晶體管

TMC1420-LA

Trinamic Motion Control GmbH

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 40V 8PQFN

• 制造商: Trinamic Motion Control GmbH
• 系列: -
• FET類型: N and P-Channel
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 8.8A, 7.3A
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26.5mOhm @ 7A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11.2nC @ 4.5V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1050pF @ 15V
• 功率-最大: 3.57W
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-PowerTDFN
• 供應商設備包裝: PQFN (5x6)

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TMC1620-TO

Trinamic Motion Control GmbH

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 60V TO252-4

• 制造商: Trinamic Motion Control GmbH
• 系列: -
• FET類型: N and P-Channel, Common Drain
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.6A, 4.7A
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 6A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 3V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1560pF @ 25V
• 功率-最大: 3.13W
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
• 供應商設備包裝: TO-252-4L

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TPC8207(TE12L)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: 2 N-Channel (Dual)
• FET功能: Logic Level Gate
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 4.8A, 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 200µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 5V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2010pF @ 10V
• 功率-最大: 450mW
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOP (5.5x6.0)

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TPC8207(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: 2 N-Channel (Dual)
• FET功能: Logic Level Gate
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 4.8A, 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 200µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 22nC @ 5V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2010pF @ 10V
• 功率-最大: 450mW
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOP (5.5x6.0)

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TPC8208(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: 2 N-Channel (Dual)
• FET功能: Logic Level Gate
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 200µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 5V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 10V
• 功率-最大: 450mW
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOP (5.5x6.0)

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TPC8208(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: 2 N-Channel (Dual)
• FET功能: Logic Level Gate
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 200µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.5nC @ 5V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 10V
• 功率-最大: 450mW
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOP (5.5x6.0)

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TPC8211(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: 2 N-Channel (Dual)
• FET功能: Logic Level Gate
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.5A
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 36mOhm @ 3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 25nC @ 10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1250pF @ 10V
• 功率-最大: 450mW
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOP (5.5x6.0)

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TPC8212-H(TE12LQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: 2 N-Channel (Dual)
• FET功能: Logic Level Gate
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 21mOhm @ 3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 16nC @ 10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 840pF @ 10V
• 功率-最大: 450mW
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOP (5.5x6.0)

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TPC8213-H(TE12LQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: 2 N-Channel (Dual)
• FET功能: Logic Level Gate
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 60V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5A
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 11nC @ 10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 625pF @ 10V
• 功率-最大: 450mW
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOP (5.5x6.0)

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TPC8221-H,LQ(S

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: 2 N-Channel (Dual)
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 12nC @ 10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 830pF @ 10V
• 功率-最大: 450mW
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOP

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TPC8223-H,LQ(S

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: 2 N-Channel (Dual)
• FET功能: Logic Level Gate
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1190pF @ 10V
• 功率-最大: 450mW
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOP

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TPC8405(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: N and P-Channel
• FET功能: Logic Level Gate
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6A, 4.5A
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 26mOhm @ 3A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 27nC @ 10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1240pF @ 10V
• 功率-最大: 450mW
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOP (5.5x6.0)

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TPC8407,LQ(S

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: N and P-Channel
• FET功能: Logic Level Gate
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 9A, 7.4A
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 17mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 17nC @ 10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 1190pF @ 10V
• 功率-最大: 450mW
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOP

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TPC8408,LQ(S

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: N and P-Channel
• FET功能: Logic Level Gate
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 6.1A, 5.3A
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 32mOhm @ 3.1A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.3V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 24nC @ 10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 850pF @ 10V
• 功率-最大: 450mW
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOP

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TPCF8201(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: 2 N-Channel (Dual)
• FET功能: Logic Level Gate
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3A
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 49mOhm @ 1.5A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 200µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.5nC @ 5V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 590pF @ 10V
• 功率-最大: 330mW
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
• 供應商設備包裝: VS-8 (2.9x1.5)

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TPCF8304(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 30V 3.2A VS-8

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: 2 P-Channel (Dual)
• FET功能: Logic Level Gate
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 3.2A
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 72mOhm @ 1.6A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 14nC @ 10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 600pF @ 10V
• 功率-最大: 330mW
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
• 供應商設備包裝: VS-8 (2.9x1.5)

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TPCF8402(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: N and P-Channel
• FET功能: Logic Level Gate
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4A, 3.2A
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 10nC @ 10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 470pF @ 10V
• 功率-最大: 330mW
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
• 供應商設備包裝: VS-8 (2.9x1.5)

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TPCL4201(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 4CHIPLGA

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 200µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 720pF @ 10V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 4-XFLGA
• 供應商設備包裝: 4-Chip LGA (1.59x1.59)

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TPCL4202(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 4CHIPLGA

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 200µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 780pF @ 10V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 4-XFLGA
• 供應商設備包裝: 4-Chip LGA (1.59x1.59)

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TPCL4203(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 4CHIPLGA

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: -
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.2V @ 200µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 685pF @ 10V
• 功率-最大: 500mW
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 4-XFLGA
• 供應商設備包裝: 4-Chip LGA (1.59x1.59)

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TPCP8203(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2N-CH 40V 4.7A PS-8

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: 2 N-Channel (Dual)
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 40V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 4.7A
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: -
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• 功率-最大: 360mW
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
• 供應商設備包裝: PS-8 (2.9x2.4)

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TPCP8401(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V/12V PS-8

• 制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
• 系列: -
• FET類型: N and P-Channel
• FET功能: Logic Level Gate
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V, 12V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 100mA, 5.5A
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.1V @ 100µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 9.3pF @ 3V
• 功率-最大: 1W
• 工作溫度: 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SMD, Flat Lead
• 供應商設備包裝: PS-8 (2.9x2.4)

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TPD3215M

Transphorm

晶體管-FET，MOSFET-陣列

GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE

• 制造商: Transphorm
• 系列: -
• FET類型: 2 N-Channel (Half Bridge)
• FET功能: GaNFET (Gallium Nitride)
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 600V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 70A (Tc)
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 34mOhm @ 30A, 8V
• Vgs（th）（最大）@ ID: -
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 28nC @ 8V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 2260pF @ 100V
• 功率-最大: 470W
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Through Hole
• 包裝/箱: Module
• 供應商設備包裝: Module

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TPIC1502DW

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 20V 1.5A DMOS 24-DW

• 制造商:
• 系列: -
• FET類型: -
• FET功能: Logic Level Gate
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.5A
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.2V @ 1mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 2.1nC @ 10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 98pF @ 14V
• 功率-最大: 2.86W
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• 供應商設備包裝: 24-SOIC

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TPS1120D

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

• 制造商:
• 系列: -
• FET類型: 2 P-Channel (Dual)
• FET功能: Logic Level Gate
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 15V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.17A
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.45nC @ 10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• 功率-最大: 840mW
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOIC

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TPS1120DR

Texas Instruments

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

• 制造商:
• 系列: -
• FET類型: 2 P-Channel (Dual)
• FET功能: Logic Level Gate
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 15V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 1.17A
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 5.45nC @ 10V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• 功率-最大: 840mW
• 工作溫度: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOIC

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TSM1N45DCS RL

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N-CHANNEL

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: 2 N-Channel (Dual)
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: -
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 500mA (Ta)
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 4.25Ohm @ 250mA, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 4.9V @ 250mA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: -
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: -
• 功率-最大: -
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 供應商設備包裝: 8-SOP

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TSM200N03DPQ33 RGG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: 2 N-Channel (Dual)
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 30V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 20A (Tc)
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 2.5V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 4nC @ 4.5V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 345pF @ 25V
• 功率-最大: 20W
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 8-PowerWDFN
• 供應商設備包裝: 8-PDFN (3x3)

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TSM250N02DCQ RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET 2 N-CH 20V 5.8A 6TDFN

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: 2 N-Channel (Dual)
• FET功能: Standard
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 5.8A (Tc)
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 800mV @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 775pF @ 10V
• 功率-最大: 620mW
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 6-TDFN (2x2)

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TSM2537CQ RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

晶體管-FET，MOSFET-陣列

MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN

• 制造商: Taiwan Semiconductor Corporation
• 系列: -
• FET類型: N and P-Channel
• FET功能: Logic Level Gate, 1.8V Drive
• 漏極至源極電壓（Vdss）: 20V
• 電流-25°C時的連續漏極（Id）: 11.6A (Tc), 9A (Tc)
• Rds On（Max）@ Id，Vgs: 30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V
• Vgs（th）（最大）@ ID: 1V @ 250µA
• 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs: 9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V
• 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds: 677pF @ 10V, 744pF @ 10V
• 功率-最大: 6.25W
• 工作溫度: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 安裝類型: Surface Mount
• 包裝/箱: 6-VDFN Exposed Pad
• 供應商設備包裝: 6-TDFN (2x2)

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