH 60V 5A 15-SIP 制造商: Sanken 系列: - FET類型: 4 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 3A, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 10V 功率-最大: 4.8W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads 供應商設備包裝: 15-ZIP	庫存15,228
SLA5075 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 6N-CH 500V 5A 15-SIP 制造商: Sanken 系列: - FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 770pF @ 10V 功率-最大: 5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads 供應商設備包裝: 15-ZIP	庫存4,878
SLA5085 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 5N-CH 60V 10A 12-SIP 制造商: Sanken 系列: - FET類型: 5 N-Channel, Common Source FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 3A, 4V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 10V 功率-最大: 5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 12-SIP 供應商設備包裝: 12-SIP w/fin	庫存17,952
SLA5086 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 5P-CH 60V 5A 12-SIP 制造商: Sanken 系列: - FET類型: 5 P-Channel, Common Source FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 3A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 10V 功率-最大: 5W 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 12-SIP 供應商設備包裝: 12-SIP w/fin	庫存20,232
SLA5096 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 3N/3P-CH 55V 8A 15-SIP 制造商: Sanken 系列: - FET類型: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 55V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads 供應商設備包裝: 15-ZIP	庫存6,102
SLA5201 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 3N/3P-CH 600V 7A 15-SIP 制造商: Sanken 系列: - FET類型: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads 供應商設備包裝: 15-ZIP	庫存1,112
SLA5212 Sanken	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 3N/3P-CH 35V 8A 15-SIP 制造商: Sanken 系列: - FET類型: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 35V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A Rds On（Max）@ Id，Vgs: - Vgs（th）（最大）@ ID: - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: - 功率-最大: - 工作溫度: - 安裝類型: Through Hole 包裝/箱: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads 供應商設備包裝: 15-ZIP	庫存6,948

SIZ918DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A, 28A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 15V
功率-最大: 29W, 100W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)

庫存1,585

SIZ920DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1260pF @ 15V
功率-最大: 39W, 100W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)

庫存4,968

SIZ926DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc), 60A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
功率-最大: 20.2W, 40W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)

庫存23,052

SIZ980DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V
功率-最大: 20W, 66W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-PowerPair®

庫存1,400

SIZ988DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A (Tc), 60A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V
功率-最大: 20.2W, 40W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-PowerPair®

庫存21,612

SIZ998DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
功率-最大: 20.2W, 32.9W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-PowerPair®

庫存58,914

SIZF300DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V, 62nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
功率-最大: 3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)

庫存3,400

SIZF906ADT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET DUAL N-CHAN 30V

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 49nC @ 10V, 200nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
功率-最大: 4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)

庫存2,826

SIZF906DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
功率-最大: 38W (Tc), 83W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TA)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)

庫存418

SIZF916DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N-CH DUAL 30V

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 10V, 95nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
功率-最大: 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)

庫存26,832

SIZF918DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6

制造商: Vishay Siliconix
系列: *
FET類型: -
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: -
電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: -
包裝/箱: -
供應商設備包裝: -

庫存4,932

SIZF920DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
功率-最大: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)

庫存2,700

SLA5037

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIP

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: 4 N-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 100V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 80mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1630pF @ 10V
功率-最大: 5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 12-SIP
供應商設備包裝: 12-SIP w/fin

庫存6,408

SLA5041

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 200V 10A 12SIP

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: 4 N-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 200V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 175mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 10V
功率-最大: 5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 12-SIP
供應商設備包裝: 12-SIP w/fin

庫存8,568

SLA5059

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 3N/3P-CH 60V 4A 12-SIP

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 550mOhm @ 2A, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 150pF @ 10V
功率-最大: 5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 12-SIP
供應商設備包裝: 12-SIP w/fin

庫存6,912

SLA5060

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 3N/3P-CH 60V 6A 12-SIP

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 3A, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 10V
功率-最大: 5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 12-SIP
供應商設備包裝: 12-SIP w/fin

庫存17,796

SLA5061

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A/6A 12SIP

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A, 6A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 10V
功率-最大: 5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 12-SIP
供應商設備包裝: 12-SIP w/fin

庫存2,354

SLA5064

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 140mOhm @ 5A, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 460pF @ 10V
功率-最大: 5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 12-SIP
供應商設備包裝: 12-SIP w/fin

庫存15,174

SLA5065

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: 4 N-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 10V
功率-最大: 4.8W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads
供應商設備包裝: 15-ZIP

庫存18,336

SLA5065 LF830

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 60V 7A 15-SIP

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: 4 N-Channel
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 10V
功率-最大: 4.8W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 15-SIP
供應商設備包裝: 15-SIP

庫存4,482

SLA5068-LF830

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 60V 7A 15-SIP

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 10V
功率-最大: 5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads
供應商設備包裝: 15-ZIP

庫存18,420

SLA5068 LF853

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 60V 7A 15-SIP

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 100mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 10V
功率-最大: 5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 15-SIP
供應商設備包裝: 15-SIP

庫存6,408

SLA5073

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 60V 5A 15-SIP

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 3A, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 10V
功率-最大: 5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads
供應商設備包裝: 15-ZIP

庫存8,148

SLA5074

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 4N-CH 60V 5A 15-SIP

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: 4 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 3A, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 10V
功率-最大: 4.8W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads
供應商設備包裝: 15-ZIP

庫存15,228

SLA5075

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 6N-CH 500V 5A 15-SIP

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 500V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 4V @ 1mA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 770pF @ 10V
功率-最大: 5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads
供應商設備包裝: 15-ZIP

庫存4,878

SLA5085

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 5N-CH 60V 10A 12-SIP

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: 5 N-Channel, Common Source
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 10A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 3A, 4V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 320pF @ 10V
功率-最大: 5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 12-SIP
供應商設備包裝: 12-SIP w/fin

庫存17,952

SLA5086

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 5P-CH 60V 5A 12-SIP

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: 5 P-Channel, Common Source
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 220mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 10V
功率-最大: 5W
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 12-SIP
供應商設備包裝: 12-SIP w/fin

庫存20,232

SLA5096

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 3N/3P-CH 55V 8A 15-SIP

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 55V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads
供應商設備包裝: 15-ZIP

庫存6,102

SLA5201

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 3N/3P-CH 600V 7A 15-SIP

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 7A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads
供應商設備包裝: 15-ZIP

庫存1,112

SLA5212

Sanken

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 3N/3P-CH 35V 8A 15-SIP

制造商: Sanken
系列: -
FET類型: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 35V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
Vgs（th）（最大）@ ID: -
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
功率-最大: -
工作溫度: -
安裝類型: Through Hole
包裝/箱: 15-SIP Exposed Tab, Formed Leads
供應商設備包裝: 15-ZIP

庫存6,948

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