晶體管

型號	描述	庫存
SISB46DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 20V 功率-最大: 23W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual	庫存3,780
SISF00DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2700pF @ 15V 功率-最大: 69.4W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8SCD 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8SCD	庫存3,508
SISF02DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30.5A (Ta), 60A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2650pF @ 10V 功率-最大: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8SCD 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8SCD	庫存5,166
SISF20DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 52A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 7A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1290pF @ 30V 功率-最大: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: PowerPAK® 1212-8SCD 供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8SCD	庫存5,364
SIX3134K-TP Micro Commercial Co	晶體管-FET，MOSFET-陣列 N-CHANNELMOSFETSOT-563 制造商: Micro Commercial Co 系列: - FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 750mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 650mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 16V 功率-最大: 150mW 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存256,266
SIX3439K-TP Micro Commercial Co	晶體管-FET，MOSFET-陣列 N/P-CHANNELMOSFETSOT-563 制造商: Micro Commercial Co 系列: - FET類型: N and P-Channel FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 750mA, 660mA Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 650mA, 4.5V, 520mOhm @ 1A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA, 1.1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: - 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF, 170pF @ 16V 功率-最大: - 工作溫度: 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝: SOT-563	庫存299,100
SIZ200DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET N-CH DUAL 30V 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V, 30nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V 功率-最大: 4.3W (Ta), 33W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-PowerPair® (3.3x3.3)	庫存6,714
SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A, 28A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V 功率-最大: 16.7W, 31W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-PowerPair®	庫存8,748
SIZ320DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33 制造商: Vishay Siliconix 系列: PowerPAIR®, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc), 40A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V 功率-最大: 16.7W, 31W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-Power33 (3x3)	庫存28,218
SIZ322DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.1nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 12.5V 功率-最大: 16.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-Power33 (3x3)	庫存5,472
SIZ328DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 10V, 600pF @ 10V 功率-最大: 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-Power33 (3x3)	庫存26,340
SIZ340DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAIR3X3 制造商: Vishay Siliconix 系列: PowerPAIR®, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A, 40A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 15V 功率-最大: 16.7W, 31W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-Power33 (3x3)	庫存53,958
SIZ342DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: - 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.7A (Ta), 100A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 15V 功率-最大: 3.6W, 4.3W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-Power33 (3x3)	庫存7,650
SIZ346DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33 制造商: Vishay Siliconix 系列: PowerPAIR®, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc), 30A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V 功率-最大: 16W, 16.7W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-Power33 (3x3)	庫存22,590
SIZ348DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 30A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.2nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 820pF @ 15V 功率-最大: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-Power33 (3x3)	庫存56,190
SIZ350DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® Gen IV FET類型: 2 N-Channel (Dual) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18.5A (Ta), 30A (Tc) Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.3nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 940pF @ 15V 功率-最大: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-Power33 (3x3)	庫存8,550
SIZ700DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 10V 功率-最大: 2.36W, 2.8W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-PowerPair™ 供應商設備包裝: 6-PowerPair™	庫存5,040
SIZ702DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 15V 功率-最大: 27W, 30W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-PowerPair™ 供應商設備包裝: 6-PowerPair™	庫存7,506
SIZ704DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A, 16A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 15V 功率-最大: 20W, 30W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-PowerPair™ 供應商設備包裝: 6-PowerPair™	庫存2,232
SIZ710DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A, 35A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 820pF @ 10V 功率-最大: 27W, 48W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-PowerPair™ 供應商設備包裝: 6-PowerPair™	庫存8,820
SIZ720DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.7mOhm @ 16.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 825pF @ 10V 功率-最大: 27W, 48W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-PowerPair™ 供應商設備包裝: 6-PowerPair™	庫存6,930
SIZ728DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A, 35A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.7mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 12.5V 功率-最大: 27W, 48W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-PowerPair™ 供應商設備包裝: 6-PowerPair™	庫存8,694
SIZ730DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A, 35A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 15V 功率-最大: 27W, 48W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-PowerPair™ 供應商設備包裝: 6-PowerPair™	庫存8,568
SIZ790DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: SkyFET®, TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A, 35A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 15V 功率-最大: 27W, 48W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-PowerPair™ 供應商設備包裝: 6-PowerPair™	庫存3,582
SIZ900DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A, 28A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 19.4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1830pF @ 15V 功率-最大: 48W, 100W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-PowerPair™ 供應商設備包裝: 6-PowerPair™	庫存7,668
SIZ902DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 15V 功率-最大: 29W, 66W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)	庫存29,004
SIZ904DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A, 16A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 15V 功率-最大: 20W, 33W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 6-PowerPair™ 供應商設備包裝: 6-PowerPair™	庫存258
SIZ910DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 15V 功率-最大: 48W, 100W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)	庫存5,886
SIZ914DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A, 40A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.4mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1208pF @ 15V 功率-最大: 22.7W, 100W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-PowerPair®	庫存8,118
SIZ916DT-T1-GE3 Vishay Siliconix	晶體管-FET，MOSFET-陣列 MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR 制造商: Vishay Siliconix 系列: TrenchFET® FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能: Standard 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A, 40A Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.4mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1208pF @ 15V 功率-最大: 22.7W, 100W 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型: Surface Mount 包裝/箱: 8-PowerWDFN 供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)	庫存8,928

SISB46DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 34A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1100pF @ 20V
功率-最大: 23W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8 Dual
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8 Dual

庫存3,780

SISF00DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 60A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 53nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2700pF @ 15V
功率-最大: 69.4W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8SCD
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8SCD

庫存3,508

SISF02DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 56nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2650pF @ 10V
功率-最大: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8SCD
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8SCD

庫存5,166

SISF20DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 14A (Ta), 52A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 13mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 33nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1290pF @ 30V
功率-最大: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: PowerPAK® 1212-8SCD
供應商設備包裝: PowerPAK® 1212-8SCD

庫存5,364

SIX3134K-TP

Micro Commercial Co

晶體管-FET，MOSFET-陣列

N-CHANNELMOSFETSOT-563

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 750mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 650mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF @ 16V
功率-最大: 150mW
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存256,266

SIX3439K-TP

Micro Commercial Co

晶體管-FET，MOSFET-陣列

N/P-CHANNELMOSFETSOT-563

制造商: Micro Commercial Co
系列: -
FET類型: N and P-Channel
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 750mA, 660mA
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 380mOhm @ 650mA, 4.5V, 520mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA, 1.1V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 120pF, 170pF @ 16V
功率-最大: -
工作溫度: 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝: SOT-563

庫存299,100

SIZ200DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N-CH DUAL 30V

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.5mOhm @ 10A, 10V, 5.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 10V, 30nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
功率-最大: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-PowerPair® (3.3x3.3)

庫存6,714

SIZ300DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11A, 28A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 400pF @ 15V
功率-最大: 16.7W, 31W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-PowerPair®

庫存8,748

SIZ320DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33

制造商: Vishay Siliconix
系列: PowerPAIR®, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc), 40A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
功率-最大: 16.7W, 31W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-Power33 (3x3)

庫存28,218

SIZ322DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.35mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.1nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 950pF @ 12.5V
功率-最大: 16.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-Power33 (3x3)

庫存5,472

SIZ328DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET DUAL N-CHAN 25V POWERPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V, 10mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 6.9nC @ 10V, 11.3nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 10V, 600pF @ 10V
功率-最大: 2.9W (Ta), 15W (Tc), 3.6W (Ta), 16.2W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-Power33 (3x3)

庫存26,340

SIZ340DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAIR3X3

制造商: Vishay Siliconix
系列: PowerPAIR®, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 30A, 40A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.5mOhm @ 15.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 760pF @ 15V
功率-最大: 16.7W, 31W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-Power33 (3x3)

庫存53,958

SIZ342DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: -
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 15.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 650pF @ 15V
功率-最大: 3.6W, 4.3W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-Power33 (3x3)

庫存7,650

SIZ346DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33

制造商: Vishay Siliconix
系列: PowerPAIR®, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 17A (Tc), 30A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 325pF @ 15V, 650pF @ 15V
功率-最大: 16W, 16.7W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-Power33 (3x3)

庫存22,590

SIZ348DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18A (Ta), 30A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.12mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18.2nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 820pF @ 15V
功率-最大: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-Power33 (3x3)

庫存56,190

SIZ350DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET® Gen IV
FET類型: 2 N-Channel (Dual)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 18.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 20.3nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 940pF @ 15V
功率-最大: 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-Power33 (3x3)

庫存8,550

SIZ700DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 35nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1300pF @ 10V
功率-最大: 2.36W, 2.8W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-PowerPair™
供應商設備包裝: 6-PowerPair™

庫存5,040

SIZ702DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 15V
功率-最大: 27W, 30W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-PowerPair™
供應商設備包裝: 6-PowerPair™

庫存7,506

SIZ704DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A, 16A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 15V
功率-最大: 20W, 30W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-PowerPair™
供應商設備包裝: 6-PowerPair™

庫存2,232

SIZ710DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A, 35A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 18nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 820pF @ 10V
功率-最大: 27W, 48W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-PowerPair™
供應商設備包裝: 6-PowerPair™

庫存8,820

SIZ720DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 8.7mOhm @ 16.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 23nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 825pF @ 10V
功率-最大: 27W, 48W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-PowerPair™
供應商設備包裝: 6-PowerPair™

庫存6,930

SIZ728DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 25V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A, 35A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.7mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 890pF @ 12.5V
功率-最大: 27W, 48W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-PowerPair™
供應商設備包裝: 6-PowerPair™

庫存8,694

SIZ730DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A, 35A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 15V
功率-最大: 27W, 48W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-PowerPair™
供應商設備包裝: 6-PowerPair™

庫存8,568

SIZ790DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: SkyFET®, TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A, 35A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 9.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 15V
功率-最大: 27W, 48W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-PowerPair™
供應商設備包裝: 6-PowerPair™

庫存3,582

SIZ900DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 24A, 28A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 7.2mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 45nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1830pF @ 15V
功率-最大: 48W, 100W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-PowerPair™
供應商設備包裝: 6-PowerPair™

庫存7,668

SIZ902DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 21nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 790pF @ 15V
功率-最大: 29W, 66W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)

庫存29,004

SIZ904DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 12A, 16A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 435pF @ 15V
功率-最大: 20W, 33W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 6-PowerPair™
供應商設備包裝: 6-PowerPair™

庫存258

SIZ910DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 40A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 40nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1500pF @ 15V
功率-最大: 48W, 100W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)

庫存5,886

SIZ914DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A, 40A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1208pF @ 15V
功率-最大: 22.7W, 100W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-PowerPair®

庫存8,118

SIZ916DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

制造商: Vishay Siliconix
系列: TrenchFET®
FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能: Standard
漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
電流-25°C時的連續漏極（Id）: 16A, 40A
Rds On（Max）@ Id，Vgs: 6.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ ID: 2.4V @ 250µA
門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 26nC @ 10V
輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1208pF @ 15V
功率-最大: 22.7W, 100W
工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型: Surface Mount
包裝/箱: 8-PowerWDFN
供應商設備包裝: 8-PowerPair® (6x5)

庫存8,928

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